- •4. Диоды. Классификация. Отличие между p-n-переходом и диодом. Пробой диодов.
- •5. Выпрямительные диоды.
- •6. Стабилитроны
- •7. Варикапы, туннельные и обращенные диоды.
- •8. Диоды Шотки. Переход металл – полупроводник.
- •9. Туннельные и обращенные диоды – смотри вопрос №7
- •10. Выпрямители.
- •11. Ограничители.
- •12. Стабилизатор параметрический.
- •15. Эквивалентные схемы полевого транзистора.
- •16. Эффекты поля
- •21. Эквивалентные схемы полевого транзистора (смотри вопрос 15)
- •22. Биполярный транзистор. Принцип действия. Уравнение токораспределения.
- •25. Уравнение токораспределения для схемы с общим эмиттером (β).
- •26. Статические характеристики транзистора с общей базой.
- •27. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •30. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •33. Связь параметров физической эквивалентной схемы с h-параметрами
- •36.Работа транзистора с нагрузкой. Рабочая область.
- •37. Работа транзистора в импульсном режиме. Эквивалентные схемы, параметры.
- •38. Частотные свойства транзисторов
- •39. Динисторы
- •40. Тринисторы
- •41. Вакуумный фотоэлемент
- •42. Ионный фотоэлемент
- •43. Фотоэлектронный усилитель
- •44. Фоторезистор
- •45. Фотодиод
- •46. Фототранзистор
- •47. Фототиристор
- •49. Оптоэлектроника.
- •50. Оптроны
- •51. Оптрон с оптической связью
- •52. Оптрон с электрической связью (см. 51)
- •53. Микроэлектроника
- •54. Схемы задания рабочего режима для биполярных транзисторов в различных схемах включения.
- •55. Схемы задания рабочего режима для полевых транзисторов
- •56. Усилители. Параметры и характеристики усилителей.
- •58. Шумы в электронных схемах
- •59. Рачет рабочей точки стандартных усилительных каскадов на бт.
- •61. Обратные связи в усилителях.
- •62. Влияние обратной связи на параметры и характеристики усилителей
- •63. Термостабилизация в усилительных каскадах
- •64. Обратная связь в многокаскадных усилителях ( или см. 61)
- •65. Однокаскадный усилитель rc-типа на бт с общим эмиттером (построение эквивалентной схемы)
- •66. Однокаскадный усилитель rc-типа на бт с общим эмиттером (анализ параметров по переменному току)
- •67. Усилители постоянного тока. Назначение, параметры, основные особенности.
- •68. Методы борьбы с дрейфом нуля. Местные отрицательные обратные связи.
- •69. Методы борьбы с дрейфом нуля. Балансные (мостовые схемы).
- •70. Дифференциальный каскад.
- •71. Метод модуляции-демодуляции.
- •72. Комбинированные методы борьбы с дрейфом нуля.
- •73. Операционные усилители
- •74. Инвертирующий усилитель
- •75. Неинвертирующий усилитель
- •76. Применение оу для выполнения нелинейных операций
- •77. Применение оу для выполнения математических операций
- •78. Электронные ключи. Параметры и характеристики
- •79. Ключ на биполярном транзисторе
- •80. Ключ на переключателе тока
- •81. Ключи на полевых транзисторах.
- •82. Комплементарный ключ (кмдп)
- •83. Логические элементы. Основные параметры и особенности
- •84. Элемент ттл со сложным инвертором.
- •87. Кмоп-логика
- •88. Триггерная ячейка.
- •89. Триггер с раздельными входами
- •90. Интегральные триггеры
37. Работа транзистора в импульсном режиме. Эквивалентные схемы, параметры.
В импульсных устройствах обычно применяется схема включения транзистора с ОЭ. В импульсном режиме, как правило, открытый транзистор работает в режиме насыщения, а закрытый - в режиме отсечки. В режиме отсечки напряжения смешения на обоих переходах - эмиттерном и коллекторном - отрицательные (Uэб < 0 и Uкб < 0 ). через них протекают обратные токи (рис.6.11а). Обратный ток эмиттера пренебрежимо мал по сравнению с обратным током коллектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютной величине равен току Iк0. В режиме отсечки цепь эмиттера можно считать разомкнутой, а транзистор представлять эквивалентным генератором тока Iк0.
В режиме насыщения (рис.6.116) на обоих переходах напряжения смещения положительны (Uэб > 0 и Uкб > 0) и через них протекает прямые токи. Такой режим можно получить при остаточно большом токе базы. Действительно, при увеличении тока базы увеличивается ток коллектора и падение напряжения на сопротивлении RK. Напряжение коллектор-база равно:
UK6 = -Ек + IKRK + U6э ≈ -Ек + BI6RK + U6э.
При выполнении неравенства напряжение UKб становится положительным. Данное неравенство часто называется критерием насыщения, а относительное превышение тока базы по сравнению с током насыщения Iб.н. - степенью насыщения
Напряжение, которое необходимо приложить между базой и эмиттером транзистора для достижения определенной степени насыщения при заданном коллекторном токе, называется напряжением насыщения база-эмиттер Uбэ.н. Ток коллектора в режиме насыщения определяется параметрами внешней схемы и называется током насыщения (IК Н = BIб.н.)
В режиме насыщения в активной и периферийной частях базы (в дрейфовых транзисторах с высокоомным коллектором также в толще коллектора) происходит накапливание избыточного заряда неосновных носителей. Накопление продолжается в течение времени tнак.
После окончания входного насыщающего импульса тока базы с длительностью и подачи запирающего импульса ток коллектора начинает изменяться через некоторое время, необходимое для рассасывания избыточного заряда. Время рассасывания tp определяется как интервал времени между моментом окончания насышаюшего импульса тока базы и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня 0.1 Ек. Рассасывание неравновесных носителей производится в основном за счет поверхностной и объёмной рекомбинации. Ток базы при этом может значительно превышать величину тока базы в режиме отсечки. Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и чем больше амплитуда запирающего импульса.
Коллекторный ток начинает спадать с момента выхода транзистора из насыщения. Время спада (задний фронт импульса) tф2 тока коллектора от уровня Iк.н. до уровня 0.1Iк.н. под воздействием запирающего изменения тока базы в первую очередь зависит от частотных свойств транзистора τB.
В режиме насыщения в базе накапливается избыточный заряд неосновных неравновесных носителей.
На семействе выходных характеристик для схемы с ОЭ (рис.6.9) режим насыщения соответствует левому крутому участку, где ток коллектора не зависит от тока базы. Так как напряжения UKiti.Ukб. и Uэб.н в режиме насыщения малы, то все три электрода насыщенного транзистора можно считать короткозамкнутыми и представлять транзистор в виде единой эквипотенциальной точки.
Переходы транзистора из режима отсечки в режим насыщения и обратно сопровождаются искажениями формы импульса тока коллектора при передаче скачков базового тока (рнс.6.12). Анализ переходных процессов в схеме с насыщенными транзисторами чаше всего проводится так называемым методом заряда. В активной области характеристики временные изменения заряда неравновесных носителей в базе пропорциональны изменениям тока коллектора (где постоянная времени коэффициента передачи тока базы)