- •6. Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
- •7. Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
- •10. Распределение электрического потенциала и квазиуровней Ферми в
- •11. Токи основных и не основных носителей заряда в р-n переходе.
- •13. Контакты металл – полупроводник.
- •20 Классическая и квантовая теплоемкость решетки. Дебаевская температура.
- •Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
- •26. Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений аiiibv от давления.
- •15.Глубокие примеси в полупроводниках, методы их описания. Физические свойства глубоких примесных центров.
- •Природа и свойства связанных состояний.
- •16. Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
- •17. Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
- •Глубокие примесные центры.
- •Свойства глубоких уровней.
- •31. Оптические свойства диэлектриков.
- •35. Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
- •Приближение среднего поля.
- •37 Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
- •Физическая природа молекулярного поля Вейсса.
- •Опыт Дорфмана.
- •Микроскопическая природа ферромагнетизма
- •Обменное взаимодействие.
- •38. Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
- •39 Сверхпроводимость: бозе-конденсация и сверхтекучесть, идеальная проводимость и эффект Мейсснера.
- •Сверхпроводники I и II рода: промежуточное и смешанное состояние. Две характерные длины сверхпроводников и поверхностная энергия границы фаз.
- •37. Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
- •Теория Гинзбурга-Ландау
Физическая природа молекулярного поля Вейсса.
Оценим величину внутримолекулярного поля.
; ~ К, то - такое поле вряд ли создано самими магнитными моментами.
Опыт Дорфмана.
Через тонкую никелевую фольгу толщиной - 20 мкм, помещенную между полюсами электромагнита нормально к ее поверхности, пропускался пучок электронов. При постановке опыта никелевая фольга была намагничена до насыщения вдоль своей поверхности. Если бы молекулярное поле было магнитной природы, то пучок электронов должен был отклониться под действием суммарного поля Heff=H + Hmolek. (внешнее поле и внутреннее молекулярное Вейсса ) Опыт показал, что отклонение пучка соответствовало лишь действию обычной магнитной индукции В.
Магнит для изменения ориентации магнитного момента плёнки.
(внешнее поле)
При включении магнитное поле отклоняется. Внутренного поля внутри магнетиков нет! Кулоновская природа магнитного взаимодействия.
Микроскопическая природа ферромагнетизма
Атомы или ионы приобретают магнитный момент, как правило, если они имеют нескомпенсированные спины электронов. Например в атомах железа на внутренней 3d-оболочке имеется четыре нескомпенсированных спина. Так как самопроизвольная намагниченность относится к внутриатомным явлениям, то ее природа может быть установлена только на основе квантово-механических понятий.
;
33-2
;
Домены
Согласно формуле для диэлектрической проницаемости в зоне Кюри-Вейсса, диэлектрическая проницаемость велика ( ) при , и резко уменьшается при удалении от . Между тем эксперимент показывает, что сегнетоэлектрики обладают очень большой диэлектрической проницаемостью, что и определяет возможность их использования в различных приборах. ПРИЧИНА: большая диэлектрическая проницаемость связана с наличием доменов. Домен – область кристаллического сегнетоэлектрика, в которой дипольные моменты, формирующие поляризацию, направлены одинаково. Физическая причина возникновения доменов в стремлении системы уменьшить электростатическую энергию статического поля, плотность которого . Источником электрического поля в сегнетоэлектриках служат поверхностные заряды плотностью . Выгодно системе разбиться на домены. Большая диэлектрическая проницаемость связана с положением доменов (ориентацией). Из-за трудности переориентации доменов возникает гестерезис. Когда домены переориентированы вернуть их обратно тоже сложно. Чтобы обратить поляризацию в ноль необходимо приложить поле, которое называется коэрцетивная сила.( Ec)
31-2
Используя особенности поляритонного взаимодействия, удалось остановить свет в веществе.
Помимо поляритонного взаимодействия используется резонансное взаимодействие э/м поля с двухуровневой электронной системой – асцилляция Рабби.
, в момент (ψ на низком уровне).
Пусть - матричный элемент перехода э/м поля между уровнями 1 и 2. .
Энергия взаимодействия поля с системой .
- частота Раби.
вероятность обнаружить частицу на одном из уровней.
Λ – система 3 элементарных уровня.
поляритон распространяется по системе. Подсвечиваем управляющем полем с , вызывающим осцилляции Раби. Переходы 3-1 запрещены.