Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
КР (1-2) / 1 / КР№1.docx
Скачиваний:
60
Добавлен:
13.02.2015
Размер:
541.74 Кб
Скачать

4.Недостатки метода cvd. Функциональные элементы cvd установок.

Недостатки CVD

1. Требует прекурсоров, которые могут быть токсичными, взрывоопасными, дорогими или приводить к образованию токсичных продуктов, требующих утилизации.

2. Наиболее сложен по сравнению с другими газофазными процессами (PVD или молекулярно лучевая эпитаксия):

  • Возможно протекание побочных реакций;

  • Требует проведения большого числа тестовых экспериментов для поиска наиболее оптимального сочетания всех параметров процесса осаждения.

Функциональные элементы CVD установок

  • Система подвода газа

  • Реактор

  • Система загрузки/выгрузки

  • Энергетическая система

  • Вакуумная система

  • Система контроля параметров

  • Система вывода газообразных продуктов

5.Область применения метода cvd. Сvd реактор для непрерывного синтеза многослойных материалов.

Применение CVD для получения полупроводниковых устройств, МЭМС, наноматериалов, прикладные структурированные материалы и ультравысокотемпературные материалы для следующих областей:

 Коммуникационные технологии

 Оптоэлектронника

 Микроэлектронные устройства

 Нанотехнологии

 Функциональные покрытия

 Высокотемпературные сверхпроводники

 Высокочистые материалы

 Композиты

CVD реактор для многослойных материалов

6.Механизмы роста вискеров из газовой фазы. Примеры синтеза вискеров металлов.

Пар-жидкость-твердое механизм роста одномерных структур, таких как нановискеры в процессе химического осаждения из газовой фазы. Рост кристалла вследствие осаждения из газовой фазы обычно протекает очень медленно. Однако возможно введение на поверхность капель катализатора, способного адсорбировать вещество из газа до состояния пересыщенного расплава, из которого и будет происходить его кристаллизация на подложку. Таким образом, физические параметры нановискеров могут управляться размером и свойствами жидкого сплава, из которого состоят капли.

 Схема роста кремниевых нановискеровв результате газофазной реакции SiCl4 и H2. Реакция катализируется каплями расплава золото-кремний, под которыми происходит рост вискера.

7.Cvi процесс (Основы метода, область применения и схема установки)

Основан на уплотнении пористых волокнистых каркасов в процессе фильтрации через них газообразных химических прекурсоров, их гомогенного и гетерогенного термохимического разложения и осаждения матричного материала на поверхности нагретых армирующих волокон. 

Область применения: авиационная промышленность, производство транспортных средств, композиционных материалов.

Соседние файлы в папке 1