- •Исследование статических характеристик и параметров маломощных биполярных транзисторов
- •Введение
- •2. Теоретическая часть
- •Структура транзистора
- •2.2. Принцип действия и схемы включения транзистора
- •2.3. Статические характеристики
- •2.4. Малосигнальные параметры
- •2.5. Эквивалентные схемы и модели транзистора
- •3. Описание лабораторного стенда
- •5. Экспериментальная часть
- •6. Методика измерений и обработка результатов
- •7. Содержание отчета
- •8. Контрольные вопросы
- •9. Литература
3. Описание лабораторного стенда
Работа выполняется на лабораторном стенде, описание и технические характеристики которого приведены в указаниях к лабораторной работе №1.
РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
Рассчитать значения температурного потенциала , гдеq – элементарный заряд, для пяти точек с равномерным шагом в интервале 15…30 . Построить график зависимости.
5. Экспериментальная часть
Измерить тепловой ток эмиттерного перехода транзистора , для чего собрать схему рис.7.
Изменяя в пределах 0…10 В измерить 8…10 значенийи. Данные занести в Табл.1.
Таблица 1:
,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерение теплового тока коллекторного перехода . Повторить измерения п. 5.1, поменяв местами эмиттер и коллектор транзистора измеренные значенияизанести в таблицу 1.
Измерение прямых коэффициентов передачи токаи. Собрать схему рис.7а. Изменяяустановить последовательно значенияот 1 до 9mA с шагом в 1 mA и измерить соответствующие значения тока базы . Данные измерений внести в таблицу 2.
Измерение |
Расчет | |||
,mA |
,mA |
,mA | ||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерение |
Расчет | |||
,mA |
,mA |
,mA | ||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерение инверсных коэффициентов передачи тока и. Повторить измерения п.5.3, поменяв местами эмиттер и коллектор в схеме рис.7. Данные измерений и занести в таблицу3.
Установить с помощью внешнего вольтметра напряжения источников Е2 =8В и Е1=5В и измерить токи эмиттера и коллектора , используя для этого схемы рис.8 (для ,Uкб <0) и рис.9 (для,).Данные занести в таблицу 4.
Таблица4
|
E1,B |
E2,B |
IЭ,mA |
IK,mA |
UЭБ = , В UКБ= , В (UKБ<0) |
|
|
|
|
UЭБ= ,В UКБ= ,В (UКБ> 0) |
|
|
|
|
Для схемы рис.8: , - измеряются внешним вольтметром, токиIэ и Iк вычисляются
Для схемы рис.9: , - измеряются,
Выписать из справочника структуру, эксплуатационные и предельно допустимые параметры исследуемого транзистора.
Собрать схему рис.10 для измерений семейств характеристик транзистора. Цоколевка транзистора указана на рис.11.
Снять семейство входных характеристик транзистора при (зажимы 2 – 2' замкнуты накоротко отключен), В иВ. Данные для каждой характеристики внести в таблицу 5. Значения тока базы вычисляются по формуле .
, В Таблица 5
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Снять семейство выходных характеристик при трех значениях тока базы IБ = 50, 100, 150 мкA (рис.12). При измерениях следить, чтобы измеряемые величины не превышали предельно допустимых. Данные измерений занести в таблицу 6.
Таблица 6:
, мкА |
| |||||||
50 |
, В |
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
| |
100 |
, В |
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
| |
150 |
, В |
|
|
|
|
|
|
|
,mA |
|
|
|
|
|
|
|