Лекции_9_VT_унипол(полев) транзистор
.pdf
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
В результате полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть четырех типов:
•канал n-типа, встроенный;
•канал n-типа, индуцированный;
•канал р-типа, встроенный;
•канал р-типа, индуцированный.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Условные схематичные изображения ПТ с изолированным затвором, канал n-типа.
|
|
|
С |
|
С |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
З |
|
П |
З |
|
|
|
П |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
И |
И |
индуцированный встроенный
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Условные схематичные изображения ПТ с изолированным затвором, канал р-типа.
|
|
|
С |
|
С |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
З |
|
П |
З |
|
|
|
П |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
И |
И |
индуцированный встроенный
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Условное обозначение полевых транзисторов состоит из ряда букв и цифр, пример транзистор КП302А.
-Первая буква указывает материал, из которого изготовлен прибор (К - кремний, А - арсенид галлия).
-Вторая буква, П, указывает на принадлежность к группе полевых транзисторов.
-Первая цифра указывает на допустимую рассеиваемую мощность и максимальную рабочую частоту.
-Двухзначный номер – номер разработки транзистора.
-Пятая буква соответствует разбраковке по параметрам.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Транзистор КП302А: К – кремниевый; П – полевой;
3 - малой мощности, высокочастотный.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Устройство полевого транзистора типа ПТУП
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
В таком транзисторе (ПТУП) затвор выполнен в виде обратно смещенного р-n-перехода. Изменение обратного напряжения на затворе позволяет регулировать ток в канале.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Увеличение обратного напряжения на затворе (Uзи) приводит к снижению проводимости канала, поэтому полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом работают только на обеднение канала носителями зарядов.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Условное схематическое изображение полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом.
|
С |
|
С |
|
|
||
|
|
|
|
З |
З |
И |
И |
n-канал |
p-канал |
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Таким образом, полный набор разновидностей полевых транзисторов, имеющихся в справочной литературе, исчерпывается шестью видами.
1.ПТИЗ со встроенным n-каналом;
2.ПТИЗ с индуцированным n-каналом;
3.ПТИЗ со встроенным p-каналом;
4.ПТИЗ с индуцированным p-каналом;
5.ПТУП с n-каналом;
6.ПТУП с p-каналом.