- •2. Основные принципы – стадии подхода к выбору и дизайну прекурсоров – мос с молекулярным строением.
- •3. Типы прекурсоров, примеры реакций синтеза наноматериалов.
- •4. Пути синтеза прекурсоров с заданной – равной летучестью.
- •5. Методы оценки стерических затруднений и межмолекулярных контактов
- •3. Химические транспортные реакции. Установка с движением газа при конвекции. Примеры реакций.
- •4. Химические транспортные реакции. Параметры, влияющие на протекание процесса. Примеры реакций.
- •2.Стадии cvd процесса. Влияние газовой фазы на протекание процесса.
- •3.Преимущества метода. Классификация методов cvd.
- •4.Недостатки метода cvd. Функциональные элементы cvd установок.
- •5.Область применения метода cvd. Сvd реактор для непрерывного синтеза многослойных материалов.
- •6.Механизмы роста вискеров из газовой фазы. Примеры синтеза вискеров металлов.
- •7.Cvi процесс (Основы метода, область применения и схема установки)
ЛЕКЦИЯ 1
Понятие прекурсора, возможные преимущества, требования к прекурсорам.
Прекурсоры – мономерные илиполимерные соединения – так же как и композиты, смеси содержащие все элементы конечного продукта и способные в результате определенного технологического процесса превращаться в конечный продукт.
Преимущества: 1) Получение нановолокон, пленочных материалов.
2) Получение нанокомпозитов;
3) синтез связующих;
Требования к прекурсорам и стартовым реагентам:
Недорогие стартовые материалы и относительно простые методы синтеза прекурсоров.
Прекурсоры должны быть относительно стабильны при нормальных условиях .
Прекурсоры должны гарантировать высокий выход целевого материала .
Необходимая и достаточная летучесть и термостабильность в газовой фазе.
Полупродукты не должны быть токсичны.
Наиболее перспективные прекурсоры и стартовые реагенты:
1.гидриды
2.галогениды
3.металлоорганические и органометаллические сединения, включая координационные
2. Основные принципы – стадии подхода к выбору и дизайну прекурсоров – мос с молекулярным строением.
Синтез: 1.выбор и дизайн прекурсоров.
2.выбор оптим. технолог. путей превращения прекурсоров в целевые н/размерные продукты
Другие важные стадии: 1.предотвращение агрегации наночастиц
2.превращение наночастиц в целевые наноструктурированные материалы
Дизайн прекурсоров с молекулярным строением для газофазного синтеза наноматериалов
1. Для соединений с известным молекулярным строением определяются число и типы возможных межмолекулярных контактов в газовой и конденсированной фазах, степень заполнения координационной сферы центрального атома или иных атомов или фрагментов молекулы.
2. Конструируются прекурсоры-соединения с неизвестным строением и устанавливаются число и типы межмолекулярных контактов.
3. Выполняется термодинамический анализ возможных термических и химических превращений прекурсоров.
4. Определяются термохимические параметры, гидролитическая активность, летучесть и химические свойства потенциальных прекурсоров.
5. Суммируются, анализируются и взаимосвязываются экспериментальные данные по парообразованию соединений различных классов.
6. Выбираются наиболее перспективные стартовые реагенты
7. Синтезируются новые наноматериалы.
3. Типы прекурсоров, примеры реакций синтеза наноматериалов.
Наиболее перспективные прекурсоры и стартовые реагенты:
1.Гидриды
2.Галогениды
3.Металлоорганические и органометаллические соединения, включая координационные.
Галогениды металлов восстанавливаются водородом до металла с образованием соединения галогенов с водородом, а корбонилы с помощью реакции пиролиза разлагают на металл и окись углерода.
Для получения наночастиц железа испарением пентакарбонила железа, Fe(CO)5 в токе СО с последующим разложением при температурах 200-600 градусов. Размер и фазовый состав формируемых наночастиц определяется температурой синтеза и скоростью подачи прекурсора и расхода газа-носителя.
Основные типы химических реакций, используемых в методе CVD.
Реакции термическогоразложения (термолиза)
|
Примеры
|
Разложение галогенидовметаллов
|
WF6(g) W(s) + 3F2(g) TiI4(g) Ti(s) + 2I2(g)
|
Разложение гидридов
|
SiH4(g) Si(s)+2H2(g) B H (g) 2B(s) + 3H2(g)
|
Реакции восстановления
|
|
восстановление галогенидов водородом
|
WF6(g) + 3H2(g) W(s) + 6HF(g) SiCl4(g) + 2H2(g) Si(s) + 4HCl(g) Ni(C5H5)2 +H2 Ni + 2C5H6
|
восстановление галогенидов металлом
|
TiI4(g) + 2Zn(s) Ti(s) + 2ZnI2(g) TiCl4(g) + 2Mg(s) Ti(s) + 2MgCl2(g)
|
Одним из наиболее важных промышленных процессов является осаждение высокочистого кремния по реакции SiCl4 + 2H2 = Si + 4HCl .
Интересный пример CVD-выращивания пленок висмутсодержащих сверхпроводников был реализован с применением летучих галогенидов — BiCl3, CuI, CaI2, SrI2 , нагреваемых в потоке инертного газа-носителя:
2 BiCl3 + 2 CaI2 + SrI2 + 2 CuI + 9 H2O = Bi2Ca2SrCu2O9 + 8 HI + 6 HCl + 2 H2.