- •4. Диоды. Классификация. Отличие между p-n-переходом и диодом. Пробой диодов.
- •5. Выпрямительные диоды.
- •6. Стабилитроны
- •7. Варикапы, туннельные и обращенные диоды.
- •8. Диоды Шотки. Переход металл – полупроводник.
- •9. Туннельные и обращенные диоды – смотри вопрос №7
- •10. Выпрямители.
- •11. Ограничители.
- •12. Стабилизатор параметрический.
- •15. Эквивалентные схемы полевого транзистора.
- •16. Эффекты поля
- •21. Эквивалентные схемы полевого транзистора (смотри вопрос 15)
- •22. Биполярный транзистор. Принцип действия. Уравнение токораспределения.
- •25. Уравнение токораспределения для схемы с общим эмиттером (β).
- •26. Статические характеристики транзистора с общей базой.
- •27. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •30. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •33. Связь параметров физической эквивалентной схемы с h-параметрами
- •36.Работа транзистора с нагрузкой. Рабочая область.
- •37. Работа транзистора в импульсном режиме. Эквивалентные схемы, параметры.
- •38. Частотные свойства транзисторов
- •39. Динисторы
- •40. Тринисторы
- •41. Вакуумный фотоэлемент
- •42. Ионный фотоэлемент
- •43. Фотоэлектронный усилитель
- •44. Фоторезистор
- •45. Фотодиод
- •46. Фототранзистор
- •47. Фототиристор
- •49. Оптоэлектроника.
- •50. Оптроны
- •51. Оптрон с оптической связью
- •52. Оптрон с электрической связью (см. 51)
- •53. Микроэлектроника
- •54. Схемы задания рабочего режима для биполярных транзисторов в различных схемах включения.
- •55. Схемы задания рабочего режима для полевых транзисторов
- •56. Усилители. Параметры и характеристики усилителей.
- •58. Шумы в электронных схемах
- •59. Рачет рабочей точки стандартных усилительных каскадов на бт.
- •61. Обратные связи в усилителях.
- •62. Влияние обратной связи на параметры и характеристики усилителей
- •63. Термостабилизация в усилительных каскадах
- •64. Обратная связь в многокаскадных усилителях ( или см. 61)
- •65. Однокаскадный усилитель rc-типа на бт с общим эмиттером (построение эквивалентной схемы)
- •66. Однокаскадный усилитель rc-типа на бт с общим эмиттером (анализ параметров по переменному току)
- •67. Усилители постоянного тока. Назначение, параметры, основные особенности.
- •68. Методы борьбы с дрейфом нуля. Местные отрицательные обратные связи.
- •69. Методы борьбы с дрейфом нуля. Балансные (мостовые схемы).
- •70. Дифференциальный каскад.
- •71. Метод модуляции-демодуляции.
- •72. Комбинированные методы борьбы с дрейфом нуля.
- •73. Операционные усилители
- •74. Инвертирующий усилитель
- •75. Неинвертирующий усилитель
- •76. Применение оу для выполнения нелинейных операций
- •77. Применение оу для выполнения математических операций
- •78. Электронные ключи. Параметры и характеристики
- •79. Ключ на биполярном транзисторе
- •80. Ключ на переключателе тока
- •81. Ключи на полевых транзисторах.
- •82. Комплементарный ключ (кмдп)
- •83. Логические элементы. Основные параметры и особенности
- •84. Элемент ттл со сложным инвертором.
- •87. Кмоп-логика
- •88. Триггерная ячейка.
- •89. Триггер с раздельными входами
- •90. Интегральные триггеры
39. Динисторы
Динистором, или, по-другому, диодным тиристором, называют переключательный компонент с двумя выводами, который переходит в открытое состояние при превышении определённого напряжения, которое прикладывают между его выводами. Динисторы содержат три электронно-дырочных перехода.
Вывод от внешней зоны n2 называют катодом, а от зоны p1 – анодом. Зоны n1 и p2 носят название баз динистора. Переход между зонами p1, n1 и p2, n2 именуют эмиттерным, а между зонами n1 и p2 – коллекторным переходом.
Если от источника питания к аноду динистора приложим небольшое отрицательное напряжение, а к катоду положительное напряжение, то центральный коллекторный переход будет открыт, а крайние эмиттерные переходы станут закрыты. Зоны n1 и p2 не могут преодолеть, поступающие из анода и катода основные носители зарядов, а, следовательно, они не достигнут базы динистора. В результате через динистор течёт небольшой обратный ток, обусловленный неосновными носителями заряда, и динистор закрыт. Если к аноду динистора приложим очень большое отрицательное напряжение, а к катоду – высокое положительное напряжение, то произойдёт лавинный пробой.
I – участок открытого состояния динистора, на котором его проводимость высока;
II – участок отрицательного сопротивления;
III – участок пробоя коллекторного перехода;
IV – участок в прямом включении, на котором динистор заперт, и приложенное к его выводам напряжение меньше, чем необходимо для возникновения пробоя;
V – участок обратного включения динистора;
VI – участок лавинного пробоя.
Если от источника питания к аноду динистора приложим небольшое положительное напряжение, а к катоду незначительное отрицательное напряжение, то коллекторный переход будет закрыт, а эмиттерные переходы станут открыты. Носители зарядов поступают из области катода n2 в зону p2 (электроны), а из области анода p1 в зону n1 (дырки). В указанных зонах баз носители заряда уже станут неосновными, и в результате в этих зонах возникает рекомбинация носителей зарядов, и из-за неё концентрации свободных носителей зарядов станут меньше. Поле коллекторного перехода будет ускоряющим для ставших неосновными носителей заряда, которые ввиду инжекции его преодолевают и оказываются в зонах, где они вновь будут основными. В областях p1 и n2 эти носители зарядов снова станут неосновными и вновь рекомбинируют. По причине рекомбинаций носителей зарядов проводимость динистора на участке IV мала и протекающий через него обратный ток также мал.
Если начать увеличивать постоянное напряжение, прикладываемое к динистору в прямом включении, то возрастает ширина коллекторного перехода и скорость носителей заряда, и становятся меньше интенсивности рекомбинаций, а прямой ток через динистор медленно возрастает. Чем больше будет прямое напряжение, тем интенсивнее станет ударная ионизация, порождающая новые носители заряда, что при определённом напряжении включения приведёт к лавинному пробою коллекторного перехода. Пробой сопровождает резкое увеличение проводимости динистора в прямом включении. Динистор открывается, и на нём будет падать небольшое остаточное напряжение.
Динисторы применяют в регуляторах и переключателях, чувствительных к изменениям напряжений.