Графический материал

Входные характеристики ВАХ в схеме ОБ При

При Рис. 6 Входная ВАХ в схеме ОБ

Рис. 7 Входная ВАХ в схеме ОБ

Выходные характеристики ВАХ в схеме ОБ

Рис. 8 Выходные ВАХ в схеме ОБ

Распределение донорной и акцепторной примеси в транзисторе

Рис. 9 Распределение донорной и акцепторной примеси

Распределение примесей в логарифмическом масштабе

Рис. 10 Распределение примесей в логарифмическом масштабе

Рассчитанные параметры транзистора

Нормальный коэффициент передачи 0,949

Инверсный коэффициент передачи 8.969Е-3

Коэффициент передачи в подложку 0,155

Начальный диффузионный ток эмиттерного перехода (A) 2,033Е-19

Начальный диффузионный ток коллекторного перехода (А) 6,411E-19

Начальный диффузионный ток скрытого слоя (А) 5,632E-11

Сопротивление базовой области (кОм) 0,252

Сопротивление коллекторной области (Ом*10⁴) 4,526

Сопротивление эмиттерной области (Ом) 25.875

Ёмкость эмиттерной области (Ф) 3,211Е-14

Ёмкость коллекторной области (Ф) 2,57Е-15

Ёмкость изолирующего перехода (Ф) 3,468Е-14

Предельная частота коэффициента передачи тока (ГГц) 0,3832

Вывод

В данной работе мы изучили структуру биполярного транзистора, его вольт-амперные характеристики.

Построили графики: входных и выходных ВАХ, распределение примесей и топологию транзистора.

Получили качественно ожидаемые результаты.

В ходе проделанной работе можно сделать следующие выводы:

1. Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе.

2. Также основные свойства биполярного транзистора определяются соотношениями токов и напряжений в различных его цепях и взаимным их влиянием друг на друга.

Транзистор может работать на постоянном и переменном сигнале, большом переменном сигнале и импульсном сигнале.

Чтобы рассмотреть работу транзистора на постоянном токе, необходимо изучить стационарные потоки носителей в нем. Это дает возможность получить статические характеристики и статические параметры транзистора - соотношения между его постоянными и переменными токами и напряжениями, выраженные графически или в виде численных значений.

Список используемой литературы:

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб., ЛАНЬ, 2000.

2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов,1980,1990.

3. Бялик А.Д., Макаров Е.А., Усольцев Н.В. Твердотельная электроника. Методическое руководство. НГТУ, 2006.

4. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы,1990.

5. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Г. Основы микроэлектроники.- М.: Радио и связь, 1991.

25