Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Fiz_Polupr_dlya_stud / Описания вып.работ / 2р(Ком).Эфф. Холла.docx
Скачиваний:
36
Добавлен:
10.02.2015
Размер:
2.5 Mб
Скачать

4.2 Исследование полупроводникового материала методом эффекта Холла

4.2.1 Включите измерительный блок и загрузите приложение стенда.

4.2.2 Выберите схему измерений №3 и активизировать все инструменты.

4.2.3 Установить образец заданный преподавателем.

Примечание. Для образцов, имеющих большую ширину запрещенной зоны, определить значение параметров по данной методике не представляется возможным, так как диапазон температур нагрева стенда не позволяет достичь температуры перехода к собственной проводимости.

4.2.4 Создать новую или открыть имеющуюся рабочую тетрадь.

4.2.5 Включите нагрев (температура должна измеряться в Кельвинах). Наблюдая за изменением температуры, фиксируйте измеренные значения в рабочей тетради с помощью кнопки «Записать» в заданном температурном диапазоне (обычно, от комнатной температуры до 85-90 С) с интервалом 5-8 С.

Примечание. Данное измерение проводить при линейной зависимости э.д.с. Холла от магнитной индукции.

4.2.6 Остановите нагрев при заданной температуре (при достижении максимальной температуры нагрев отключается автоматически).

4.2.7 На закладке «Формулы» в рабочей тетради задайте новую формулу для расчета постоянной Холла, используя уравнение (1.7).

4.2.8 Рассчитайте концентрацию свободных носителей заряда, используя уравнение (1.8) или (1.9).

4.2.9 Рассчитайте значения ln(n) и .. Температура должна задаваться в Кельвинах.

4.2.10 Рассчитайте удельную электропроводность образца по уравнению (1.15).

4.2.11 Рассчитайте подвижность свободных носителей заряда по уравнению (1.14).

4.2.12 Рассчитайте значения ln() и ln().

4.2.13 Создав новый график на закладке «Графики» в рабочей тетради, постройте температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда в координатах ln(n)f1/T.

4.2.14 Аналогичным образом, постройте графики температурных зависимостей подвижности носителей заряда в координатах ln()f1/T и удельной электропроводности исследуемого образца в координатах ln()f1/T.

4.2.15 Путем графического дифференцирования зависимости ln(n)f1/T или ln()f1/T определите ширину запрещенной зоны полупроводника.

4.3 Сформировать и отпечатать отчет

Отчет должен содержать:

 цель работы;

 задание и исходные данные;

 схему измерения;

 расчетные формулы с указанием размерности физических величин;

 графики расчетных зависимостей;

В отчете необходимо дать выводы по полученным результатам и сопоставить их со справочными данными.

5. Контрольные вопросы

1. В чем сущность эффекта Холла?

2. Какой физический смысл имеет постоянная Холла?

3. Какие электрофизические свойства полупроводников можно исследовать с помощью эффекта Холла?

4. Почему под действием силы Лоренца электроны и дырки отклоняются в одну сторону?

5. Какие физические процессы определяют величину подвижности носителей заряда в полупроводниках?

6. Как объяснить природу возникновения дополнительной ЭДС, возникающей при исследовании эффекта Холла?

7. Как определить доминирующий механизм рассеяния носителей заряда?

8. В чем сущность эффекта Холла в полупроводниках со смешанным типом проводимости?

Соседние файлы в папке Описания вып.работ