Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

КЛЕВО_FPGA

.pdf
Скачиваний:
35
Добавлен:
14.04.2015
Размер:
8.21 Mб
Скачать

Глава 13. Цифровые ЗУ

В качестве примера представлена схема TMS416400. Это DARM имеет емкость 4М х 4 бит. Данные в каждой ячейке ЗУ должны ре­ генерироваться каждые 64 мс. В эту схему строчные и столбцевые адреса должны загружаться через те же самые контактные площад­ ки, чтобы схема была достаточно малой площади. Как показано на принципиальной схеме (рис. 13.11) в TMS416400 для выборки столб­ цов используется 10 бит и для выборки строк 12бит. Для введения строчных адресов используется контактная площадка ^RAS (row address strobe, выборка строчных адресов), а для введения столбцевых адресов контактная площадка ^CAS (column address strobe, выборка столбцевых адресов). С помощью усилителя записи и счи­ тывания вводятся и считываются слова длиной 4 бита.

 

 

строчный

строчный

 

 

 

 

 

адресный

 

 

 

 

 

буфер

декодер

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вход/выход

Л,

4h

ы

 

 

усилитель

данных

Р

матрица ЗУ

DQo

 

записи

Ли

 

 

 

и

D(2^ >

 

 

 

Считываний

 

 

 

 

 

I I I М I I М 1 I I I

 

 

 

 

 

 

 

и

декодер

 

-JUS

 

 

 

столбцевойстолбцов

 

-^CAS

 

 

 

 

адресный

 

 

 

 

 

 

 

буфер

 

Рис. 13.11. Принципиальная схема DRAM с емкостью 4М х 4 бит (TMS416400).

Логический символ TMS416400 показан на рис. 13.12.

По индикации зависимости можно видеть, что -^RAS (с инди­ кацией зависимости С20) использует адресные шины от AQ ДО АЦ (индикация зависимости 21).

Считывание

Временная диаграмма процесса считывания показана на рис. 13.13. Вначале следует подать строчные адреса, которые вводятся спада­ ющим фронтом сигнала -^RAS. Затем подается адрес столбца, ко­ торый вводится спадающим фронтом сигнала -^CAS. В логическом

13.9. Динамическое RAM

символе эти взаимозависимости можно определить на основе обозна­ чений С20 и (721. С приложением ->WR — 1 начинается время до­ ступа адреса t^^, по окончании которого находится значащие дан­ ные. Если при спадающем фронте сигнала -^CAS (цифра 21) вход­ ной сигнал -^RAS = О (цифры 23 и 24) и входной сигнал -^ОЕ = О (цифра 25). Эта взаимозависимость представлена в нижнем прямо­ угольнике внутри обрамления символа.

RAM4194Kx4 TMS416400

20D10/21 DO \

iV-

 

0

Ai -

 

) А-4194303

Аг-

20D19/21D9

 

Ад -

 

А\о-

20D20

/

А\\-

20D21

-ЛАЗ-

24[PWRDOWN]

 

G23[REFRESH ROW]

'-d>C20[ROW]

 

-,CAS-

G24

 

1-Cf>C21 [COLUMN]

&t> 23C22

23,2ID 24,25EN

-пОЕ- G25

DQo

ZL

J I

A,22D

A,Z26-f

 

uV26

 

 

Рис. 13.12. Логический символ TSM416400.

Область ЗУ, которая может быть найдена, по одному и тому же строчному адресу, обозначают как «страницу». Имеется упро­ щенный способ чтения (англ. page mode), который применяют при желании прочитать повышенное количество данных на одной стра­ нице. При этом после введения строчного адреса остается посто­ янным ->RAS = 0. Для отыскания различных данных на странице соответствующие адреса столбцов многократно варьируются и вво-

Глава 13. Цифровые ЗУ

дятся спадающим фронтом сигнала ^CAS. Еще одно улучшение в TSM416400 достигается за счет того, что вслед за отрицательным фронтом сигнала -^RAS уже начинается оценка адресов столбцов, которые уже могут быть введены вскоре после спадающего фронта -yRAS (после hold time). Связанное с этим повышение скорости обо­ значают как page mode (то есть «улучшенный способ чтения стра­ ницы»). Когда подходит спадающий фронт -^CAS^ декодирование адреса столбца уже началось. Время доступа ^\ля чтения на одной странице при использовании enhanced page mode составляет tcAC и это время короче 1АА-

адресная

П(°^-

!,

адрес

строчный

шина

(I'

столбца

шшшжштш адрес

he

^RAS

L

UA

 

 

 

.CAS

 

1

 

 

к:АС

ПИ L

-.ОЕ

1

 

L

 

 

 

.WR

 

 

 

шина

 

i

значащие

данных

 

 

данные

Рис. 13.13. Цикл считывания TSM416400.

Запись

Для записи вначале вводится строчный адрес, который вводится спадающим фронтом -^RAS. Затем накладывается адрес столбца, который вводится спадающим фронтом сигнала -^CAS.

13.9. Динамическое RAM 305

При записи, как показывает цифра 23 индикации зависимости -^RAS — L. Данные во вход данных вводятся тогда, когда на одном из входов -^CAS или -^WR имеет место уровень L, а на другом входе появляется спадающий фронт. На рис. 13.14 показан случай, при ко­ тором сначала -WR переходит в состояние L и потом спадающий фронт -^CAS вводит данные. Этот случай называется early write. Также как и в триггере, данные должны быть стабильны на входе -^CAS между временем установки (setup time) tus перед спадающим фронтом и временем удержания (hold time) Ьг^н после спадающего фронта.

адресная

DC

строчный

адрес

строчный

шина

адрес

столбца

адрес

^RAS

-.CAS

Р и с . 13.14. Цикл записи (early write) TSM416400.

Если данные вводятся при падающем фронте на -^WR^ то этот процесс называют late write.

Регенерация Каждые 64 мс каждая ячейка ЗУ должна регенерироваться (вос­

станавливать информацию), в противном случае данные будут уте­ ряны. Нормальная операция записи или считывания одного бита в строке вновь регенерирует все биты этой ячейки. Поэтому J\RK ПОЛ-

Глава 13. Цифровые ЗУ

ной регенерации достаточно периодически прочитывать все 4096 строки, выбирая адресные линии от А^ до Ац с помощью счетчика. TSM416400 может быть регенерирован в соответствии со следую­ щей методикой:

Регенерация (refresh) только с помощью RAS

На ^CAS при этом будет оставаться Н. Как показано на изобра­ жении логического символа, для получения низкоомных выходов ->CAS и -^ОЕ должны быть в состоянии L. Отсюда следует, что вы­ ход в этом случае остается низкоомным так, что потери мощности в чипе во время регенерации остаются низкими. Для этой операции регенерации используются адреса, генерируемые дополнительным счетчиком. После каждой смены адресов с помощью ^RAS вводит­ ся новый адрес подлежащей регенерации ячейки.

Скрытая регенерация (hidden refresh).

В этом случае процесс регенерации производиться одновременно с процессом чтения. Но ^CAS после окончания процесса считыва­ ния остается в состоянии L. Вследствие этого, данные на выходе в течение следующей операции остаются действительными и сле­ дующий процесс регенерации не оказывает влияния. Теперь -^RAS переключается циклически между L и Н. Пословные адреса подле­ жащих регенерации ячеек ЗУ генерируются внутри. Регенерация с помощью CAS перед RAS {СAS before RAS). При этом виде реге­ нерации в начале появляется спадающий фронт на -^САЗ^ а затем на ->RAS. Благодаря обратной последовательности сигнализируется прохождение цикла регенерации в схеме ЗУ. Игнорируются прило­ женные извне адреса и применяются адреса подлежащих регенера­ ции строк, взятые из внутреннего счетчика строчных адресов. Для обеспечения последовательности операций -^CAS остается в состо­ янии L и ->RAS циклически переключается между L а Н.

Хранение

Схема может быть установлена в режим хранения, в котором она потребляет очень малую мощность.

13.10. Квазистатическое DRAM

Если в DRAM содержатся средства д^ля проведения регенерации и внутренний счетчик для генерации адресов, то его называют ква­ зистатическим DRAM, поскольку внешне подобное ЗУ функциони­ рует как статическое RAM.

13.11. ЗУ «пооюарная цепочка»

13.11. ЗУ «пожарная цепочка»

ЗУ типа «пожарная цепочка» представляют собой цифровые ЗУ, в которых данные могут запоминаться последовательно. На вход дан­ ные подаются последовательно, с выхода они могут сниматься в той же последовательности. Подобные ЗУ называют также FIFO (first in first out).

ЗУ типа «пожарная цепочка» применяют в качестве буферов, на­ пример, тогда, когда, поток данных должен передаваться в интер­ фейсе между двумя не синхронизированными по тактированию си­ стемами. Если поставляется больше данных, чем считываются, то в этом случае осуществляется промежуточное запоминание данных.

Другой организационной формой является LIFI (last in first out), которое обозначают также как ЗУ магазинного (stack). Структура LIFO аналогична FIFO.

13.1 М . Примеры FIFO

Рассмотрим FIFO с 64 запоминающими ячейками (SN74ACT2226, компания Texas Instruments).

Для того чтобы проводить независимо запись и считывание, в качестве основного элемента ЗУ применено RAM с двумя портами (рис. 13.15). Оно представляет собой ячейку RAM, расширенную за счет второй пары шин. В ЗУ имеются два полностью независимых управляющих порта. На обоих можно проводить считывание одно­ временно. Разумеется, нельзя одновременно считывать одну и ту же ячейку и записывать в нее. Это возможно только А^ЛЯ различных ячеек. Поэтому нужна логика, с помощью которой можно было бы распознавать подобные конфликты.

Для блока FIFO (рис. 13.16) в качестве ЗУ используется RAM с двумя портами, в которой ячейки ЗУ размещены по кругу. Как можно видеть на блок схеме, для считывания и записи применяются раздельные тактовые сигналы {RdClk и WrClk)^ которые не долж­ ны быть синхронными. Для записи данных по входу D требуется, чтобы WrEn = 1 (write enable), чтобы флаг готовности к вводу (input-ready flag) InRdy = 1, чтобы у такта записи WrClk имел место нарастающий фронт. То же самое справедливо для выхода. RdEn = 1, OutRdy = 1 и нарастающий фронт такта считывания RdClk должны появиться для того, чтобы на выходе Q мог быть считан один бит.

Ячейки ЗУ, в которых в данном RAM с двумя портами мо­ гут быть записаны данные, запоминаются в указателе «запись». Он

Глава 13. Цифровые ЗУ

представляет собой блок полупроводникового ЗУ, в котором хра­ нится адрес ячейки ЗУ, в которой будет осуществлена следующая запись. Это будет адрес, который на 1 ниже того, по которому за­ писывали перед этим. В указателе «считывание» хранятся адреса ячеек ЗУ, из которых будет производиться следующее считывание. После процесса считывания указатель производит снижение на 1. Следовательно, запомненные данные стоят между обоими указате­ лями, как это показано на блок-схеме. Дополнительно имеется flag (индикатор) почти заполненного или почти пустого ЗУ {F/F). На­ половину заполненное ЗУ показывает индикатор HF.

DL2

DL,

^DL 1

-DL2

шины данных

шины данных

Рис . 13.15. Принципиальная схема RAM-ячейки с двумя входами.

Вход -1RST (reset) позволяет установить ЗУ в исходное состоя­ ние, то есть стирается.

Логический символ FIFO показан на рис. 13.17.

13.12. Каскадирование ЗУ

Во многих случаях появляется необходимость составления ЗУ из многих схем. Это имеет место, когда:

1.Не хватает емкости ЗУ. Следует различать, когда использу­ ются слишком короткие слова и когда применяется слишком малое количество ячеек ЗУ.

13.13. Увеличение длины слов 309

2.Блок ЗУ должен состоять из энергонезависимых ROM и энер­ гозависимых ЗУ с записью и считыванием.

3.Из-за соображений стоимости необходимо комбинировать бы­ стрые и медленные ЗУ.

D.

 

 

 

 

 

 

 

 

ячейка ЗУ О

 

 

RdEn.

управление

указатель]

ячейка ЗУ 1

 

 

ячейка ЗУ 2

 

 

RdClk.

синхронным

"считыва

 

 

считыванием

ния"

DualPort

 

 

 

 

 

SRAM

 

 

-.RST.

Reset

 

64 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

указатель

ячейка ЗУ 61

 

 

 

 

ячейка ЗУ 62

 

 

WrClk -

управление

"запись"

 

 

ячейка ЗУ 63

 

 

 

 

 

WrEn-

синхронной

 

 

 

 

 

 

 

логикой

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

InRdy

 

 

 

указатель

I

OutRdy

 

 

 

состояний

F/E

 

 

 

 

HF

Рис. 13.16. Блочная схема FIFO-ЗУ SN74ACT2226.

13.13. Увеличение длины слов

Пусть, например, в шине данных должно быть реализовано слово с длиной 8 бит, а в нашем распоряжении имеются схемы ЗУ с длиной слова 4 бит. В этом случае их можно соединить между собой так, как это показано на рис. 13.18. К отдельным схемам (ЗУ адресная шина и шина данных) подводятся идентично. Вход и выход данных первой схемы ЗУ подключена для передачи от нулевого до 3-го бита в шину данных, в то время как вход и выход данных другой схемы ЗУ подсоединены ]\ля передачи по шине данных от 4-го до 7-го битов.

13.14.Увеличение емкости ЗУ

втех случаях, когда число ячеек в ЗУ должно быть увеличено, не­ обходимо включать вместе несколько ЗУ меньшей емкости.

Глава 13. Цифровые

ЗУ

Ниже даны несколько примеров ^\ля ЗУ с емкостью 8 К х 8 бит. Для данного ЗУ необходимо объединить 4 отдельных схемы ЗУ с емкостями 2 К X 8 бит. Это ЗУ должно быть подключено к адресной шине с разрядностью 16 бит. Разрядность шины данных составляет 8 бит. Отдельные схемы ЗУ емкостью 2 К х 8 бит имеют 11 адресных портов Ло-Аю-

FIFO 64 1

^RST—Q

RESET

INRDY

InRdy

WrEn

WRTEN

OUTRDY

OutRdy

WrClk

 

>WRTCLK ALMOST FULL/EMPTY

F/E

RdEn

RDEN

HALF FULL

HF

RdClk

>RDCLK

 

 

D Г1—^

Р и с . 13 . 17 . Логический символ F I F O - З У SN74ACT2226.

 

 

 

 

 

11 -битная адресная шина

RAM 2Кх4

 

RAM 2Кх4

 

о . ^ _ о

 

 

 

 

И ю /

2047

 

lO;

2047

 

 

А,ЗоИ -

 

A,3DH-

G1

AV^—

Gl

AV^—

G2

 

D •и

C|G2

 

D

r Q 1C3[WR]

 

rQ 1C3[WR]

 

1,2EN[RD]

 

1,2EN[RD]

 

 

 

DQc DQs

 

 

DQ. DQy

8-битная шина данных

•.CS nOE RbW

Р и с . 13 . 18 . Увеличение длины слов З У до 8 бит

Задача, которую необходимо решить при соединении в один блок нескольких схем ЗУ, заключается в обеспечении такого декодирова-

13.14' Увеличение емкости ЗУ 311

ния адресных линий Ац-Ах^^ которое было бы нацелено на выборку ячеек памяти в отдельных схемах ЗУ, Ниже представлено несколько обыч­ но используемых решений этой задачи с тремя RAM и одной ROM.

13.14.1. Полное декодирование

При полном декодировании используются все адресные шины и ка­ ждая ячейка ЗУ имеет только один адрес.

Эти условия можно обеспечить, применяя демультиплексор с 4 выходами, которые подключены ко входам выбора чипа ->С5 четы­ рех схем ЗУ (рис. 13.19). Входы демультиплексора подключаются к адресным шинам АЦ и А^.

Адресные шины с более высокими номерами от Лхз до Ai^ под­ ключаются ко входу выбора чипа демультиплексора с помош;ью вен­ тиля ИЛИ с тем, чтобы при адресах, которые выше IFFFY {Н «шестнадцатиричный») не затрагивалась ни одна из схем.

Адресный план системы (рис. 13.19) показан в табл. 13.2. Адреса ячеек ЗУ представлены на основе шестнадцатиричного способа за­ писи и с помощью двоичного представления. Таблица показывает, что ячейки лежат плотно. Следовательно программист может дан­ ные перезаписывать произвольно (но не в ДОМ), не принимая во внимание какие-либо пробелы. Самым высоким адресом является IFFFH = 4 X 2048 — 1, что соответствует емкости ЗУ 8 К.

Таблица 13.2. Адресный план системы полного декодирования, показан­ ной на рис. 13.19. Приведены самые низкие и самые высокие адреса для каждого ЗУ.

Схемный

 

 

Адрес

 

 

 

 

 

Адрес (двоичный)

 

 

 

 

 

 

узел

(шестнадца­

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

 

1 0

тиричный)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

0

 

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

(ROM)

0

 

7

F

F

0

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2

0

 

8

0

0

0

0

0

0

1

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

(RAM)

0

 

F

F

F

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

3

1

0

 

0

0

0

0

0

1

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

(RAM)

1

 

7

F

F

0

0

0

1

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

4

1

8

 

0

0

0

0

0

1

1

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

(RAM)

1

 

F

F

F

0

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

в последнее время декодирование адресов для систем ЗУ часто про­ водят с помощью логических схем, которые рассматриваются в главе 14.