Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекции_9_VT_унипол(полев) транзистор

.pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
23.02.2015
Размер:
703.08 Кб
Скачать

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

для которой можно найти напряжение на нагрузке

SRн

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

откуда

н

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Уточненная схема замещения ПТ для малых сигналов

З

iз

iс

С

 

 

 

 

 

Y12u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y11

 

 

 

 

 

 

Y22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

uси

uзи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

И

 

 

 

 

 

Y21uзи

 

 

И

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Этой схеме замещения соответствуют уравнения,

которые называют уравнениями ПТ в y-параметрах:

uси

uси

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Физический смысл параметров

При коротком замыкании на выходе (Uc=0) находим

два параметра:

c uзи

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

При коротком замыкании на входе (Uзи=0) находим

два других параметра:

ic u

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Из уравнений следует, что:

y11 – является проводимостью утечки затвора ПТ:

y22 – выходная проводимость ПТ;

y12 – проводимость обратной передачи и учитывает

влияние напряжения на стоке на ток затвора;

y21=S – это крутизна ПТ (или проводимость прямой передачи).

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

В справочниках по ПТ обычно приводятся не все, а

только некоторые из рассмотренных характеристик. Всегда

приводится значение крутизны ВАХ S.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Динамические характеристики

полевых транзисторов

Динамические характеристики ПТ по-разному описывают их поведение в ключевом и линейном

(усилительном) режимах работы.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

1. В усилительном режиме ПТ рассматриваются его

малосигнальные схемы замещения, по которым определяют

частотные зависимости токов и напряжений.

2. В ключевом режиме более существенными

являются времена включения и выключения транзистора,

максимальная частота его коммутации и искажения фронтов

импульсов.