- •1.5. Зонные диаграммы собственных и примесных
- •Внешнее напряжение изменяет не только потенциал , но и ширину обедненной области, а также зонную диаграмму на p-n-переходе. Для обратного напряжения ширина обедненной зоны будет увеличиваться
- •Зонная диаграмма на p-n-переходе при подключении внешнего напряжения тоже изменяется. При прямом напряжении искривление зон уменьшается, а при обратном – увеличивается.
- •1.9.4. Количественная оценка изменения концентрации
- •1.9.6. Реальная вах
- •1.9.7.2. Лавинный пробой
- •1.9.7.3. Тепловой пробой
- •2.1.1. Выпрямительные диоды
- •2.1.2. Кремниевый стабилитрон
- •2.1.3. Туннельный диод
- •2.2.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •2.2.3. Схемы включения транзистора
- •2.2.3.1. Схема включения транзистора с об
- •2.2.3.1. Схема включения транзистора с об
- •2.2.3.2. Схема включение транзистора с оэ
- •2.2.3.3. Схема включения транзистора с ок
- •2.2.3.4. Сравнительный анализ трех схем включения
- •3.3.2.1. Мдп-транзистор со встроенным каналом
- •3.3.2.2. Мдп-транзисторы с индуцированным каналом
- •15. Стабилизация рабочей точки а. Эммитерная и коллекторная схемы стабилизации.
- •18. Классы усиления
- •20. Трансформаторный 2-тактный усилитель мощности.
- •21. Бестрансформаторый 2-тактный ум.
- •1.4. Логические элементы (лэ)
- •1.4.1. Общие сведения о логических элементах
- •1.4.2. Системы кодирования двоичных сигналов
- •1.4.3. Простейшие логические элементы и логические функции
- •1.4.4. Параметры логических элементов
- •1.6. Транзисторно-транзисторная логика
- •1.6.1. Традиционные базовые элементы ттл
- •30. Асинхронный rs-триггер на или-не, и-не лог. Элементах.
- •2.3.1. Асинхронный rs-триггер, тактируемый уровнем
- •31-32. Синхронизованный по уровню rs-триггер на и-не лог. Элементах.
- •2.3.2. Синхронный rs-триггер, тактируемый уровнем
- •2.6. Синхронный rs-триггер, тактируемый фронтом
- •33. Синхронизованный по уровню т-триггер на и-не лог. Элементах. По ms схеме.
- •2.8. Т-триггер, тактируемый фронтом
- •34. Универсальный jk триггер
- •2.9. Синхронный jk-триггер, тактируемый фронтом
- •2.9.1. Схема и ее работа
- •35. Счетчики импульсов. Классификация, параметры. Суммирующий последовательный счетчик импульсов.
- •4.1. Общие сведения о счетчиках
- •4.2. Последовательные счетчики
- •4.2.1. Последовательные счетчики
- •36. Двоичный вычитающий и реверсивный последовательные двоичные счетчики импульсов.
- •4.2.2. Последовательные счетчики со сквозным переносом
- •37. Недвоичные счетчики
- •4.4.1. Двоично-десятичный счетчик
- •38. Параллельные и сдвиговые регистры.
- •3. Регистры
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Разряд регистра
- •3.3. Параллельные регистры
- •3.4. Сдвиговые регистры
- •39. Цифровые устройства комбинационного типа. Полусумматор. Полный сумматор.
- •5.3. Сумматоры
- •5.3.1. Полусумматор
- •5.3.2. Полный сумматор (sm)
- •40. Последовательный, многоразрядный сумматор.
- •5.3.3. Многоразрядные сумматоры
1.9.7.3. Тепловой пробой
В основе теплового пробоя лежит саморазогрев p-n-перехода при достижении обратного тока определенной величины. Как известно, мощность потерь и вся эта мощность переходит в тепло, а с увеличением температуры растет тепловой токI0, что приводит к возрастанию потерь. Начинается тепловой пробой только после появления туннельного или лавинного пробоев (рис. 1.24). Этот пробой необратим и приводит к разрушению p-n-перехода. При увеличении температуры напряжение пробоя уменьшается.
Типы диодов. Выпрямительные, стабилитроны, туннельные.
Полупроводниковым диодом называется p-n-переход, помещенный в герметизированный корпус и имеющий два вывода. В зависимости от технологии их изготовления, различают плоскостные, точечные, микросплавные, микросварные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные и др. По функциональному назначению диоды делятся на выпрямительные, опорные (кремниевые стабилитроны), туннельные, высокочастотные, импульсные, Шоттки и т.д.
2.1.1. Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды получаются, как правило, двумя методами: сплавным и диффузионным. При сплавном методе в кристалл кремния или германия, имеющего n-проводимость, вплавляется акцептор (индий, алюминий и т.д.), а при диффузионном методе происходит диффузия примеси при высокой температуре, из среды, содержащей пары примесного материала. Отличительной особенностью выпрямительных диодов является большая площадь p-n-перехода, что позволяет пропускать через переход большие токи (от сотен мА до сотен А).
Основной характеристикой выпрямительного диода является вольтамперная характеристика (ВАХ), такая же, как у p-n-перехода, т.е. в прямой ветви большой ток при малых напряжениях, а в обратной ветви – большое напряжение при малом обратном токе. К основным параметрам выпрямительных диодов следует отнести:
– максимально допустимый средний прямой ток диода;
– среднее прямое напряжение диода;
– максимально допустимое обратное напряжение диода;
– максимальный обратный ток диода.
По этим параметрам, как правило, выбирается диод в схему выпрямителя. Основное назначение – выпрямительные силовые установки для создания источников вторичного питания. Схема включения диода представлена на рис. 2.1.
Если на вход подано синусоидальное напряжение, то при одной полуволне этого напряжения диод открыт, и ток протекает через нагрузку, а при другой – диод закрыт, и ток через нагрузку не протекает (рис. 2.2). Такая форма тока (напряжения) называется пульсирующей и характеризуется средним значением или постоянной составляющей. Более подробно схемы выпрямления будут рассмотрены в разделе «Источники вторичного питания».
2.1.2. Кремниевый стабилитрон
Кремниевый стабилитрон или опорный диод относится к классу плоскостных диодов, но в отличие от выпрямительного диода в обратной ветви его формируется электрический пробой и рабочим участком является участок обратной ветви ВАХ в области пробоя (рис. 2.3).
Как видно из рис. 2.3, в области пробоя напряжение на стабилитроне практически остается неизменным при значительном изменении тока через стабилитрон. Это позволило использовать стабилитрон в схемах стабилизации постоянного напряжения. Схема включения стабилитрона представлена на рис. 2.4.
Стабилитрон подключается параллельно нагрузке и последовательно с добавочным сопротивлением, на котором падает практически все изменение входного напряжения. При этом напряжение на нагрузке изменяется незначительно.
Сопротивление Rдоб может быть рассчитано следующим образом. По второму закону Кирхгофа
,
тогда
,
где ;;берутся из справочных данных.
Основные параметры стабилитрона:
– напряжение стабилизации номинальное – ;
– минимальный ток стабилизации – ;
– максимальный ток стабилизации – ;
– дифференциальное сопротивление – ;
– температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН = = , где– изменение температуры;– изменения напряжения на стабилитроне.