- •Институт естественных наук и математики
- •Лабораторная работа Изучение электростатического поля
- •Лабораторная работа Определение заряда электрона
- •Зависимость логарифма силы анодного тока диода
- •График зависимости отброса стрелки баллистического гальванометра от величины заряда на конденсаторе
- •Лабораторная работа Изучение электрических свойств сегнетоэлектрика
- •Измерения и обработка результатов
- •Зависимость смещения от напряженности электрического поля в условиях циклической поляризации сегнетоэлектрика
- •Зависимость смещения от напряженности электрического поля
- •Лабораторная работа Шунты и дополнительные сопротивления
- •Лабораторная работа Измерение сопротивления проводников
- •Лабораторная работа Изучение процессов заряда и разряда конденсатора
- •Измерения и обработка результатов
- •Зависимость натурального логарифма напряжения от времени при разряде конденсатора
- •Зависимость от времени при заряде конденсатора
- •Зависимость полезной и полной мощности источника тока от сопротивления нагрузки
- •Зависимость сопротивления германия от температуры
- •Зависимость lnR от 1/t для германия
- •Зависимость lnR от 1/t для образца кремния
- •График зависимости сопротивления образца германия от т3/2
- •Лабораторная работа № Определение работы выхода электронов из металла с помощью вакуумного диода
- •Измерения и обработка результатов
- •Вольтамперная характеристика вакуумного диода
- •Зависимость ln(iн/t2) от 1/t
- •Принципиальная схема установки
- •График зависимости термоэдс от разности температур спаев
- •Зависимость эдс термобатареи от 1/r2
- •Схемы установок
- •Вольтамперная характеристика полупроводникового диода
- •Зависимость натурального логарифма прямого тока диода от приложенного напряжения
- •Схемы установок
- •Лабораторная работа Изучение магнитного гистерезиса
- •Измерения и обработка результатов
- •График зависимости индукции в ферромагнетике от напряженности магнитного поля при циклическом намагничивании
- •График зависимости индукции от напряженности магнитного поля
- •Лабораторная работа Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
- •Измерения и обработка результатов
- •График зависимости анодного тока от силы тока в соленоиде
- •Измерения и обработка результатов
- •График зависимости холловского напряжения на полупроводниковом образце от силы тока в соленоиде
- •График зависимости индукции магнитного поля
- •График зависимости натурального логарифма амплитуды затухающих колебаний от времени
- •Лабораторная работа Изучение вынужденных колебаний и резонанса в цепи переменного тока
- •Зависимость амплитуды силы тока в колебательном контуре от частоты
- •Оглавление
- •Оценка учебной деятельности студента _____________________________________ группы________
- •Институт естественных наук и математики
Зависимость эдс термобатареи от 1/r2
(r – расстояние до источника теплового излучения)
Вывод
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Лабораторная работа
Изучение свойств полупроводникового диода
Цели работы: изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода при его прямом и обратном включениях; наблюдение осциллограмм выпрямленных напряжений переменного тока.
Приборы и принадлежности: выпрямитель ИЭПП-2, генератор сигналов звуковой частоты, полупроводниковый диод Д7Ж, миллиамперметр, микроамперметр М265М, реостат на 100 Ом, вольтметр цифровой В7-22А, диодный мост, осциллограф С1-73. ключ.
а) б) в)
Рис. 1
Рабочая формула
описывает ______________________________________________________
_____________________________________________________
Смысл величин, входящих в формулу:
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Упражнение 1. Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода в режимах прямого и обратного включений.
Схемы установок
Рис. 2 Рис. 3
Режим прямого включения диода:
Таблица 1
U, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
lnI |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Режим обратного включения диода
Таблица 2
U,
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I,
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода
Сопротивление диода при силе тока I1 = _________: R 1 = _________
Сопротивление диода при силе тока I2 = _________: R2 = __________
Сопротивление диода при обратном включении:
R3 = ___________
Зависимость натурального логарифма прямого тока диода от приложенного напряжения
Выводы
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Упражнение 2. Наблюдение осциллограмм выпрямленного напряжения (v=1000 Гц).