- •Физические основы электронной техники
- •Содержание
- •1. Исследование характеристик полупроводникового выпрямительного диода и кремниевого стабилитрона
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Программа работы
- •1.3. Краткие теоретические сведения
- •1.4. Описание лабораторного стенда
- •1.5. Указания к выполнению работы
- •1.6. Содержание отчета
- •1.7. Вопросы для самоконтроля
- •1.8. Рекомендованная литература
- •2. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Программа работы
- •2.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •2.4. Описание лабораторной установки
- •2.5. Указания к выполнению работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •2.8. Рекомендованная литература
- •3.4. Описание лабораторной установки
- •3.5. Указания к выполнению работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Вопросы для самоконтроля
- •3.8. Рекомендованная литература
- •4. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Программа работы
- •4.3. Краткие теоретические сведения
- •4.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •5. Исследование статического и динамического режимов работы биполярного транзистора
- •5.1. Цель работы
- •5.2. Программа работы
- •5.3. Статический и динамический режимы работы биполярного транзистора
- •5.4. Описание лабораторной установки
- •5.5. Указания к выполнению работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Вопросы для самоконтроля
- •5.8. Рекомендуемая литература
- •6. Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе.
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Программа работы
- •6.3. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •6.4. Описание лабораторной установки
- •6.5. Указания к выполнению работы
- •6.6. Содержание отчета
- •6.7. Вопросы для самоконтроля
- •6.8. Рекомендуемая литература
- •7.4. Описание лабораторной установки
- •7.5. Указания к выполнению работы
- •7.6. Содержание отчёта
- •8.4. Указания к выполнению работы
- •8.5. Содержание отчета
- •8.6. Рекомендуемая литература
3.4. Описание лабораторной установки
Принципиальная электрическая схема лабораторной установки изображена на рис.3.2.
Подключение одного из диодов к источнику напряжения и измерительным приборам осуществляется переключателем S. Плавное изменение прямого напряжения на диоде осуществляется потенциометром RР. Измерение прямого напряжения и прямого тока диодов осуществляется вольтметром РV и амперметром РА соответственно.
3.5. Указания к выполнению работы
К пункту 3.2.1.Включить стенд тумблером «питание» (на рис.3.2. тумблер не показан). Выбрать переключателем S один из диодов и, плавно изменяя ток потенциометром RР, при помощи амперметра РА и вольтметра РV снять прямую ветвь ВАХ диода.
Аналогично снять ВАХ, напряжения и токи включения остальных диодов. Результаты свести в таблицу. По полученным данным на одном рисунке построить ВАХ диодов.
Таблица.3.1. – ВАХ диодов. Напряжение на диоде, В.
Номер диода |
Ток диода, мА | ||||
|
|
|
|
| |
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
К пункту 3.2.2.Для каждого светодиода визуально определить значения напряжения и тока включения. Выделить эти точки на соответствующих графиках.
К пункту 3.2.3.Рассчитать статические и динамические сопротивления диодов. Статическое сопротивление диода может быть рассчитано по формуле:
Rст = U / I, (3.3)
где U – напряжение на диоде, В; I – ток диода, А.
Динамическое сопротивление диода может быть рассчитано по формуле:
Rдин = ΔU/ΔI = (U2-U1) / (I2-I1), (3.4)
где U1 и U2 - соседние в таблице значения напряжений, В;
I1 и I2 – соответствующие напряжениям значения токов, А.
Полученное динамическое сопротивление соответствует току:
Iср = (I2+I1) / 2 (3.5)
По формулам (3.3-3.5) рассчитать зависимости сопротивлений от тока для каждого из диодов. Результаты свести в таблицы 3.2, 3.3.
Таблица.3.2. – Статические сопротивления диодов Rст, кОм.
Номер диода |
Ток диода, мА | ||||
|
|
|
|
| |
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
Таблица.3.3. – Динамические сопротивления диодов Rд, кОм.
Номер диода |
Ток диода, мА | ||||
|
|
|
|
| |
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
Для каждого из диодов по полученным результатам построить графики зависимостей статического и динамического сопротивлений от тока. Зависимости обоих сопротивлений для одного диода строятся на одном графике.