Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1 часть / Оже-спектр / оже-спектр..ppt
Скачиваний:
140
Добавлен:
12.03.2015
Размер:
3.26 Mб
Скачать

Определение толщин покрытий.

Метод, реализованный на основе прибора Calotest Cat-S-AX- 0000, позволяет:

- определять толщины покрытий, в том числе и многослойных, с точностью 0,1 мкм.

- получать сферические шлифы.

Исследуемые поверхности: плоские или цилиндрические.

Внешний вид прибора Calotest Cat-S-AX-0000

Изображение шлифа

Схема вторично-ионного спектрометра. 1-исследуемый образец: 2-первичные пучок ионов; 3-вторичный пучок ионов; 4- знергоанализатор; 5- масс-сепаратор; 6- система регистрации.

Вторично-ионная масс-спектроскопия

Метод энерго-масс-спектрометрии вторичных ионов.

1.Определение элементного и изотопного состава проводящих и непроводящих твердых веществ с чувствительностью до 10-8 атомных процентов.

2.Определение фазового состава и исследование межфазных взаимодействий в соединениях, сплавах, тонкопленочных структурах, используя регистрацию и анализ кластерных, а также молекулярных ионов и данные энергоанализа вторичных ионов.

3.Исследование распределения элементного и фазового состава при изучении физико- химических свойств тонких пленок, границ раздела, модифицированных имплантацией поверхностей и т.д. Исследование диффузионных процессов.

Результаты исследования бор-силикатного стекла методом ЭМСВИ

Интенсивность / , отн.ед.

 

 

 

 

а)

120

 

B+

 

 

 

 

 

 

C+

 

80

 

 

 

 

 

H+

 

40

 

 

 

0

200

400

600

 

Толщина d, нм

 

Интенсивность I+, усл.ед.

60

 

 

 

б)

 

 

 

 

50

 

 

 

3

 

 

 

 

40

 

 

 

2

 

 

 

 

30

 

 

 

4

 

 

 

 

20

 

 

 

1

 

 

 

 

10

 

 

 

 

00

20

40

60

80 100120

 

 

 

Энергия Е, эВ

Результаты послойного анализа БСС методом ЭМСВИ: а) изменение токов вторичных ионов в зависимости от глубины; б) энергетические спектры Si+, зарегистрированные на глубине: 1 - 30 нм, 2 - 75 нм, 3 - 400 нм, 4 - 500 нм.

ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ электронная (ЭОС), раздел спектроскопии, изучающий энергетич. спектры оже-электронов, которые возникают при облучении исследуемого вещества электронным пучком. ЭОС широко используется для определения элементного состава газов и пов-сти твердых тел, для изучения электронного строения и хим. состояния атомов в пробе.

Оже-эффект заключается в следующем. Под действием ионизирующего излучения на одном из внутр. электронных уровней (напр., К-уровне) атома образуется вакансия, на к-рую

переходит электрон с более высокого уровня (напр., L3-подуровня). Возникший при переходе электрона избыток энергии может привести к испусканию рентгеновского фотона (излучат. переход) или к выбрасыванию еще одного электрона, напр. с подуровня L1 (безызлучат. переход). Этот электрон называют оже-электроном, а его кинетич. энергия Е определяется ур-нием: Е = Ек — EL1 - EL3 , где Ек, EL1 и EL3-энергии связи электронов на уровнях К, L1, и L3 соотв. (с учетом влияния ионизации атома). Рассмотренный оже-переход обозначается KL1L3. Существуют и др. переходы, напр. типа LMM, MNN, KLM. Оже-эффект наблюдается у всех элементов периодич. системы, начиная с Li, причем его вероятность для легких элементов достигает 0,99 и убывает с увеличением порядкового номера. В твердом теле наряду с переходами между внутр. уровнями атома наблюдаются переходы (типа LMV, LVV и т.д.) с участием электронов валентной зоны.

Спектры оже-электронов регистрируют с помощью оже-спектрометров, к-рые состоят из источника ионизирующего излучения, камеры для размещения исследуемых образцов, энергоанализатора и детектора электронов. В качестве ионизирующего излучения используют электронные пучки с энергией от 3 до 10 кэВ, а в приборах с пространств. разрешением менее 0,1 мкм-с энергией выше 10 кэВ. Для измерения кинетич. энергии электронов применяют дисперсионные электростатич. энергоанализаторы (с цилиндрич. или полусферич.электродами), к-рые обеспечивают высокое энергетич. разрешение (DE/E)·100 ~ 0,05%. Для детектирования электронов служат электронные умножители (в частности, каналтроны), имеющие высокую эффективность счета низкоэнергетич. электронов при малом уровне фона. Оже-спектрометры дают возможность получать энергетич. спектры в виде зависимостей N(E)-E и [dN(E)/dE]-E (рис. 1), где N(E)- выход (или интенсивность тока) оже-электронов, равный числу оже-электронов, испускаемых исследуемым объектом в единицу времени.

По спектрам оже-электронов можно проводить качеств. и количеств. элементный анализ пробы. Для этого пользуются спектрами в координатах [dN(E)/dE]-E, к-рые обеспечивают более высокую чувствительность и точность анализа. Элемент, присутствующий в пробе, идентифицируют по значению кинетич. энергии Е оже-электронов, поскольку эта величина зависит только от энергии связи электроновна электронных уровнях, и, следовательно, определяется природой атомов. Кроме того, форма оже-пиков в спектре чувствительна к хим. состоянию атомов, что наиб. четко проявляется в случае переходов с участием электронов валентной зоны (рис. 2).

Концентрацию элемента в пробе можно оценить по интенсивности его пика в оже-спектре. Для этого обычно применяют метод внеш. стандарта (эталона) или безэталонный метод. В первом случае интенсивность Ii пика i-го элемента в оже-спектре пробы сравнивают с интенсивностью Ii, соответствующего пика в оже-спектре стандартного образца или с

интенсивностью пика оже-спектра чистогосеребра. Концентрацию Ci i-ro элемента рассчитывают по ф-лам: или соотв., где ai,Ag-фактор элементной чувствительности; ai,Ag =. В безэталон ном методе расчет ведут по ф-ле:

,где Ij-интенсивность пика j-го элемента в оже-спектре пробы (ji). Погрешность анализа рассмотренными методами составляет 10-15%, а чувствительность при определении разл. элементов варьирует от 0,01 до 1 ат. %.

Толщина анализируемого слоя пов-сти твердого тела определяется глубиной выхода оже-электронов, к-рая зависит от их энергии и, напр., для разных металлов составляет 0,5-2,0 нм. В связи с малой глубиной выхода оже-электронов, загрязнение исследуемой пов-сти адсорбир. атомами вносит существ. погрешность в результаты анализа. Поэтому в спектрометрах создают глубокий вакуум (10-6-10-8Па). Кроме того, оже-спектрометры снабжают ионными пушками (источниками ионов инертных газов), к-рые используют для очистки исследуемой пов-сти и проведения послойного анализа. Оже-спектрометры для анализа газов имеют вакуумную систему, к-рая обеспечивает одновременно относительно высокое давление (1-10 Па) исследуемого газа в камере образцов и низкое давление(~10-6Па) в измерит. камере.

Оже-эффект открыл П. Оже в 1923; для аналит. целей впервые его использовал Дж. Ландер в 1953.

Лит.: Карлсон Т., Фотоэлектронная и оже-спектроскопия, пер. с англ., Л., 1981; Электронная и ионная спектроскопия твердых тел, пер. с англ., под ред. В. И. Раховского, М., 1981. B.C. Сергеев.

• Толщина анализируемого слоя пов-сти твердого тела определяется глубиной выхода оже-электронов, к-рая зависит от их энергии и, напр., для разных металлов составляет 0,5-2,0 нм. В связи с малой глубиной выхода оже-электронов, загрязнение исследуемой пов-сти адсорбир. атомами вносит существ. погрешность в результаты анализа. Поэтому в спектрометрах создают глубокий вакуум (10-6-10-8Па). Кроме того, оже- спектрометры снабжают ионными пушками (источниками ионов инертных газов), к-рые используют для очистки исследуемой пов-сти и проведения послойного анализа. Оже-спектрометры для анализа газов имеют вакуумную систему, к-рая обеспечивает одновременно относительно высокое давление (1-10 Па) исследуемого газа в камере образцов и низкое давление(~10-6Па) в измерит. камере.

Концентрацию элемента в пробе можно оценить по интенсивности его пика в оже-спектре. Для этого обычно применяют метод внеш. стандарта (эталона) или безэталонный

метод. В первом случае интенсивность Ii пика i-го элемента в оже-спектре пробы сравнивают с интенсивностью Ii, соответствующего пика в оже-спектре стандартного образца или с интенсивностью пика оже-спектра чистогосеребра. Концентрацию Ci i-ro элемента рассчитывают по ф-

лам: или соотв., где ai,Ag-фактор элементной чувствительности; ai,Ag =. В безэталон ном методе расчет ведут по ф-ле:

,где Ij-интенсивность пика j-го элемента в оже-спектре пробы (ji). Погрешность анализа рассмотренными методами составляет 10- 15%, а чувствительность при определении разл. элементов варьирует от 0,01 до 1 ат. %.

По спектрам оже-электронов можно проводить качеств. и количеств. элементный анализ пробы. Для этого пользуются спектрами в координатах [dN(E)/dE]-E, к- рые обеспечивают более высокую чувствительность и точность анализа. Элемент, присутствующий в пробе, идентифицируют по значению кинетич. энергии Е оже- электронов, поскольку эта величина зависит только от энергии связи электроновна электронных уровнях, и, следовательно, определяется природой атомов. Кроме того, форма оже-пиков в спектре чувствительна к хим. состоянию атомов, что наиб. четко проявляется в случае

переходов с частием электронов валентной зоны (рис. 2).

Для измерения кинетич. энергии электронов применяют дисперсионные электростатич. энергоанализаторы (с цилиндрич. или полусферич.электродами), к-рые обеспечивают высокое энергетич. разрешение (DE/E)·100 ~ 0,05%. Для детектирования электронов служат электронные умножители (в частности, каналтроны), имеющие высокую эффективность счета низкоэнергетич. электронов при малом уровне фона. Оже-спектрометры дают возможность получать энергетич. спектры в виде зависимостей N(E)-E и [dN(E)/dE]-E (рис. 1), где N(E)- выход (или интенсивность тока) оже-электронов, равный числу оже-электронов, испускаемых исследуемым объектом в единицу времени.

Соседние файлы в папке Оже-спектр