- •В.А. Корнев, к.А.Елеусизова аналогты құрылғылардағы элекроника мен сұлбатехника
- •5В071900 «Радиотехника, электроника мен телекоммуникациялар» мамандығының студеттеріне арналған дәрістер курсы
- •1 Материалдардың электрөткізгіштігі
- •1 Сурет – 4 валентті жартылайөткізгіштің жазық графикалық моделі [6]
- •2 Сурет – Электрондық өткізгіштікті жартылайөткізгіш [6]
- •3 Сурет - Акцепторлы байланысты кристаллдық тордың жазық моделі [6]
- •1.1 Жартылайөткізгіштердегі токтар. Дрейф және диффузия.
- •4 Сурет – Заряд тасымалдаушылардың дрейфтіу механизмі [6]
- •2 Жартылайөткізгіш материалдардағы
- •5 Сурет – Материалдардағы ауысу түрлері
- •2.2 Тепе-теңдік күйдегі p-n-ауысуды алу
- •6 Сурет – p-n-ауысудың тепе-теңдік күйі [6]
- •2.3 Сыртқы кернеу бар кездегі р-n-ауысу
- •7 Сурет – p-n-ауысудағы кері жылжу
- •8 Сурет – p-n-ауысудағы тура жылжу
- •9 Сурет – p-n-ауысудың вас-ы
- •3.1 Жартылайөткізгіштік диодтар
- •10 Сурет – Жартылайөткізгіштік диодтың белгіленуі
- •11 Сурет – Идеал және реал диодтың вас-ы
- •3.4 Импульстік диодтар
- •3.5 Шоттки диоды
- •15 Сурет – Шоттки диодының вас-ы
- •3.6 Варикаптар
- •3.7 Стабилитрондар және стабисторлар
- •3.8 Туннельдік диодтар
- •3.9 Кері диодтар
- •3.10 Жартылайөткізгіштік диодтарды маркалау
- •16 Сурет – rc-тізбектегі ауысу үрдістері
- •5 Биполярлы транзистор
- •17 Сурет – Транзисторлардың схемадағы белгіленуі
- •18 Сурет – Әртүрлі типті транзисторлардағы токтар мен кернеулер
- •19 Сурет – Транзистордың түрліше қосылу схемалары.
- •20 Сурет – Транзистордың температуралық токтарының таралуы
- •21 Сурет – оэ схемасымен қосылған (а)
- •6 Өрістік транзистордың құрылымы мен
- •22 Сурет - Өрістік транзистордың конструкциялық-схемалық моделі
- •6.1 Басқарушы p-n ауысулы n-арналы өрістік транзистордың статикалық вас-ы
- •23 Сурет – n арналы өрістік транзистордың вас-ы
- •6.3 Орнатылған арналы мдж-транзистор
- •7 Биполярлы транзисторлар негізіндегі аз қуатты төменгі жиілікті күшейткіштерді есептеу
- •28 Сурет – Транзситордың амплитуда-жиіліктік және фазалық сипаттамасы
- •29 Сурет – Тізбектей-параллель кб
- •33 Сурет – в кластық режимдегі күшейткіш каскадтың жұмысы
- •8.1 Есептеулерге арналған практикалық ұсыныстар
- •34 Сурет – Ортақ эмиттерлі күшейткіш каскады схемасы [2]
- •8.2 Шектік шамаларды бағалау және транзисторды таңдап алу
- •9 Тұрақты ток бойынша күшейткішті есептеу
- •35 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың кіріс сипаттамасы
- •36 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың шығыс сипаттамасының графикалық баламасы
- •10 Күшейткіштің динамикалық есептеулері
- •37 Сурет – Динамикалық және статикалық жүктемелік сипаттамалар арасындағы байланыс
- •11 Күшейткіштің жиіліктік және қуаттық шамаларын есептеу
- •11.1 Күшейткіштің қуаттық шамаларын анықтау
- •12 Қуатты күшейту күшейткіштерінің есебі
- •12.1 Қорек көзін таңдау
- •12.2 Графиктік талдау әдісі
- •13 Кілттік сызбалар
- •39 Сурет –Электрондық кілт сызбасы
- •14 Ауыспалы кернеу түзеткіштері
- •40 Сурет – жартыпериодты түзеткіш сызбасы
- •41 Сурет – Кернеудің жартыпериодты түзеткіш диаграммасы
- •42 Сурет –Екі жарты периодты түзетіліну сызбасы.
- •44 Сурет –Бір фазалы түзеткіштің көпір сызбасы
- •45 Сурет – Түзеткіштің көпір сызбасындағы кедергіден өтетін ток диаграммасы
- •14.1 Тегістеу сүзгілері
- •46 Сурет – Түзетілген кернеу пульсаций тегістеу сүзгісінің сызбасы
- •47 Сурет – Түзетілген кернеудің пульсаций тегістеу сүзгілері Бірақ сүзгі қандай сапалы болмасын кернеу бұл жағдайда оте аз қолданылады және оны екінші процедураға, яғни түзету керек.
- •15 Кернеу стабилизаторы
- •48 Сурет- жартылайөткізгішті стабилитронның вольтамперлік сипаттамасы
- •49 Сурет - Параметрлік стабилизатор
- •50 Сурет - Жүйелі кернеу стабилизаторы
- •51 Сурет– Компенсационный стабилизатор сызбасы
1 Материалдардың электрөткізгіштігі
Электрөткізгіштік – материалдардың электр тогын өткізу қасиетін сипаттайды. Сандық шамасы жағынан ол: 1 – заттың меншікті өткізгіштігімен; 2 – еркін заряд тасымалдаушылар концентрациясымен (n) бағаланады. Материалдарды электртогын өткізу қабілетіне қарай үш топқа бөлуге болады:
диэлектриктер (n≈1012 эл/см3);
жартылайөткізгіштер (1012<n<1016 эл/см3);
өткізгіштер (n≈1019 эл/см3).
Диэлектриктер электр тогын мүлдем өткізбейді деп айтуға болады. Өткізгіштер электр тогын жақсы өткізеді. Жартылайөткізгіштер өткізгіштігі жағынан осылардың ортасында болады. Жартылайөткізгіштің құрылымы алмаздың кристаллдық торына ұқсайды. Атомдарының арасында коваленттік байланыс болғандықтан жартылайөткізгіштердің құрылымы қатты болады. Жартылайөткізгіштердің маңызды қасиетті – оның электр өткізгіштігінің қоршаған орта температурасына, жарық ағынына (Ф), қоспалар концентрациясына, иондаушы сәулеленуге және т.б. өте сезімталдығында. Жартылайөткізгіштік приборлар жасау үшін мынадай материалдар пайдаланылады:
1) 4 валентті топ (Ge (германий), Si (кремний), AsGa (галий арсениді));
2) 3 валентті топ (Al (алюминий), B (бор), In (индий));
3) 5 валентті топ (P (фосфор), As (мышьяк), Sb (сурьма)).
Барлық жартылайөткізгіштерді екі топқа бөлуге болады:
1) Таза (меншікті, қоспасыз) немесе і-типты жартылайөткізгіштер (бір элемент атомдарынан тұратын заттар).
2) Қоспалы жартылайөткізгіштер.
Жартылайөткізгіш атомы көршілес атом электронымен біріге отырып (коваленттік байланыс) кристаллдық тор құрап, кеңістікте қатаң бір тәртіппен орналасады (1 сурет).
1 Сурет – 4 валентті жартылайөткізгіштің жазық графикалық моделі [6]
Таза жартылайөткізгіште абсолюттік ноль температурада (Кельвин бойынша Т=0 болғанда) барлық электрондар коваленттік байланыс құрауға жұмсалады да, еркін электрондар болмайды, яғни, жартылайөткізгіш диэлектрикке айналады. Температура жоғарылаған сайын электрондардың кейбірі қосымша энергияға ие болып, өздерінің коваленттік байланыстарын бұзып еркін электронға айналады. Нәтижесінде екі еркін заряд тасымалдаушы пайда болады: еркін электрон (теріс заряд) және оның орны кемтік (орын босату). Кемтік сан шамасы жағынан электрондікіне тең таңбасы оң зарядқа ие (2 сурет).
2 Сурет – Электрондық өткізгіштікті жартылайөткізгіш [6]
Сонымен, температура жоғарылағанда жартылайөткізгіште еркін заряд тасымалдаушылар пайда болады және таза жартылайөткізгіштерде еркін электрондар мен кемтіктердің концентрациясы тең болады: ni=pi. Еркін электрон мен кемтіктің пайда болу үрдісін электрон-кемтік жұбының генерациясы дейді. Электрон кристаллдық тор көлемінде қозғалыс барысында кемтіктің орнын басуы мүмкін. Бұл кезде электрон және кемтік өзара жойылады, мұны электрон-кемтік жұбының рекомбинациясы деп атайды.
Таза жартылайөткізгіштер сирек қолданыс тапқан. Олардың өткізгіштігі температураға өте сезімтал болғандықтан, олар термодатчиктер жасауға қолданылады. Басқарылатын жартылайөткізгіштік приборлар жасау үшін қоспалы жартылайөткізгіштер қолданылады. Жартылайөткізгішке арнайы қоспа енгізу легирлеу, ал қоспалы жартылайөткізгіш легирленген деп аталады. Енгізілген қоспаның сипатына қарай екі типті жартылайөткізгіш алуға болады: n – типті (электрондық) және р – типті (кемтіктік).
n – типті жартылайөткізгіш алу үшін 4 валентті жартылайөткізгішке 5 валентті атомдарды қоспа ретінде енгізеді. Қоспаның әрбір атомы жартылайөткізгішке бір еркін электрон туғызады (2 сурет). Мұндай қоспа донорлық қоспа деп аталады. Жартылайөткізгіште электрондар негізгі, ал кемтіктер негізгі емес заряд тасымалдаушылар болып табылады.
р – типті жартылайөткізгіш алу үшін 4 валентті жартылайөткізгішке 5 валентті атомдарды қоспа ретінде енгізеді. Қоспаның әрбір атомы жартылайөткізгіштің негізгі атомдарының көршілес тұрған атомдарының бірінің электронын тартып алады, нәтижесінде бір кемтік пайда болады. Мұндай қоспа акцепторлық деп аталады.
Акцепторлы байланысты кристаллдық тордың жазық моделі 3 суретте келтірілген.