- •1. Классификация фильтров: по виду типовых ачх; по своему назначению; по типу используемых элементов.
- •Классификация фильтров
- •2. Основные параметры фильтров.
- •3. Одиночный параллельный резонансный lc-контур.
- •4. Одиночный последовательный резонансный lc-контур
- •5. Система двух связанных параллельных контуров.
- •6. Цепочка связанных параллельных контуров.
- •7.Лестничные фильтры. Их характеристики.
- •8.Фильтры нижних частот.
- •9. Фильтры верхних частот
- •10. Полосовой фильтр.
- •11.Полосовой заграждающий фильтр
- •12. Параллельная работа lc-фильтров
- •13.Типовые схемы и параметры rc-фильтров
- •14.Пассивные rc-фильтры
- •15. Активные rc-фильтры
- •16. Электроакустические фильтры
- •17. Фильтры с линией задержки в цепи обратной связи четырехполюсника.
- •18. Цифровые фильтры. Алгоритм линейной цифровой фильтрации.
- •20. Нерекурсивный цф аналогичный звену rc-цепи фнч.
- •19. Частотные характеристики цф.
- •21. Дискретные фильтры. Дискретное преобраз. Фурье.
- •22. Быстрое преобразование Фурье
- •24. Част.-завис. Нерегул-ые корректоры 1-го и 2-го порядков.
- •25. Перемен. Амплитудные корректорты, их классиф-ция и хар-ки
- •26. Назначение пч. Принцип работы пч.
- •27. Классификация пч. Предъявляемые требования.
- •28. Квазилинейная теория преобразования частоты.
- •Пассивные диодные пч. Однотактный диодный пч (опч). Последовательный диодный балансный пч (бпч).
- •30. Кольцевой (двойной балансный) пч (кпч). Затухание диодных пч.
- •31.Транзисторные (активные) пч. Однотактный пч.
- •32.Балансный пч. Упрощённый вариант кольцевого пч.
- •33.Способы построения умножителей частоты. Уч на основе источника гармоник с полосовой фильтрацией.
- •34.Уч с "захватом" частоты вспомогательного генератора. Уч с автоподстройкой фазы и частоты (фапч или фап).
- •35.Способы построения делителей частоты. Регенеративные дч.
- •36.Цифровые дч.
- •38. Назначение генераторов. Классификация схем зг. Основные требования предъявляемые к генераторам Назначение
- •39. Задающие генераторы и их построение.
- •Обобщённая структурная схема зг
- •40. "Мягкое" самовозбуждение зг
- •41."Жёсткое" самовозбуждение зг
- •Установление колебаний
- •42. Стабильность частоты зг
- •43.Принцип построения трёхточечных однокаскадных схем зг
- •44.Схемы индуктивной и емкостной трёхточки
- •45. Зг с кварцевым резонатором. Кварцевый резонатор как колебательная система. Схема емкостной трёхточки зг с кварцевым резонатором. Кварцевый резонатор
- •Зг с кварцевым резонатором
- •Принцип построения трёхточечных однокаскадных схем зг
- •46.Зг с rc-цепью ос. Зг с многозвенной rc-цепью ос.
- •47.Зг с фазобалансной rc-цепью ос. Зг с rc-цепью ос двойной т-мост.
- •48. Стабилизация мощности зг. Уменьшение влияния сопротивления нагрузки на Uвых с использованием буферного резонансного усилителя. Система автоматической регулировки усиления (ару).
- •49. Синхронизация зг.
- •50. Зг с задержкой в цепи ос.
- •51. Зг на элементах с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Зг на туннельном диоде.
- •52. Релаксационные генераторы и принцип их работы. Мультивибраторы.
- •53. Блокинг-генераторы
- •54. Генераторы пилообразного напряжения
- •55. Устройства модуляции ис и принцип работы am
- •56. Амплитудные модуляторы. Базовый модулятор и его характеристики
- •57. Балансный модулятор. Модулятор обп
- •58. Модуляторы ум-сигнала. Модулятор чм-сигнала. Модулятор фм-сигнала
- •59. Структурные схемы модуляторов реализующих косвенные методы получения ум-сигналов
- •60. Методы преобразования am в фм. Структурная схема генератора с чм по методу Армстронга
- •61.Частотная манипуляция.
- •62.Устройства демодуляции (детектировании) ис и их назначение.
- •63. Детектирование ам-сигналов. Последовательный диодный ам-детектор. Характеристики детектора: детекторная, коэффициент передачи по постоянному и переменному токам, входное сопротивление.
- •64.Квадратичный режим детектирования и его характеристика детектирования. Нелинейные искажения.
- •65. Детектирование сигналов с ум. Детектирование чм-сигналов. Чд, использующие зависимость амплитуды от частоты.
- •66. Дискриминатор с расстроенными контурами.
- •67. Чд, использующие зависимость фазового сдвига от частоты.Фазочастотный дискриминатор.
- •69. Детектирование фм-сигналов. Фазовый детектор.
- •70. Источники электропитания. Назначение и принцип работы, структурная схема их построения.
- •71. Выпрямители, схемы построения и их характеристики. Схемы фильтров и их характеристики.
- •73 . Акустоэлектронные устройства (аэу). Принцип их работы.
- •74. Линии задержки. Дисперс-ые линии задержки. Области их применения
- •75.Фильтры на объемных и поверхностных акустических волнах.
- •76.Резонаторы на акустических волнах.
- •78. Области применения акустоэлектронных устройств
- •72. Стабилизаторы напряжения. Схемы построения, принципы их работы и их характеристики.
51. Зг на элементах с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Зг на туннельном диоде.
Применение усилителя позволяет получить незатухающее колебание. Если к параллельному контору подключить сопротивление, которое носит отрицательный характер и подобрать его так чтобы скомпенсировать потери, то получим контур без потерь, следовательно незатухающее колебание. Существуют эл. Приборы, в которых при определенном выборе рабочая точка имеем возможность получить отрицательное дифференциальное сопротивление.Отрицательное дифференциальное сопротивление возникает тогда, когда увеличение напряжения на элементе вызывает уменьшение протекающего через него тока, что эквивалентно положительной внутренней обратной связи. К элементам, которые имеют ВАХ с падающим участком соответствующим отрицательному сопротивлению (рис. 1), относятся: туннельные и обращённые диоды; тиристоры; терморезисторы; стабилитроны и др.
i
i2
РТ
i1
u2 u1 u
-отрицательное сопротивление
Если такой элемент подключить к колебательному контуру, то можно получить генератор. Наибольшее распространение получили ЗГ гармонических колебаний на туннельных диодах (рис. 2), которые обладают малыми габаритами, массой, высокой экономичностью и позволяют генерировать частоты до сотен ГГц.
R Ср
Сбл VD C L
Есм
Rп
Эквивалентная схема такого ЗГ представляет собой параллельный LC-контур с индуктивностью Lк , ёмкостью Cк и эквивалентным сопротивлением потерь rэк , зашунтированный отрицательным сопротивлением R- (рис. 3).
R_
Zкр
Uk
Ukст
Сопротивление контура на резонансной частоте:
Условие возникновение колебания
Отношение , иначе колебания будут сильно отличаться от гармонической формы.
Сравнительно малая амплитуда генерируемых колебаний и нестабильность параметров – основные недостатки таких ЗГ.
Частота генерируемых ЗГ колебаний равна
52. Релаксационные генераторы и принцип их работы. Мультивибраторы.
В радиоизмерительной технике получили распространение генераторы разрывных колебаний – релаксационные мультивибраторы, блокинг генераторы, генераторы сигналов пилообразного напряжения.
Мультивибраторы применяют в качестве ЗГ импульсов почти прямоугольной формы большой длительности. Недостатками таких генераторов являются невозможность расширения импульсов большой скважности.
Мультивибратор в схемном отношении представляет собой двухкаскадный резистивный усилитель, в котором выход одного каскада связан со входом другого каскада
П ринцип работы: пусть в начальный момент транзистор VT1 насыщен, а транзистор VT2 закрыт, что соответствует минимальному коллекторному напряжению Uк1 и максимальному напряжению на коллекторе VT2.
В этом случае будет проходить разряд конденсатора С1 от источника питания, через коллектор-эмиттер транзистора VT1 и источник Ек и резистор Rб2. Одновременно происходит более быстрый процесс заряда конденсатора С2 по цепи Б-Э транзистора VT1 – источник питания Ек и резистор Rк2.
Как только в процессе разряда конденсатора С1 на базе транзистора VT2 достигается напряжение отпирания, ток его начинает увеличиваться, это приводит к возникновению отрицательного перепада потенциала на коллекторе VT2, которое поступая через С2 на базу транзистора VT1 выводит VT1 из насыщения и переводит его в запертое состояние. При этом напряжение Uк1 будет максимальным , а Uк2 минимальным. Коллекторный ток транзистора VT2 уменьшается, а положительный перепад на VT1 через С1 поступает на Б VT2, т.е. имеет место положительная ОС коллектор-база.
После этого С2 начинает разряжаться по цепи К-Э тр. VT2 – источник Ек, сопротивление Rб1, конденсатор С2. И такой процесс повторяется периодически.
В течение времени разряда С2формируется время длительности импульса. tи1=0,7*С2*Rб1
При разряде С1 формируется длительность импульса tи2=0,7 C1*Rб2 Т=tи1+tи2
Если резисторы Rб1=Rб2=Rб и С1=С2=С, то Т=1,4 Rб*С
Длительность переднего фронта tф закрывающегося транзистора зависит от постоянных величин tф=3*C*Rк