- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ЧАСТЬ I. ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •Глава 1. ЭМИССИОННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •1.1. Электрон и его свойства. Электроны в твердом теле.
- •1.2. Эмиссионная электроника
- •Глава 2. ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ВАКУУМЕ В РЕЖИМЕ ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Диоды
- •2.2. Триоды
- •2.3. Многоэлектродные лампы
- •2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
- •2.5. Генераторные и модуляторные лампы
- •2.6. Электровакуумные приборы диапазона сверхвысоких частот
- •Глава 3. ЭЛЕКТРОННАЯ ОПТИКА. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ.
- •3.1. Электронные линзы
- •3.2. Электростатические линзы
- •3.3. Магнитные линзы.
- •3.4. Аберрации электронных линз.
- •3.5. Электронно-оптические системы (ЭОС) электронно-лучевых приборов.
- •3.6. Отклоняющие системы
- •3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков
- •3.8. Приемные электронно-лучевые трубки
- •3.9. Проекционные ЭЛТ и системы
- •3.10. Запоминающие электронно-лучевые трубки
- •3.11. Передающие электронно-лучевые трубки
- •3.12. Электронно-оптические преобразователи
- •ЧАСТЬ II. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- •ГЛАВА 4. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛАЗМЕ
- •4.1. Введение
- •4.3. Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •4.4 Движение электронов и ионов в газе
- •ГЛАВА 5. ОСНОВНЫЕ ВИДЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА В ГАЗЕ
- •5.1. Классификация разрядов
- •5.2. Несамостоятельный газовый разряд
- •ГЛАВА 6. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ПЛАЗМА
- •6.1. Основные понятия
- •6.2. Диагностика плазмы
- •6.3. Теории газоразрядной плазмы
- •6.4. Особенности теории плазмы низкого и высокого давления
- •ГЛАВА 7. ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ПРИБОРЫ
- •7.1. Приборы тлеющего разряда
- •7.2. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы
- •7.3. Ионизационные камеры и счетчики излучений
- •7.4. Разрядники антенных переключателей
- •7.5. Приборы дугового несамостоятельного разряда
- •7.6. Приборы самостоятельного дугового разряда
- •7.7. Газоразрядные индикаторные панели
- •7.8. Газоразрядные знаковые индикаторы (монодисплеи)
- •ПРИЛОЖЕНИЕ
- •CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
- •РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
- •СОДЕРЖАНИЕ
Глава 2. ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ВАКУУМЕ В РЕЖИМЕ ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ
Поле, действующее на электрон в вакууме, складывается из внешнего поля и поля, создаваемого совокупностью заряженных частиц. Сумма зарядов всех частиц и образует пространственный или объёмный заряд.
Пространственный заряд оказывает влияние на движение электронов в условиях, когда плотность тока достаточно велика, а объём пространства, в котором движутся электроны, мал. Движение электронов в режиме объёмного заряда реализуется в приёмно-усилительных и генераторных электронных лампах.
2.1. Диоды
Простейшей электронной лампой с двумя электродами - катодом и анодом - является диод. Рассмотрим распределение потенциалов в плоском диоде (рис. 2.1).
а) б)
Рис. 2.1. Распределение потенциала в плоском вакуумном диоде: а) при постоянном анодном напряжении и разных токах эмиссии; б) при постоянном токе эмиссии и разных анодных напряжениях
При постоянном анодном напряжении и отсутствии эмиссионного тока (рис. 2.4а, кривая 1) распределение потенциала между электродами линейно.
Испускание электронов с катода приводит к формированию объёмного отрицательного заряда и пониженного потенциала в каждой точке пространства, причём при достаточно высоком уровне эмиссии возле катода
появляется область с отрицательным по отношению к нему потенциалом (рис. 2.1а, кривые 2,3,4). При постоянном токе эмиссии и различных
19
анодных напряжениях распределение потенциала между электродами показано на рис. 2.1б.
Потенциал в каждой точке пространства связан с плотностью объёмного заряда уравнением Пуассона:
∂2U + ∂2U + ∂2U = -4pr (2.1) ¶x2 ¶y2 ¶z2
Пусть в некоторой системе электродов имеется ток, создающий поле пространственного заряда. Согласно уравнению Пуассона возрастание потенциала в n раз вызывает увеличение объёмного заряда тоже в n раз.
Поскольку плотность тока равна произведению плотности объёмного заряда на скорость электронов j = r×v, то увеличение потенциала в n раз вызовет увеличение плотности тока в n3/2 раза. Следовательно, связь между
плотностью тока и напряжением на электродах должна описываться выражением типа:
j = G×U3/2 , |
(2.2) |
где G - первеанс диода. |
|
Это уравнение описывает |
вольтамперную характеристику диода в |
режиме объёмного заряда и называется уравнением трёх вторых. Вывод
уравнения трёх вторых для плоского случая проводится при следующих допущениях:
-пренебрегают краевыми эффектами; -предполагают, что катод находится в минимуме потенциала, т.е.
напряжённость поля около катода равна нулю; -начальные скорости электронов, покидающих катод, полагают
равными нулю;
Решение уравнения Пуассона для плоского случая
|
d 2 U |
= -4pr |
дает j = G |
U3 / 2 |
(2.3) |
|
dx 2 |
d 2 |
|||
|
|
|
|
||
где d - расстояние между электродами. |
|
Как видно из рис. 2.1, отсчет координаты х следует вести не от катода, а от минимума потенциала xmin. Но в большинстве режимов работы диода расстояние от минимума потенциала до катода хmin много меньше межэлектродного расстояния d , а глубина минимума по абсолютному значению меньше величины анодного напряжения, поэтому для
практических расчетов можно полагать d - хmin |
~ d и Ua - Umin ~ Ua |
|||||||
Для цилиндрического диода в виде системы коаксиальных цилиндров |
||||||||
уравнение Пуассона имеет вид: |
|
|||||||
|
d2 U |
+ |
1 dU |
= -4pr |
(2.4) |
|||
|
|
|
|
|
|
|||
|
dr2 |
|
r dr |
|||||
|
|
|
|
|
Его решение может быть представлено в том же виде, что и для плоского случая, но с введением поправочного множителя b2:
20
Ia = G |
U3 / 2 |
|
l |
(2.5) |
b2 |
|
ra |
||
|
|
|
ra - радиус анода, l - длина системы электродов.
Величина поправки b2 зависит от отношения радиусов анода и катода и приводится в справочной литературе. Отметим, что в цилиндрических
диодах неучет начальной скорости покидающих катод электронов частично компенсирует поправку b2 и для практических расчетов может быть использовано уравнение:
Ia = GU |
3 / 2 |
× |
l |
(2.6) |
|
ra |
|||
|
|
|
|
Уравнение трёх вторых справедливо только для режима объёмного заряда. При больших анодных напряжениях все электроны, испускаемые катодом, попадают на анод и прибор работает в режиме насыщения. Вид вольтамперной характеристики вакуумного диода показан на рис. 2.2.
Ia |
|
|
Iнас |
|
|
I |
II |
III |
|
Uкр |
Ua |
Рис. 2.2. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) вакуумного диода I - область объёмного заряда; II – промежуточная область;
III- режим насыщения
Врежиме насыщения наблюдается некоторое возрастание анодного тока, связанное с проявлением эффекта Шоттки.
Рабочими параметрами вакуумного диода являются: - крутизна вольтамперной характеристики S,
- внутреннее сопротивление диода Ri - междуэлектродная ёмкость; - наибольшее обратное напряжение;
- максимальная мощность, рассеиваемая анодом.
Вакуумные диоды применяются для выпрямления переменного тока, для детектирования и преобразования ВЧ и СВЧ колебаний.
21
2.2. Триоды
Триодом называют трёхэлектродный электровакуумный прибор, имеющий катод, анод и сетку. Сетка располагается возле катода,
воздействует на объёмный заряд и служит для управления величиной анодного тока в приборе. Схематическое изображение триода и распределение потенциала в нем показано на рис. 2.3.
К |
С |
А |
А |
|
УС |
U |
К |
x |
|
Рис. 2.3. Принципиальная схема вакуумного триода и распределение
потенциала в приборе
Для расчета анодного тока в триоде с использованием уравнения трёх вторых, его сводят к эквивалентному диоду с напряжением Uд, называемым действующим. Это напряжение, обеспечивающее ток в эквивалентном диоде, равный току в триоде при напряжении на аноде Uа и напряжении на сетке Uс:
Ud = Uc + DUa |
(2.7) |
Величина D называется |
проницаемостью сетки. Она показывает, во |
сколько раз слабее воздействие потенциала анода на поле в катодной области триода по сравнению с потенциалом сетки и представляет собой отношение емкостей между анодом и катодом и сеткой и катодом: D =
Сак/Сск.
Важнейшими характеристиками триода являются зависимости анодного тока от анодного напряжения при различных сеточных напряжениях (анодные характеристики) и зависимости анодного тока от напряжения на сетке при различных анодных напряжениях (анодно-сеточные характеристики) (рис. 2.4.)
22