6. Схема лабораторной установки

Лабораторная установка (рис.6) включает универсальный лабораторный стенд, в котором смонтирована схема для снятия статистических характеристик транзисторов.

Прибор (мА) источник входного напряжения измеряет ток базы (), а вольтметр (V) служит для измерения входного напряжения транзистора (). В выходной цепи прибор (мА) измеряет ток коллектора (), а вольтметрV– напряжение между коллектором и эмиттером (). Для повышения точности измерения входного напряженияво входную цепь целесообразно включить цифровой вольтметр Ф203 (VI).

Рис.11. Схема лабораторной установки.

7. Лабораторное задание

7.1. Записать паспортные параметры исследуемого транзистора и зарисовать схему расположения его выводов.

7.2. Рассчитать и построить кривую допустимой мощности, рассеиваемой транзистором.

7.3. Собрать схему для исследования транзистора в схеме включения с ОЭ.

7.4. Снять семейство входных характеристик при комнатной температуре для двух значений напряжения на коллекторе:

, -5 В

При снятии входных характеристик задаваться током базы от 0 до 100 мкАи при этом отмечать значения напряжения на базе.

При отрицательных значениях напряжений на коллекторе найти напряжение на базе, при котором ток станет равным нулю.

7.5. Снять семейство выходных характеристик для четырех значений тока базы:0, 30, 60, 90 мкА при комнатной температуре. При снятии выходных характеристик задаваться напряжением на коллекторе и не превышать максимальных значений тока и напряжений, а также мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора. При снятии характеристики для, цепь базы следует разорвать, т.е. убрать перемычку П1.

7.6. Снять проходную характеристику транзистора и входную характеристикупри напряжении на коллекторе. При снятии характеристик задаваться током базы от 0 до 100 мкА и отмечать при этом величину тока коллектора и напряжения на базе.

Результаты эксперимента свести в табл.1.

Таблица 1

, мкА	0	2	10	20	30	40	60	80	100
, мА
, В
Sм А/В

7.7. Исследуемый транзистор поместить в печь, предварительно разогретую до температуры 70С, и через 5 минут повторить пункт 5 лабораторного задания.

8. Обработка результатов измерений

8.1. По построенным характеристикам транзистора, снятым при комнатной температуре, определить H_Э– параметры. ПараметрH_12 Эпринять равным 10^-4.

8.2. По вычисленным H_Э– параметрам подсчитать параметры Т-образной эквивалентной схемы по формулам:

;;;

;;.

8.3. Используя данные табл.1, определить:

а) значение крутизны характеристики ;

б) величину коэффициента усиления по току для всех значений тока базы. Вычисленные значенияиSвнести в табл.1;

в) построить графики зависимости и.

Таблица 2

Параметры	H11Э	H12Э	H21Э	H22Э	rЭ	rб	rК			S
Размерность
Паспортные значения
Расчетные значения