6.1. Основные определения

Актиничное излучение –световое излучение, воздействующее на фоторезист, вызывающее протекание фотохимических реакций и изменение растворимости облученных участков покрытия.

Топологический слой – часть топологии структуры, воспро­изведенная на одном фотошаблоне, необходимом для проведения технологических операций, одинаковых для всех изображенных на этом фотошаблоне элементов.

Заготовка для фотошаблона –стеклянная прозрачная для актиничного излучения плоскопараллельная пластина определенных размеров с нанесенным на ее поверхностьсплошным непрозрачным для актиничного излучения слоем.

Фотошаблон –стеклянная или иная пластина либо полимерная пленка со сформированным на ее поверхности рисунком элементов схем из материала, не пропускающего актиничное излучение.

Негативный фотошаблон (темнопольный) –фотошаблон, на котором изображение элементов схемы представлено в виде светлых участков на непрозрачном фоне.

Позитивный фотошаблон (светлопольный) – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы представлено в виде непрозрачных для актиничного излучения участков на светлом прозрачном фоне.

Металлизированный фотошаблон – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы сформировано тонкой металлической пленкой.

Транспарентный (цветной) фотошаблон – фотошаблон, на котором изображение элементов схем сформировано покрытием, не пропускающим актиничное излучение и пропускающим неактиничное (видимая область спектра) для фоторезиста излучение.

Эмульсионный фотошаблон – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы образовано галоидо-серебряной фотографической эмульсией.

Эталонный фотошаблон – фотошаблон, предназначенный для последующего изготовления рабочих фотошаблонов.

Рабочий фотошаблон – фотошаблон, предназначенный непосред­с­твенно для процесса совмещения и экспонирования. Является зеркаль­ным по отношению к рисунку реальных элементов микросхемы.

Комплект рабочих фотошаблонов –группа совмещающихся между собой фотошаблонов, предназначенных для проведения операций фотолитографии.

Совмещение – процесс расположения рисунков элементов схемы на фотошаблоне точно над соответствующими элементами схемы на подложке, покрытой фоторезистом.

Фигура совмещения –специальный топологический рисунок для обеспечения совмещения изображения элементов схемы рабочего фотошаблона с изображением элементов схемы на пластине.

Подложка – металлическая, полупроводниковая или диэлектри-ческая пластина, монолитная или слоистая, на которую наносят фоторезист.

Фоторезист –светочувствительный материал,изменяющий свои свойства(прежде всего растворимость)под воздействием актинич­ного света.

Электронорезист – материал, изменяющий свои свойства (прежде всего растворимость) под воздействием ускоренных свободных электронов.

Рентгенорезист – материал, изменяющий свои свойства(прежде всего растворимость)под действием рентгеновских лучей.

Ионорезист – фоторезист, электронорезист, рентгенорезист, обладающий малой скоростью распыления в ионном или плазмохимическом разряде по отношению к удаляемым этими способами материалам подложки.

Фотолитография – процесс формирования на поверхности подложки элементов микросхем с помощью чувствительных к излучениям покрытий, способных воспроизводить заданное взаимное расположение и конфигурацию этих элементов.

Контактная маска – рельефное покрытие из пленки фоторезиста или другого материала, воспроизводящее заданные элементы рисунка и обеспечивающее защиту заданных участков подложки от последующего воздействия.

Свободная маска – тонкий, изготовляемый и существующий отдельно от подложки экран с отверстиями, конфигурация и расположение которых соответствуют заданной конфигурации и расположению элементов микросхем.

Метод свободной маски –метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью свободной маски участков подложки от потока частиц напыляемого вещества.

Метод селективного травления –метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью контактной маски участков подложки от удаляющего (травящего) воздействия.

Экспонирование – облучение актиничным излучением пленки фоторезиста, сформированной на подложке, через фотошаблон или с помощью управляемого луча.

Проявление фоторезиста – обработка экспонированной пленки фоторезиста с целью удаления облученных или необлученных участков для создания рельефного изображения.

Рельефное изображение, рельеф из фоторезиста – изображение элементов схем, сформированное пленкой фоторезиста после проявления.

Травление химическое – удаление материала подложки с участков, не защищенных контактной маской, с применением химических процессов в растворах, парах и газах.

Дефект фотошаблона –непредусмотренное отклонение числа, размеров и конфигурации элементов рисунка модуля от заданных значений.

Дефект пленки фоторезиста –непредусмотренные отверстия и посторонние включения, искажающие число, размеры и конфигурацию элементов рельефного изображения.

Прокол –непредусмотренное сквозное отверстие в непрозрачном покрытии фотошаблона или в пленке фоторезиста.

Точка (дефект) – непредусмотренный непрозрачный участок на прозрачном поле модуля фотошаблона или участок фоторезиста на пробельном поле модуля.

Плотность дефектов –число дефектов, отнесенное к единице площади. Размерность: мм^-2, см^-2.

Разрешающая способность – минимальный размер элемента, получаемый при применении данной системы воспроизведения изображения; выражается либо минимальным размером элемента, либо количеством линий на определенной длине.

Селективность травления – различие между скоростями удаления (травления) разных материалов при химическом, электрохимическом или физическом воздействии.

Экспозиция (Н) – доза актиничной световой энергии, падающая на пленку фоторезиста в процессе экспонирования (Н = Е × t).

Пороговая экспозиция(H_пор) – минимальная доза световой энергии, вызывающая изменение свойств пленки фоторезиста на всю толщину.

Интенсивность облучения – энергия светового потока, падающего на поверхность фоторезиста в единицу времени (Вт/см²).

Светочувствительность фоторезиста –способность реаги-ровать под действием света (S = 1/H = 1 / (Е × t )).

Спектральная светочувствительность – величина свето­чувствительности при воздействии света определенной длины волны.

Интегральная светочувствительность фоторезиста – свето­чувствительность при воздействии света всех длин волн, поглощаемых фоторезистом.

Кислотоустойчивость пленки фоторезиста –способность пленок фоторезистов селективно защищать поверхность подложки от воздействия травителей. Оценивается временем воздействия травителя до начала разрушения или отслаивания и качеством вытравленных структур.

Клин проявления – угол наклона границы рельефного изображения по отношению к плоскости подложки.

Клин травления – угол наклона границы вытравленного элемента по отношению к плоскости подложки.