- •В.А. Корнев, к.А.Елеусизова аналогты құрылғылардағы элекроника мен сұлбатехника
- •5В071900 «Радиотехника, электроника мен телекоммуникациялар» мамандығының студеттеріне арналған дәрістер курсы
- •1 Материалдардың электрөткізгіштігі
- •1 Сурет – 4 валентті жартылайөткізгіштің жазық графикалық моделі [6]
- •2 Сурет – Электрондық өткізгіштікті жартылайөткізгіш [6]
- •3 Сурет - Акцепторлы байланысты кристаллдық тордың жазық моделі [6]
- •1.1 Жартылайөткізгіштердегі токтар. Дрейф және диффузия.
- •4 Сурет – Заряд тасымалдаушылардың дрейфтіу механизмі [6]
- •2 Жартылайөткізгіш материалдардағы
- •5 Сурет – Материалдардағы ауысу түрлері
- •2.2 Тепе-теңдік күйдегі p-n-ауысуды алу
- •6 Сурет – p-n-ауысудың тепе-теңдік күйі [6]
- •2.3 Сыртқы кернеу бар кездегі р-n-ауысу
- •7 Сурет – p-n-ауысудағы кері жылжу
- •8 Сурет – p-n-ауысудағы тура жылжу
- •9 Сурет – p-n-ауысудың вас-ы
- •3.1 Жартылайөткізгіштік диодтар
- •10 Сурет – Жартылайөткізгіштік диодтың белгіленуі
- •11 Сурет – Идеал және реал диодтың вас-ы
- •3.4 Импульстік диодтар
- •3.5 Шоттки диоды
- •15 Сурет – Шоттки диодының вас-ы
- •3.6 Варикаптар
- •3.7 Стабилитрондар және стабисторлар
- •3.8 Туннельдік диодтар
- •3.9 Кері диодтар
- •3.10 Жартылайөткізгіштік диодтарды маркалау
- •16 Сурет – rc-тізбектегі ауысу үрдістері
- •5 Биполярлы транзистор
- •17 Сурет – Транзисторлардың схемадағы белгіленуі
- •18 Сурет – Әртүрлі типті транзисторлардағы токтар мен кернеулер
- •19 Сурет – Транзистордың түрліше қосылу схемалары.
- •20 Сурет – Транзистордың температуралық токтарының таралуы
- •21 Сурет – оэ схемасымен қосылған (а)
- •6 Өрістік транзистордың құрылымы мен
- •22 Сурет - Өрістік транзистордың конструкциялық-схемалық моделі
- •6.1 Басқарушы p-n ауысулы n-арналы өрістік транзистордың статикалық вас-ы
- •23 Сурет – n арналы өрістік транзистордың вас-ы
- •6.3 Орнатылған арналы мдж-транзистор
- •7 Биполярлы транзисторлар негізіндегі аз қуатты төменгі жиілікті күшейткіштерді есептеу
- •28 Сурет – Транзситордың амплитуда-жиіліктік және фазалық сипаттамасы
- •29 Сурет – Тізбектей-параллель кб
- •33 Сурет – в кластық режимдегі күшейткіш каскадтың жұмысы
- •8.1 Есептеулерге арналған практикалық ұсыныстар
- •34 Сурет – Ортақ эмиттерлі күшейткіш каскады схемасы [2]
- •8.2 Шектік шамаларды бағалау және транзисторды таңдап алу
- •9 Тұрақты ток бойынша күшейткішті есептеу
- •35 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың кіріс сипаттамасы
- •36 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың шығыс сипаттамасының графикалық баламасы
- •10 Күшейткіштің динамикалық есептеулері
- •37 Сурет – Динамикалық және статикалық жүктемелік сипаттамалар арасындағы байланыс
- •11 Күшейткіштің жиіліктік және қуаттық шамаларын есептеу
- •11.1 Күшейткіштің қуаттық шамаларын анықтау
- •12 Қуатты күшейту күшейткіштерінің есебі
- •12.1 Қорек көзін таңдау
- •12.2 Графиктік талдау әдісі
- •13 Кілттік сызбалар
- •39 Сурет –Электрондық кілт сызбасы
- •14 Ауыспалы кернеу түзеткіштері
- •40 Сурет – жартыпериодты түзеткіш сызбасы
- •41 Сурет – Кернеудің жартыпериодты түзеткіш диаграммасы
- •42 Сурет –Екі жарты периодты түзетіліну сызбасы.
- •44 Сурет –Бір фазалы түзеткіштің көпір сызбасы
- •45 Сурет – Түзеткіштің көпір сызбасындағы кедергіден өтетін ток диаграммасы
- •14.1 Тегістеу сүзгілері
- •46 Сурет – Түзетілген кернеу пульсаций тегістеу сүзгісінің сызбасы
- •47 Сурет – Түзетілген кернеудің пульсаций тегістеу сүзгілері Бірақ сүзгі қандай сапалы болмасын кернеу бұл жағдайда оте аз қолданылады және оны екінші процедураға, яғни түзету керек.
- •15 Кернеу стабилизаторы
- •48 Сурет- жартылайөткізгішті стабилитронның вольтамперлік сипаттамасы
- •49 Сурет - Параметрлік стабилизатор
- •50 Сурет - Жүйелі кернеу стабилизаторы
- •51 Сурет– Компенсационный стабилизатор сызбасы
13 Кілттік сызбалар
Кілттің негізгі функциясы – кейбір ток көздеріндегі жүктеменің тұйықталуы. Қарпайым ғана кілт механикалық кілттер болып табылады.Механикалық кілттерге қарағанда электрондық кілттер база леп аталатын транзистордың басқарушы электродына t уақыт аралығында келіп түсетін электрлік сигнал әсерінен жүктемені қорек көзіне тұйықтайды.Идеалдық кілт ажыратылған күйде шексіз үлкен кедергіні көрсетуге тиіс, ал жабық жағдайында кедергі нөлге тең.
39 – суретте биполярлық транзисторда орындалған қарапайым ғана кілттік сызба көрсетілген.Шығс тізбекте бұл схемаға Е қорек көзі, Rк резисторы және биполярлық транзистор тізбектей қосылған, ал шығыс кернеу қызметін коллектор мен эмиттер арсындағы Uкэ кернеуі атқарады. Транзистордың шығыс тогын немесе Iк коллектордың тогын басқару мақсатында кіріс тізбекте база мен эмиттердің арасында Uб кернеу көзі мен токты шектейтін Rб резисторы тізбектей қосылған. Ебэ тұрақты кернеу көзі импульс жоқ болған жағдайда Iк коллекторлық тогы минимум, ал Uкэ шығыс кернеуі максимумге жететін уақытта транзистордың бөлгіш режимін қалыптастырады.Кірістізбектегі импульстік кернеу көзі басқарушы сигнал қызметін атқарады.Базада белгілі бір амплитудадағы импульстік кернеудің пайда болуымен транзистор n-p-n құрылымынан қанығу режиміне өтеді. Қанығу режимінде шығыс тізбектен максималды ток, ал Uкэ шығыс кернеу минималды болады. Берілген сызбада транзистор ортақ эмиттер сызбасы бойынша қослған, алайда бұдан өзге кілттік сызбаларда транзисторды ортақ база және ортақ коллектор схемалары арқылы қосу қолданылады.Тізбектегі Iк коллекторлық ток пен Uкэ кірістегі кернеу бір жағынан транзистордың шығыс сипаттамалары арқылы, ал екінші жағынан жүктемелік түзу көмегімен анықталады. Транзистордың шығыс сипаттамалары дегеніміз әрқайсысы белгілі бір базаның Iб тұрақты тогына сәйкес келетін Iк – ң Uкэ – ға тәуелділігі. Кирхгофтың екінші заңын пайдаланып коллекторлық тізбек үшін коллектор мен эмиттер арасындағы кернеуді төмендегідей теңдікте жазуға болады:
Uкэ = E - Iк*Rк
39 Сурет –Электрондық кілт сызбасы
Кіріс импульстік кернеудің жоқ мезетінде транзистор бөлгіш режимде болады, сондықтан базалық және коллекторлық тізбектен тек қана Iкбо коллектордық жылулық тогы ғана ағып өтеді.Алайда коллекторлық ауысымның жылулық тогы аз (төмен қуатты транзисторлар үшін Iкбо равен единицы мкА и менее), ал сол себепті кілттік сызбаның Uкэ шығыс кернеуі E – ге тең.
Кіріс тізбек үшін Кирхгоф заңы бойынша былайша жазуға болады:
Ебэ = Iб* Rб + Uбэ =Iкбо* Rб + Uбэ
Транзистордың n-р-n құрылымды бөлгіш режимін жүзеге асыру үшін Uбэ кепнеуі нөлден кіші немесе оған тең болуы шарт.Мұннан таңдалған транзисторда (Iкбо) және базалық тізбектегі Rб резисторында кернеу көзінің Ебэ.min ығысуының минималды үлкендігіне қойылатын талаптарды анықтайды және ол былай болуы тиіс:
Ебэ.min Iкбо * Rб
Эмиттерлік және коллекторлық ауысымдар түзу бағытта араласқанда импульстің пайда болуымен транзистор бөлгіш режимнен қанығу режиміне өтеді. р-n ауысымдарда тура араласу кезінде кернеу аз болғандықтан транзисторды қаенығу режимінде эквипотенциалдық нүкте және транзистордың қанығу тогы деп аталатын , төмендегі формула бойынша анықталатын коллектордың максимал тогы ретінде қарауға болады:
Iкн = (E- Uкэ.нас)/Rк E/Rк
Бұдан шығатын қорытынды транзистордың қанығу тогы транзистордың параметрлерінен тәуелсіз, ал ол кілттік сызбаның (Е және Rк) сыртқы параметрлері арқылы анықталады.Қанығу режимінде транзистордың Iб базалық тогы базаның қанығу тогы деп аталатын Iбн – нен белгілі бір мөлшерде үлкен болу керек. Iб базалық ток Iбн базалық қанығу тогына тең болғанда транзистор қатаң түрде белсенді режим мен қанығу режимі шекарасында орналасу керек. Мұндай режимде коллектордың тогы базалық токпен күшейту коэффициентімен байланысқан, яғни Iкн=*Iбн. Сондықтан базаның қанығу тогы:
Iбн = Iкн / = E / * Rк
Мұннан
Eбэ / Rб > E/*Rк
Бұл берілген қатынас транзистордың берілген кернеу көзінде қанығу режимін қамтамасыз ететін Rб резистор мәнін анықтауға мүмкіндік береді
Rб. (* Eбэ/E)* Rк
Транзистордың қанығу режиміндегі жұмысын s қанығу дәрежесі сипаттайды :
s = Iб / Iбн
Шынайы кілттік сызбаларда транзистор кілттік сызбаның ауыстырып қосудың толық уақыты минимум болғанда s=(1,5–3) қанығу дәрежесінде жұмыс істейді. Берілген транзистордың s қанығу дәрежесі мен күшейту коэффициентінің (min - max) үлкендігінің қашықтығын ескере отырып, қанығу шартын төмендегідей көрсетуге болады:
Rб. (min/s)*[(E1 - Eбэ)/E]* Rк
Шынайы кілттік сызба жүктемеге, Rн кедергіге жұмыс істейді. Rн жүктемесінің үлкендігі транзистордың коллекторлық тізбегіндегі Rк резисторын анықтайды.Транзистор бөлгіш режимде болса, онда Rк және Rн кедергілері қорек көздерінің кернеуіне қатысты кернеуді бөлгішті құрайды. Бұл жерден жүктемедегі Uн кернеу былайша анықталады:
Uн = [Rн /( Rн + Rк)] * Е
Uнэ шығыс кернеу қорек көзінің Е кернеуінен минимум ерекшелену үшін коллекторлық тізбектегі Rк кедергісі Rн жүктеме кернеуінен аз болу керек.Әдетте оны мына шарт бойынша таңдайды:
Rк 0,1 Rн
Осылайша транзистор кілттік сызбада стационар күйде бола тұра (кілт қосулы немесе өшірулі) не бөлгіш, не қанығу режимінде жұмыс жасайды.Бір режимнен екіншісіне ауыстырып қосу уақыты транзистор базасы мен коллекторындағы өзара тең емес зарядтарды жинау мен тарату процестері мен эмиттерлік және коллекторлық ауысымдарда анықталады.