- •1.5. Зонные диаграммы собственных и примесных
- •Внешнее напряжение изменяет не только потенциал , но и ширину обедненной области, а также зонную диаграмму на p-n-переходе. Для обратного напряжения ширина обедненной зоны будет увеличиваться
- •Зонная диаграмма на p-n-переходе при подключении внешнего напряжения тоже изменяется. При прямом напряжении искривление зон уменьшается, а при обратном – увеличивается.
- •1.9.4. Количественная оценка изменения концентрации
- •1.9.6. Реальная вах
- •1.9.7.2. Лавинный пробой
- •1.9.7.3. Тепловой пробой
- •2.1.1. Выпрямительные диоды
- •2.1.2. Кремниевый стабилитрон
- •2.1.3. Туннельный диод
- •2.2.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •2.2.3. Схемы включения транзистора
- •2.2.3.1. Схема включения транзистора с об
- •2.2.3.1. Схема включения транзистора с об
- •2.2.3.2. Схема включение транзистора с оэ
- •2.2.3.3. Схема включения транзистора с ок
- •2.2.3.4. Сравнительный анализ трех схем включения
- •3.3.2.1. Мдп-транзистор со встроенным каналом
- •3.3.2.2. Мдп-транзисторы с индуцированным каналом
- •15. Стабилизация рабочей точки а. Эммитерная и коллекторная схемы стабилизации.
- •18. Классы усиления
- •20. Трансформаторный 2-тактный усилитель мощности.
- •21. Бестрансформаторый 2-тактный ум.
- •1.4. Логические элементы (лэ)
- •1.4.1. Общие сведения о логических элементах
- •1.4.2. Системы кодирования двоичных сигналов
- •1.4.3. Простейшие логические элементы и логические функции
- •1.4.4. Параметры логических элементов
- •1.6. Транзисторно-транзисторная логика
- •1.6.1. Традиционные базовые элементы ттл
- •30. Асинхронный rs-триггер на или-не, и-не лог. Элементах.
- •2.3.1. Асинхронный rs-триггер, тактируемый уровнем
- •31-32. Синхронизованный по уровню rs-триггер на и-не лог. Элементах.
- •2.3.2. Синхронный rs-триггер, тактируемый уровнем
- •2.6. Синхронный rs-триггер, тактируемый фронтом
- •33. Синхронизованный по уровню т-триггер на и-не лог. Элементах. По ms схеме.
- •2.8. Т-триггер, тактируемый фронтом
- •34. Универсальный jk триггер
- •2.9. Синхронный jk-триггер, тактируемый фронтом
- •2.9.1. Схема и ее работа
- •35. Счетчики импульсов. Классификация, параметры. Суммирующий последовательный счетчик импульсов.
- •4.1. Общие сведения о счетчиках
- •4.2. Последовательные счетчики
- •4.2.1. Последовательные счетчики
- •36. Двоичный вычитающий и реверсивный последовательные двоичные счетчики импульсов.
- •4.2.2. Последовательные счетчики со сквозным переносом
- •37. Недвоичные счетчики
- •4.4.1. Двоично-десятичный счетчик
- •38. Параллельные и сдвиговые регистры.
- •3. Регистры
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Разряд регистра
- •3.3. Параллельные регистры
- •3.4. Сдвиговые регистры
- •39. Цифровые устройства комбинационного типа. Полусумматор. Полный сумматор.
- •5.3. Сумматоры
- •5.3.1. Полусумматор
- •5.3.2. Полный сумматор (sm)
- •40. Последовательный, многоразрядный сумматор.
- •5.3.3. Многоразрядные сумматоры
2.2.2. Принцип действия биполярного транзистора
Для того чтобы транзистор работал в усилительном (активном) режиме, необходимо, чтобы переход эмиттер–база (эмиттерный переход) был открыт, т.е. на него было подано прямое напряжение, а переход коллектор–база (коллекторный переход) был закрыт, т.е. на него было подано обратное напряжение (рис. 2.28, а,б).
Рассмотрим принцип работы диффузионного транзистора. Если приложены напряжения Uэб и Uкб, то в этом случае эмиттерный переход откроется и электроны будут инжектировать в базу, а дырки из базы – в эмиттер. Однако концентрация электронов в эмиттере значительно больше, чем дырок в базе, поэтому инжекция будет носитель односторонний характер – из эмиттера в базу. Вблизи эмиттерной области в базе появится большое количество электронов, которые вследствие диффузионных сил (концентрация в коллекторе меньше, чем в эмиттере) начнут направленно двигаться к коллектору. Поскольку база имеет очень малую ширину, то время пробега электрона по базе оказывается меньше времени рекомбинации электрона в базе, что позволяет подавляющему большинству электронов, инжектированных из эмиттера в базу, достичь коллекторного перехода (98 % и более). К коллекторному переходу приложено обратное напряжение, а электроны в базе не основные носители, поэтому для них электрическое поле коллектора будет ускоряющим, и электроны из базы перейдут в коллектор, образуя ток коллектора. Если теперь изменять ток эмиттера, то будет меняться и ток коллектора. Таким образом в трехслойной структуре появилась возможность управлять выходным током (током коллектора), меняя входной ток (ток эмиттера), при этом ток коллектора не зависит от напряжения на коллекторе, а определяется током эмиттера. Небольшая часть электронов, которая рекомбинировалась в базу, образует базовый ток, который является разницей между током эмиттера и током коллектора
Iб = Iэ – Iк
или
Iэ = Iк + Iб. (2.1)
Это токовое уравнение транзистора выполняется не только для абсолютных величин тока, но и для их изменений.
dIэ = dIк + dIб. (2.2)
Однако следует подчеркнуть, что уравнения (2.1) и (2.2) справедливы только для усилительного режима. Учитывая, что Iк >> Iб, часто в расчетных формулах применяется, что Iэ Iк.
Напряжение Uэб приложено в прямой полярности, поэтому его величина и приращение составляют десятые доли вольт, а напряжение Uкб – в обратной полярности и может составлять десятки, сотни вольт, а ток Iэ Iк. Следовательно, мощность на входе транзистора (на эмиттер–базовом переходе) значительно меньше мощности на выходе транзистора (на коллектор–базовом переходе). Это позволяет сделать вывод, что транзистор является усилительным элементом. Следует отметить, что в такой схеме включения транзистора усиление происходит только по мощности, а по току усиления нет (Iк < Iэ, dIк < dIэ). Для того, чтобы было усиление сигнала по напряжению, необходимо в цепь коллектора включить добавочное сопротивление, величина которого должна быть больше, чем сопротивление открытого база–эмиттерного перехода (рис. 2.27).
Если принять Uэб = Uвх, а IкRдоб = Uвых, то коэффициент усиления по напряжению может быть найден следующим образом:
,
,
.
Принимая , получим
.
Так как , тобудет больше единицы или транзистор усилит входной сигнал не только по мощности, но и по напряжению.