7. Ад­рес­ная па­мять – прин­цип ор­га­ни­за­ции. При­мер ад­рес­ной ор­га­ни­за­ции че­го – ли­бо из по­все­днев­ной жиз­ни.

При ад­рес­ной ор­га­ни­за­ции па­мя­ти раз­ме­ще­ние и по­иск ин­фор­ма­ции в за­по­ми­наю­щем мас­си­ве ос­но­ва­ны на ис­поль­зо­ва­нии ад­ре­са хра­не­ния сло­ва. Ад­ре­сом слу­жит но­мер ячей­ки мас­си­ва, в ко­то­рой это сло­во раз­ме­ща­ет­ся. При за­пи­си (или счи­ты­ва­нии ) сло­ва в за­по­ми­наю­щий мас­сив ини­ции­рую­щая эту опе­ра­цию ко­ман­да долж­на ука­зы­вать ад­рес, по ко­то­ро­му про­из­во­дит­ся за­пись (счи­ты­ва­ние ).

В жиз­ни яв­ный при­мер это­му яв­ля­ет­ся ра­бо­та поч­ты.

8. Две категории озу – краткая сравнительная характеристика.

Опе­ра­тив­ная па­мять вы­пол­ня­ет­ся обыч­но на мик­ро­схе­мах ди­на­ми­че­ско­го ти­па с про­из­воль­ной вы­бор­кой (Dy­namic Ran­dom Ac­cess Mem­ory, DRAM). Ка­ж­дый бит та­кой па­мя­ти пред­став­ля­ет­ся в ви­де на­ли­чия, или от­сут­ст­вия, за­ря­да на кон­ден­са­то­ре, об­ра­зо­ван­ном в струк­ту­ре по­лу­про­вод­ни­ко­во­го кри­стал­ла на ос­но­ве 1-2 тран­зи­сто­ров. C те­че­ни­ем вре­ме­ни кон­ден­са­тор раз­ря­жа­ет­ся, и его за­ряд нуж­но пе­рио­ди­че­ски вос­ста­нав­ли­вать. Ме­ж­ду пе­рио­да­ми дос­ту­па к па­мя­ти по­сы­ла­ет­ся элек­три­че­ский ток об­нов­ляю­щий за­ряд на кон­ден­са­то­рах для под­дер­жа­ния це­ло­ст­но­сти дан­ных. По­это­му дан­ный тип па­мя­ти на­зы­ва­ет­ся ди­на­ми­че­ским ОЗУ. Этот про­цесс на­зы­ва­ет­ся ре­ге­не­ра­ци­ей па­мя­ти.

Дру­гой, бо­лее до­ро­гой тип па­мя­ти - ста­ти­че­ский (Static RAM, SRAM) в ка­че­ст­ве эле­мен­тар­ной ячей­ки ис­поль­зу­ет так на­зы­вае­мый ста­ти­че­ский триг­гер, схе­ма ко­то­ро­го со­сто­ит из 4-6 тран­зи­сто­ров. Ста­ти­че­ский тип па­мя­ти об­ла­да­ет бо­лее вы­со­кой стои­мо­стью и бы­ст­ро­дей­ст­ви­ем и ис­поль­зу­ет­ся, на­при­мер, для ор­га­ни­за­ции кэш-па­мя­ти.

Для ма­те­рин­ских плат, под­дер­жи­ваю­щих внеш­ние час­то­ты 100 МГц и вы­ше, не­об­хо­ди­ма па­мять (SDRAM), ко­то­рая мо­жет нор­маль­но и без сбо­ев ра­бо­тать с та­ки­ми час­то­та­ми, обес­пе­чи­вая оп­ти­маль­ную ско­рость. Та­кие мо­ду­ли па­мя­ти долж­ны иметь вре­мя дос­ту­па не бо­лее 8 нс, но са­мо­го бы­ст­ро­дей­ст­вия как та­ко­во­го не­дос­та­точ­но. Па­мять, спо­соб­ная ус­той­чи­во ра­бо­тать на внеш­них час­то­тах 100 МГц и вы­ше, долж­на удов­ле­тво­рять спе­ци­аль­но­му стан­дар­ту — РС100. Су­ще­ст­ву­ет так­же стан­дарт РС133. Па­мять РС133, спо­соб­на ус­той­чи­во ра­бо­тать на внеш­них час­то­тах до 133 МГц. Мо­ду­ли па­мя­ти, удов­ле­тво­ряю­щие этим стан­дар­там, как пра­ви­ло, име­ют на­клей­ку, со­об­щаю­щую об этом.

На­ли­чие ЕСС. Ма­те­рин­ские пла­ты на мно­гих со­вре­мен­ных чип­се­тах под­дер­жи­ва­ют па­мять с ре­жи­мом ис­прав­ле­ния оши­бок (ЕСС), по­это­му ес­ли для вас осо­бен­но важ­ны ста­биль­ность и на­деж­ность ра­бо­ты на­ря­ду со ско­ро­стью, то сле­ду­ет по­ку­пать па­мять SDRAM с ЕСС. Она не­сколь­ко до­ро­же, но спо­соб­на ис­прав­лять не­ко­то­рые сбои.

Слу­ча­ют­ся та­кие сбои в ка­че­ст­вен­ной па­мя­ти весь­ма ред­ко, но бы­ва­ют за­да­чи (на­при­мер, кор­по­ра­тив­ные сер­ве­ры), где не­до­пус­ти­ма да­же на­столь­ко низ­кая ве­ро­ят­ность сбоя, по­сколь­ку сбой об­хо­дит­ся очень до­ро­го. В обыч­ном ком­пь­ю­те­ре па­мять ЕСС — яв­ное из­ли­ше­ст­во, по­сколь­ку ве­ро­ят­ность про­грамм­но­го сбо­ев в нем ку­да боль­ше.