- •Электротехника и электроника
- •Содержание
- •2.3. Диффузионные процессы в полупроводниках…………...….…20
- •5.5.12. Селеновые выпрямители……………………………………………..…60
- •9.1. Устройство и принцип действия транзистора
- •9.6. Выходные характеристики…………………………...……………….106
- •9.7. Передаточные характеристики………………………...……………106
- •9.8.1. Обозначения и схемы включения…………………………………..107
- •16.1. Классификация электронных индикаторов…………………….163
- •Удельная проводимость полупроводника определяется:
- •2.3. Диффузионные процессы в полупроводниках
- •Запирающий слой
- •5.5.12. Селеновые выпрямители
- •9.1. Устройство и принцип действия транзистора
- •9.6. Выходные характеристики
- •9.7. Передаточные характеристики
- •9.8.1. Обозначения и схемы включения
- •16.1. Классификация электронных индикаторов
- •Наряду с векторным представлением гармонические колебания можно представить комплексными числами. Как известно, комплексное число
- •Так как комплексная амплитуда
- •17.1.3. Спектры непериодических колебаний
- •Функция спектральной плотности
- •Полная мощность
5.5.12. Селеновые выпрямители……………………………………………..…60
5.5.13. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ………………………………………………61
6. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ…………………………….………..62
6.1. ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ……………………………………………………………..62
6.2. ВАРИСТОРЫ……………………………………………………………………..63
7. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ………….64
7.1. Фотопроводимость полупроводников…………………………...64
7.2. ФОТОРЕЗИСТОРЫ……………………………………………………………...65
7.3. ОБЛУЧЕНИЕ СВЕТОМ p-n ПЕРЕХОДА……………………….......…………66
ФОТОДИОДЫ……………………………………………………………………67
ФОТОТРАНЗИСТОРЫ………………………………………….……………….69
7.6. ФОТОТИРИСТОРЫ……………………………………………………………...70
7.7. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА. ОПТОПАРЫ……………………….70
8. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ……………………………………………….71
8.1. УСТРОЙСТВО ТРАНЗИСТОРА………………………………………………..72
8.2. ОСНОВНЫЕ РЕЖИМЫ РАБОТЫ И СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ
ТРАНЗИСТОРА…………………………………………………………….…….73
8.3. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ТРАНЗИСТОРА……………………………………...74
8.4. ОБЪЁМНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ БАЗЫ……………………………………….77
8.5. МОДУЛЯЦИЯ ШИРИНЫ БАЗЫ ТРАНЗИСТОРА…………………………….77
8.6. КОЭФФИЦЕНТЫ ПЕРЕДАЧИ ТОКА В СХЕМАХ ОБ И ОЭ…………...…....78
8.7. СТАТИСТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ………………79
8.8. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДРЕЙФ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА………….81
НЕЛИНЕЙНАЯ МОДЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА…………………………………….83
8.10. ТРАНЗИСТОР КАК ЛИНЕЙНЫЙ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИК………………….84
8.11. СИСТЕМА Z– ПАРАМЕТРОВ………………………………………………….85
8.12. СИСТЕМА Y– ПАРАМЕТРОВ………………………………………………….85
8.13. СИСТЕМА Н – ПАРАМЕТРОВ………………………………………………….85
8.14. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОДОВ И
ЕМКОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ……………………………………………………86
8.15. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ТРАНЗИСТОРА В ЛИНЕЙНОМ
РЕЖИМЕ…………………………………………………………………………..87
8.16. РАБОТА ТРАНЗИСТОРА С НАГРУЗКОЙ……………………………………..89
8.17. ДОПУСТИМАЯ МОЩНОСТЬ ТРАНЗИСТОРОВ…..…………………………91
8.18. РАБОТА ТРАНЗИСТОРА НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ………………………93
8.19. РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ……………………..95
8.20. СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР……………………………………………………96
8.21. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ………………………………...98
8.22. ДРЕЙФОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ………………………………………………….99
8.23. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ……..…………….100
9. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ……………………………………………………101
9.1. Устройство и принцип действия транзистора
С УПРАВЛЯЮЩИМ p-nПЕРЕХОДОМ……………………………………...102
9.2. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ…………………..…103
9.3. ВЛИЯНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ ЭЛЕКТРОДОВ НА ПРОЦЕССЫ В
КАНАЛЕ. ВЛИЯНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ ЗАТВОРА Uзи………………………103
9.4. ВЛИЯНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ СТОКА Uси………………………………….…..104
9.5. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
С p-nПЕРЕХОДОМ……………………………………………………………..105
9.6. Выходные характеристики…………………………...……………….106
9.7. Передаточные характеристики………………………...……………106
9.8. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ....………107
9.8.1. Обозначения и схемы включения…………………………………..107
9.9. МДП-ТРАНЗИСТОРЫ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ………………107
9.9.1. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ…………………………………….108
9.9.2. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-ТРАНЗИСТОРА
С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ………………………………………….109
9.10. МДП-ТРАНЗИСТОР СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ…………………...…..110
9.10.1. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ………………………………………..110
9.10.2. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-ТРАНЗИСТОРА
СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ……………………………………………….111
9.11. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ…………………………………...………………112
9.12. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ…..112
9.13. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ………………..113
9.14. РАБОТА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ………115
9.15. РАБОТА ТРАНЗИСТОРОВ В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ……………………115
10. ТИРИСТОРЫ………………………………………………………………………116
10.1. ДИНИСТОРЫ. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ………………...…116
10.1.1. ВАХ ДИНИСТОРА………………………………………………………………..117
10.2. ТРИНИСТОРЫ. УСТРОЙСТВО. ВАХ ТРИНИСТОРА………………………..118
10.3. СИМИСТОРЫ……………………………………………………………………..119
10.4. ОДНОПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ…………………………...……………120
11. ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ…………………………..121
11.1. Основные характеристики и параметры………………………….121
11.2. РЕЖИМ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ……………………….124
11.2.1. Принцип работы усилителя. Рабочая точка……………………...124
11.2.2. РЕЖИМ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА……………………………125
11.2.3. ВЫБОР РАБОЧЕЙ ТОЧКИ……………………………………………………….127
11.2.4. СТАБИЛИЗАЦИЯ ПОЛОЖЕНИЯ РАБОЧЕЙ ТОЧКИ…………………………128
11.3. Эмиттерный повторитель………………………………….……………..130
12. СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ БАЗОВЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ИМС……..132
12.1. ОСНОВНЫЕ СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ БИПОЛЯРНЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ИМС………………………………………………………………132
ИНВЕРТОР…………………………………………………………………….132
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОКА…………………………………………………..134
12.2. СХЕМОТЕХНИКА МДП И КМДП ИМС………………………………………..136
12.2.1. МДП-КЛЮЧИ…………………………………………………………...…………136
12.2.2. МДП-КЛЮЧИ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ………………136
СХЕМОТЕХНИКА ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ТТЛ…………………….137
12.3.1. ТРАНЗИСТОРНАЯ ЛОГИКА С ДИОДАМИ ШОТТКИ (ТТЛШ)……………..139
12.3.2. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТТЛ ИМС……………………………………...…139
12.3.3. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ……………………141
13. АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ………………………….143
13.1. ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИИ АНАЛОГОВЫХ ИМС……………………………….143
13.1.1. СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ АНАЛОГОВЫХ ИМС………………….144
13.1.2. ОСНОВНЫЕ КАСКАДЫ АНАЛОГОВЫХ ИМС…………………………….…144
13.2. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ……………………………………………….149
14. ВТОРИЧНЫЕ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ…………………………………….…..152
14.1. ЭЛЕМЕНТЫ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ……………………………………….153
14.1.1. ТРАНСФОРМАТОР………………………………………………………….…..…153
14.1.2. ВЫПРЯМИТЕЛЬ И ФИЛЬТР……………………………………………….……..154
14.1.3. СХЕМЫ СГЛАЖИВАЮЩИХ ФИЛЬТРОВ……………………………………....154
14.1.4. СТАБИЛИЗАТОРЫ………………………………………………………………...155
14.2. КОМПЕНСАЦИОННЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ………………….156
14.3. ИМПУЛЬСНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ……………………….......157
14.4. ЗАЩИТА ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ (ИНЕРЦИОННЫЙ). НИЗКОЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЕ…159
14.4.1. ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕГРУЗКИ ПО ТОКУ………………………………………..159
14.4.2. ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ (УПРОЩЕННАЯ СХЕМА)…………….160
15. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ……………………160
15.1. ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ…………………160
15.2. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИМС……………………………...161
16. ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНДИКАТОРЫ, СВОЙСТВА, ХАРАКТЕРИСТИКИ
И СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ……………………………………………………..…162