- •6. Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
- •7. Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
- •10. Распределение электрического потенциала и квазиуровней Ферми в
- •11. Токи основных и не основных носителей заряда в р-n переходе.
- •13. Контакты металл – полупроводник.
- •20 Классическая и квантовая теплоемкость решетки. Дебаевская температура.
- •Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
- •26. Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений аiiibv от давления.
- •15.Глубокие примеси в полупроводниках, методы их описания. Физические свойства глубоких примесных центров.
- •Природа и свойства связанных состояний.
- •16. Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
- •17. Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
- •Глубокие примесные центры.
- •Свойства глубоких уровней.
- •31. Оптические свойства диэлектриков.
- •35. Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
- •Приближение среднего поля.
- •37 Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
- •Физическая природа молекулярного поля Вейсса.
- •Опыт Дорфмана.
- •Микроскопическая природа ферромагнетизма
- •Обменное взаимодействие.
- •38. Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
- •39 Сверхпроводимость: бозе-конденсация и сверхтекучесть, идеальная проводимость и эффект Мейсснера.
- •Сверхпроводники I и II рода: промежуточное и смешанное состояние. Две характерные длины сверхпроводников и поверхностная энергия границы фаз.
- •37. Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
- •Теория Гинзбурга-Ландау
16. Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
16-1
Ранее рассматривались примеси без учета их взаимодействия друг с другом (ситуация одиночной примеси). При увеличении концентрации примеси необходимо учитывать влияние соседней примеси, их взаимодействие. Примеси располагаются хаотично, => периодичность решетки нарушена => материал находится в аморфном, неупорядоченном состоянии. Такое состояние можно получить только путем легирования.
Аморфное – твердое состояние, характеризующееся изотропией свойств, отсутствием точки плавления, отсутствием дальнего порядка, хотя ближний[порядок] присутствует.
При увеличении температуры вещество размягчается и переходит в жидкое постепенно. Аморфное состояние – аналог переохлажденной жидкости с очень большим коэффициентом вязкости.
Аморфные тела можно получить охлаждением паров, расплавов(стекло), ионным легированием.
Критерии необходимости учета взаимодействия примеси.
ro~N-1/3,
N – концентрация примеси, ro-среднее расстояние между примесными атомами
Существует 2 критерия
Классическое взаимодействие |Квантоввое взаимодействие
ro<LD => , | ro<aБ* -Расстояние меж|ду - хаотическая |примесями становится меньше
добавка,LD-масштаб изменения электричес- | эффективного Боровского ра-
кого поля в полупроводнике |диуса. Появляется возможность
| туннелирования.
И в тот и в другой механизмы приводят к образованию вырожденного уровня:
Примесные уровни расщепляются в примесную зону при сближении.
Когда примеси становится достаточно много, периодичность кристалла нарушается, и уже нельзя описать квантовые состояния на языке квазиимпульса . Но при этом по-прежнему можно описать на языке плотности состояния:
- число состояний в единице объема в интервале энергии(E, E+dE).
17. Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
17-1
1. Механизм Андерсена:
Центры ям расположены периодически, а глубины хаотично меняются. Модель с вертикальным беспорядком.
- среднеквадратичное отклонение = 0;
W – ширина запрещенной зоны
t – интеграл переноса.
, то все состояния локализованы, - некоторое крит. значение
В системе с горизонтальным беспорядком:
волна найдет возможность продифрагировать, выбрать соотв. гармонику потенц. и отразиться
=> андерсеновская локализация.
28-1
Кристалл – периодическое распределение зарядов. При действии элект. поля заряды перераспределяются, частично экранируя это поле.
- неоднородное распределение зарядов в диэлектрике.
,
- поляризация вне тела
В озьмем бесконечно малый объем V0
а т.к. и
то где Pn – нормальная компонента P.
Поверхностная плотность заряда определяется нормальной составляющей поляризации.
Запишем полный дипольный момент (ПДМ).
ПДМ= . Физический смысл поляризации – это плотность дипольного момента среды.
Для дискретного заряда
Электрическая индукция . Граничные условия :
- нормальная компонента индукции непрерывна
- тангенсальная составляющая непрерывна
χ – диэлектрическая восприимчивость
Из условия термодинамической устойчивости следует, что
Возникновение поляризации связано с перераспределением микроскопических зарядов (полей). Но истинное локальное поле, действующее на физический заряд, отличается от макроскопического поля усредненного по макромасштабу.
- формула Клаузиуса – Моссотти. Устанавливают связь между макроскопической диэлектрической проницаемостью и микроскопической поляризуемостью. В этой формуле и .
α – поляризуемость.
29-1
Электронная (смещение оболочек атомы относительно ядра).
Ионная (смещение зарядов ионов по отношению друг к другу)
Дипольная (определяется ориентацией молекул, обладающих дипольным моментом во внешнем поле)
Электронная поляризуемость.
В отсутствии внешнего поля дипольный момент атомов равен 0. Его возникновение во внешнем поле можно описать следующим образом:
Энергия диполя во внешнем поле . -микроскопический дипольный момент – это есть среднее значение от распределения электронной плотности. При описании микроскопический моделей действует локальное поле . Если , то возникает взаимодействие
где - частота внутреннего резонанса
знаменатель обращается в ноль при некоторой частоте внешнего поля => поляризация резко возрастает => резонанс. Это отличительная особенность от механической поляризации.
- сила осциллятора.
Ионная поляризуемость.
Н а пружинах два сорта атомов, чтобы учесть оптические колебания. На атом действует локальное поле .
Уравнения движения:
Решая эту систему, получим , где - приведенная масса, с – константа жесткости.
=>
Ориентационная или дипольная поляризуемость.
Поляризуемость сред, молекулы которых обладают дипольным моментом.
ед. СГСЭ
, , - функция Ланжевена
=>
30-1
Поляризация тела есть сумма поляризаций всех физических подсистем.
- характерная частота оптических колебаний
- характерная частота электронных колебаний
Подставляя в формулу Клаузиуса – Моссотти =>
- нуль диэлектрической проницаемости
- полюс диэлектрической проницаемости.
Физический смысл и :
Пусть в системе существуют собственные продольные колебания:
=>
wl – частота собственных продольных колебаний, в которых .
Пусть в системе имеются поперечные колебания
=> , хотя =>
- частота собственных поперечных колебаний.
16-2
Na
Размытие в примесные
зоны
Щель подвижности
Nd
- Эффективная ширина запрещенной зоны. Необходимо учитывать эти эффекты высокого уровня легирования. Эмпирически установлено
N – полная концентрация,
Таким образом зона вообще исчезает(g(E)!=0)
Возникает энергетический интервал (вместо запрещенной зоны) внутри которой все электронные состояния локализованы. Такой интервал называется щелью подвижности.
Если Т=0 уровень Ферми F находится внутри щели подвижности, то , - граница интервала подвижности, т.е. при Т=0 при (порог подвижности).
Существенно, что не смотря на потерю периодичности в аморфных полупроводниках сохраняется зонный характер спектра.