- •6. Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
- •7. Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
- •10. Распределение электрического потенциала и квазиуровней Ферми в
- •11. Токи основных и не основных носителей заряда в р-n переходе.
- •13. Контакты металл – полупроводник.
- •20 Классическая и квантовая теплоемкость решетки. Дебаевская температура.
- •Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
- •26. Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений аiiibv от давления.
- •15.Глубокие примеси в полупроводниках, методы их описания. Физические свойства глубоких примесных центров.
- •Природа и свойства связанных состояний.
- •16. Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
- •17. Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
- •Глубокие примесные центры.
- •Свойства глубоких уровней.
- •31. Оптические свойства диэлектриков.
- •35. Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
- •Приближение среднего поля.
- •37 Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
- •Физическая природа молекулярного поля Вейсса.
- •Опыт Дорфмана.
- •Микроскопическая природа ферромагнетизма
- •Обменное взаимодействие.
- •38. Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
- •39 Сверхпроводимость: бозе-конденсация и сверхтекучесть, идеальная проводимость и эффект Мейсснера.
- •Сверхпроводники I и II рода: промежуточное и смешанное состояние. Две характерные длины сверхпроводников и поверхностная энергия границы фаз.
- •37. Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
- •Теория Гинзбурга-Ландау
5-1
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами., то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического поля :
- уравнение Пуассона, описывает экранирование эл. поля в среде.
Экранирование- перераспределение носителей заряда во внешнем поле. При этом из общих термодинамических соотношений следует, что поле в среде ослабляется.
В неоднородных средах возникают состояния
А состояния запрещ. термодин.
Существующие носители заряда связаны с атомными остовами и свободн.
Перераспределятся будут во внешнем поле и те и другие.
Перераспределение атомных остовов
Перераспределение подвижных зарядов происходит под влиянием потенц.
Из уравнения Пуассона можно найти новое распределение
Поле создают объемные и поверхностные заряды. Рассмотрим одномерную модель.
Q s-поверхностных заряд
Запишем ур. Пуассона в п/п:
n-тип, вся примесь ионизирована
в отсутствие внеш. поля
, где n0- конц. в отсутств. эл. поля.
В присутствии эл. поля ,
Рассмотрим систему, когда потенц. эл. поля мал эксп. раскл в ряд , , , ,
6. Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
6-1
С точки зрения зонной теории пов-ть предст. собой нарушение периодич. крист. т.е дефект. С дефектами м.б. связаны локализ. состояния (уровни). Эти локализ. сост. связ. с пов-тью и есть поверхн. сост. В объеме п/п эл. сост. описывается блоховской волновой ф-цией.
n – номер зоны, – квазиволн. век.
В объеме п/п – действ. велич. Иная ситуация при наличии пов-ти, т.е. (можно выбрать такую миним. часть, что неогранич. возрастаение волн. функции приходится на пространство за границей п/п).
Ур-ние эн. поверхн. сост. опред. из того же ур-ния Шредингера, что и для объема п/п. Но с другими граничными условиями.
Уровни эл. поверхностных состояний располагается в запрещ. зоне. По отношению к перемещ. вдоль пов-ти. периодичность сохр-ся.
(k перпенд. поверх., не период.), -действит. (параллельно пов-ти)
- т.е. есть некая зона поверх. состояний.
И.Е.Тамм(1942г) – таммовские состояния.
7. Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
Если есть сост., то оно м.б. либо заполнено, либо не заполнено. Сущ. некий уровень E0 – уровень электронейтральности, такой что если уровень Ферми совпадет с ур. E0, то заряд поверхностных состояний равен , соответственно, если , то .
Как правило, ур. Ферми не совпадает с ур. E0 и на поверхности имеется какой-то заряд, связ. с поверхн. состояниями. Этот заряд служит причиной изгиба зон, кот. сущ. в отсутствие внешнего поля.
Рассмотрим влияние внешнего поля. Пусть для простоты ур. Ферми совпадает с E0 и поверхностный заряд равен 0. Приложим к поверхности п/п положительный потенциал, чтобы вызвать изгиб зон вниз. Зона поверхностных сост. вместе с E0 смещается. Вместе с краями зон смещается и E0; положение ур. Ферми фиксировано => чтобы скомпенсировать 1В достаточно сместить края зон вместе с E0 на 10-3эВ, ионы почти не двигают ур. Ферми. Фиксация зон и уровня Ферми наз. пиннингом зон и уровня Ферми на поверхности.
8-1
Функционирование п/п приборов во многом определяется явлением в контактах различного типа: p–n, Me–п/п, диэл-п/п.
Основными параметрами, определяющими свойства контактов – это контактная разность потенциалов. Известно, что в равновесии ур. Ферми в системе есть константа (F=const). Если мы рассмотрим 2 изолированных материала, то единый для них параметр – это уровень энергии электронов в атоме. А ур. Ферми в этих материалах м.б. свой.
Рассмотрим 2 п/п p- и n- типа:
Термодинамику проц. определяет положение ур. Ферми (EF – ср. энергия, на кот. изменяется при добавлении 1-го электрона)
– термодинамическая работа выхода
– сродство электронов.
– гетеропереход (либо , но )
При образовании контакта электроны из материала, у которого работа выхода меньше, будут переходить в материал, у которого работа выхода больше. Во 2-м материале будет образовываться «+» объемный заряд, в первом – «–». В 1-м материале уровень Ферми будет повышаться, а во 2-м – понижаться.
Чтобы определить распределение потенциала и поля необходимо решить уравнение Пуассона:
, - ширина p-n перехода
– концентрацию заменяем на приведенную концентрацию
(т.к. w близка к LД)
,
Приложим к p-n переходу напряжение.
Положительным считается напряжение, когда к p области приложен «+», а к n обл. – «-». Это прямое включение.
;
Если наоборот – то обратное включение.
p-n переход можно рассматривать, как плоский. Соответствующая емкость называется барьерной емкостью.