Зависимость амплитуды силы тока в колебательном контуре от частоты
Ширина резонансной линии при R =______ Ом:
Δν1 = _______________
Ширина резонансной линии при R =______ Ом:
Δν2 = _______________
Добротность колебательного контура при R = ________ Ом:
Q1 = ________________
Добротность колебательного контура при R =_________ Ом:
Q2 = ________________
Вывод:____________________________________________
__________________________________________________
Оглавление
|
1.
|
Изучение электростатического поля………………………. |
3 |
|
2.
|
Определение заряда электрона…………………………….. |
7 |
|
3.
|
Измерение электроемкости конденсаторов……………….. |
10 |
|
4.
|
Изучение электрических свойств сегнетоэлектрика……… |
13 |
|
5.
|
Шунты и дополнительные сопротивления………………… |
17 |
|
6.
|
Измерение сопротивления проводников………………….. |
19 |
|
7.
|
Изучение процессов заряда и разряда конденсатора……… |
21 |
|
8.
|
Изучение зависимости мощности источника тока от сопротивления нагрузки……………………………………. |
25 |
|
9.
|
Изучение температурной зависимости электропровод-ности полупроводников.……………………………………. |
28 |
|
10.
|
Определение работы выхода электронов из металла с помощью вакуумного диода……………………………… |
34 |
|
11.
|
Изучение эффекта Зеебека…………………………………. |
38 |
|
12.
|
Изучение свойств полупроводникового диода……………. |
41 |
|
13.
|
Определение горизонтальной составляющей вектора напряженности магнитного поля Земли…………………… |
45 |
|
14.
|
Изучение магнитного гистерезиса…………………………. |
47 |
|
15.
|
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона…………………………………………………… |
51 |
|
16.
|
Эффект Холла в полупроводниках и его применение при исследовании магнитных полей…………………………… |
54 |
|
17.
|
Изучение затухающих электромагнитных колебаний……. |
57 |
|
18. |
Изучение вынужденных колебаний и резонанса в цепи переменного тока……………………………………………. |
60 |
Оценка учебной деятельности студента _____________________________________ группы________
|
Наименование учебной деятельности |
Кол. баллов |
Подпись препод. | |
|
Лабораторные работы (макс. - 5 баллов/раб.) |
|
| |
|
1. |
Изучение электростатического поля |
|
|
|
2. |
Определение заряда электрона |
|
|
|
3. |
Измерение электроемкости конденсаторов |
|
|
|
4. |
Изучение электрических свойств сегнетоэлектрика |
|
|
|
5. |
Шунты и дополнительные сопротивления |
|
|
|
6. |
Измерение сопротивления проводников |
|
|
|
7. |
Изучение процессов заряда и разряда конденсатора |
|
|
|
8. |
Изучение зависимости мощности источника тока от сопротивления нагрузки |
|
|
|
9. |
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников |
|
|
|
10. |
Определение работы выхода электронов из металла с помощью вакуумного диода |
|
|
|
11. |
Изучение эффекта Зеебека |
|
|
|
12. |
Изучение свойств полупроводникового диода |
|
|
|
13. |
Определение горизонтальной составляющей вектора напряженности магнитного поля Земли |
|
|
|
14. |
Изучение магнитного гистерезиса |
|
|
|
15. |
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона |
|
|
|
16. |
Эффект Холла в полупроводниках и его применение при исследовании магнитных полей |
|
|
|
17. |
Изучение затухающих электромагнитных колебаний |
|
|
|
18. |
Изучение вынужденных колебаний и резонанса в цепи переменного тока |
|
|
|
Всего баллов за лабораторный практикум |
|
| |
|
Контрольная работа |
|
| |
|
Экзаменационное тестирование |
|
| |
|
Общая сумма баллов |
|
| |
|
Итоговая оценка |
|
| |
