5. Проведение измерений

5.1 Подготовка к работе

Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».

5.1.1 Вызвать сохраненную схему с транзистором из базы EWB. Дополнить ее до схемы усилительного каскада рис. 19.

Транзистор установить такой, для которого проводилась нагрузочная прямая, R_К – вычисленное в пункте 3. В цепях базы и коллектора включены приборы для измерения токов I_Б и I_К и напряжений U_БЭ и U_КЭ.

Сопротивление R_б установить равным R_К. Напряжение источника V2 (Е_К) установить таким, какое было принято при выполнении пункта 3. Напряжение источника V₁ установить равным V₁ = R_б·I_бmin + U_БЭ. U_БЭ = 500мВ, I_бmin = 10 мкА.

Установить сопротивление R_Э = 1 Ом.

Внимание. При сборке схемы не пытайтесь установить стрелки и обозначения элементов, приведенные на рис. 19. EWB присвоит им свои обозначения и нумерацию. Следует помнить, что номер элементу присваивается автоматически по мере вывода его на наборное поле.

5.1.2 Включить режим моделирования

Убедиться, что схема собрана правильно, т.е. на базе имеется напряжение, равное напряжению V1, напряжение U_КЭ (М3) примерно равно напряжению Е_К, ток коллектора (М4) составляет доли мкА (μА).

Если что-то не так, то внимательно проверить схему.

5.1.3 Заготовить таблицу 11.

33

5.2 Проведение измерений

5.2.1 Определение характеристик

Увеличивая (или уменьшая) напряжение V1, установить напряжение на базе (М2) приблизительно равным 500 mВ.

Записать полученные значения токов и напряжений в таблицу.

Увеличивая далее напряжение V1, устанавливать ток базы 10 μА, 20 μА и т.д. согласно таблицы и записывая в нее показания приборов М2, М3, М4.

Напряжение на базе записывать с точностью три значащих цифры.

Табл. 11. Результаты измерений.

IБ μА ( М1)		10	20	40	60	80	100	120	…
UБЭ mV (М2)	500
UКЭ V (М3)	ЕК
IК mА (М4)	0

Ток базы увеличивать до такой величины, пока ток коллектора не достигнет значения I_КНАС или напряжение U_КЭ (М3) не окажется менее одного вольта.

Увеличить ток базы еще на 40 μА и убедиться, что ток коллектора более не увеличивается, а напряжение U_КЭ не уменьшается.

5.2.2 Исследование влияния температуры

Установить ток базы равным 60 μА. Из таблицы 11 переписать значения токов и напряжений на электродах "холодного" транзистора для этого режима в таблицу 12.

Установить температуру транзистора равной 57˚С (меню Analysis, опция Analysis options, вкладка Global).

Вновь записать полученные значения токов и напряжений "горячего" транзистора в таблицу 12.

Табл. 12. Оценка влияния температуры.

	IБ μА	UБЭ мВ	IК мА	UКЭ В
t = 27^oC	60
t = 57^oC
∆t = 30^oC	∆IБ =	∆UБЭ =	∆IК =	∆UКЭ =

Вычислить величину изменений токов и напряжений транзистора под действием изменения температуры вычитая из большего значения меньшее и заполнить строку 4 таблицы.