Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электроника.Методичка / Лабораторная работа N4.doc
Скачиваний:
68
Добавлен:
13.05.2015
Размер:
808.45 Кб
Скачать

3. Описание лабораторного стенда

Работа выполняется на лабораторном стенде, описание и технические характеристики которого приведены в указаниях к лабораторной работе №1.

  1. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ

  1. Рассчитать значения температурного потенциала , гдеq – элементарный заряд, для пяти точек с равномерным шагом в интервале 15…30 . Построить график зависимости.

5. Экспериментальная часть

  1. Измерить тепловой ток эмиттерного перехода транзистора , для чего собрать схему рис.7.

Изменяя в пределах 0…10 В измерить 8…10 значенийи. Данные занести в Табл.1.

Таблица 1:

,mA

,mA

  1. Измерение теплового тока коллекторного перехода . Повторить измерения п. 5.1, поменяв местами эмиттер и коллектор транзистора измеренные значенияизанести в таблицу 1.

  2. Измерение прямых коэффициентов передачи токаи. Собрать схему рис.7а. Изменяяустановить последовательно значенияот 1 до 9mA с шагом в 1 mA и измерить соответствующие значения тока базы . Данные измерений внести в таблицу 2.

Измерение

Расчет

,mA

,mA

,mA

Таблица 2: Таблица 3:

Измерение

Расчет

,mA

,mA

,mA

  1. Измерение инверсных коэффициентов передачи тока и. Повторить измерения п.5.3, поменяв местами эмиттер и коллектор в схеме рис.7. Данные измерений и занести в таблицу3.

  2. Установить с помощью внешнего вольтметра напряжения источников Е2 =8В и Е1=5В и измерить токи эмиттера и коллектора , используя для этого схемы рис.8 (для ,Uкб <0) и рис.9 (для,).Данные занести в таблицу 4.

Таблица4

E1,B

E2,B

IЭ,mA

IK,mA

UЭБ = , В UКБ= , В (UKБ<0)

UЭБ= ,В UКБ= ,В (UКБ> 0)

Для схемы рис.8: , - измеряются внешним вольтметром, токиIэ и Iк вычисляются

Для схемы рис.9: , - измеряются,

  1. Выписать из справочника структуру, эксплуатационные и предельно допустимые параметры исследуемого транзистора.

  2. Собрать схему рис.10 для измерений семейств характеристик транзистора. Цоколевка транзистора указана на рис.11.

  1. Снять семейство входных характеристик транзистора при (зажимы 2 – 2' замкнуты накоротко отключен), В иВ. Данные для каждой характеристики внести в таблицу 5. Значения тока базы вычисляются по формуле .

, В Таблица 5

, В

, В

,mA

,mA

  1. Снять семейство выходных характеристик при трех значениях тока базы IБ = 50, 100, 150 мкA (рис.12). При измерениях следить, чтобы измеряемые величины не превышали предельно допустимых. Данные измерений занести в таблицу 6.

Таблица 6:

, мкА

50

, В

,mA

100

, В

,mA

150

, В

,mA