лаба 3(ЭиМТ)
.docxГУАП
КАФЕДРА №
ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
должность, уч. степень, звание |
|
подпись, дата |
|
инициалы, фамилия |
|
ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ |
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |
по курсу: Электроника и микропроцессорная техника |
|
|
|
|
РАБОТУ ВЫПОЛНИЛИ
|
СТУДЕНТЫ ГР. |
2231 |
|
|
|
|
|
|
|
|
подпись, дата |
|
инициалы, фамилия |
Санкт-Петербург
1.Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2.Паспортные данные исследуемых транзисторов
2.1. КП103
КП103К1 / КП103Л1 - Кремниевые полевые транзисторы с управляющим P-N переходом и каналом P-типа. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых схемах.
Условное обозначение транзистора КП103:
Основные характеристики КП103 (+25°C):
|
Параметр |
КП103К1 |
КП103Л1 |
|
Максимальное напряжение сток-исток |
10V |
12V |
|
Максимальное напряжение затвор-исток |
10V |
|
|
Ток утечки затвора |
0,02µA |
|
|
Начальный ток стока |
1,0..5,5mA |
1,8..6,6mA |
|
Напряжение отсечки |
1..4V |
2..6V |
|
Крутизна характеристики |
1..3,3mA/V |
1,8..3,8mA/V |
|
Максимальная мощность |
38mW |
66mW |
|
Входная ёмкость |
< 20pF |
|
|
Проходная ёмкость |
< 8pF |
|
|
Коэффициент шума |
< 3dB |
|
|
Максимальная рабочая частота |
3MHz |
|
|
Максимальная температура |
+85°С |
|
2.1. КП103
КП301Б - транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Основные характеристики КП301Б (+25°C):
|
Параметр |
КП301Б |
|
Максимальное напряжение сток-исток |
20 В |
|
Максимальное напряжение затвор-исток |
30 В |
|
Начальный ток стока |
< 0,5 мкА |
|
Крутизна характеристики |
1... 2,6 мА/В |
|
Максимальная мощность |
200 мВт |
|
Входная ёмкость |
< 3,5 пФ |
|
Проходная ёмкость |
< 1 пФ |
|
Коэффициент шума |
< 9,5 |
|
Максимальная рабочая частота |
100 МГц |
3.Схемы измерения характеристик.
3.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
3.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором
4.Результаты измерений.
4.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
|
UСИ, В |
IC, мА |
||||
|
UЗИ=0 В |
UЗИ=0,2 В |
UЗИ=0,4 В |
UЗИ=0,6 В |
UЗИ=0,8 В |
|
|
0 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
|
-1 |
0,82 |
0,42 |
0,20 |
0,05 |
0,00 |
|
-2 |
0,92 |
0,46 |
0,22 |
0,06 |
0,00 |
|
-3 |
0,96 |
0,48 |
0,24 |
0,07 |
0,00 |
|
-4 |
0,99 |
0,5 |
0,25 |
0,08 |
0,00 |
|
-5 |
1,02 |
0,53 |
0,25 |
0,08 |
0,00 |
|
-6 |
1,05 |
0,54 |
0,27 |
0,09 |
0,00 |
|
-7 |
1,06 |
0,55 |
0,28 |
0,10 |
0,00 |
|
-8 |
1,08 |
0,57 |
0,29 |
0,10 |
0,00 |
4.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором
|
UСИ, В |
UЗИ ПОР=2,8 В |
UЗИ=3,3 В |
UЗИ=3,8 В |
UЗИ=4,3 В |
UЗИ=4,8 В |
UЗИ=5,3 В |
UЗИ=5,8 В |
|
0 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
0,00 |
|
-1 |
0,20 |
0,40 |
0,70 |
1,00 |
1,15 |
1,50 |
1,60 |
|
-2 |
0,25 |
0,50 |
0,90 |
1,35 |
1,65 |
2,10 |
2,40 |
|
-3 |
0,25 |
0,60 |
1,00 |
1,60 |
2,00 |
2,50 |
3,00 |
|
-4 |
0,30 |
0,60 |
1,10 |
1,65 |
2,15 |
2,90 |
3,40 |
|
-5 |
0,30 |
0,65 |
1,15 |
1,70 |
2,30 |
3,00 |
3,60 |
|
-6 |
0,30 |
0,70 |
1,20 |
1,80 |
2,40 |
3,20 |
3,80 |
|
-7 |
0,30 |
0,70 |
1,20 |
1,90 |
2,45 |
3,30 |
3,95 |
|
-8 |
0,30 |
0,70 |
1,25 |
1,90 |
2,50 |
3,35 |
4,00 |
5. Графики по данным измерений
5.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
5.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором
6.Результаты вычислений
6.1.Характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
6.2.Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором
6.Выводы:
В результате работы были изучены принцип действия, измерены характеристики и определены основные параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2014