5. РЕОСТАТНЫЙ КАСКАД

5.3. Второй метод расчета реостатного каскада

5.3.6. Коэффициентчувствительности

Коэффициент чувствительности К0 с учетом сопротивления обратной связи определяется из выражения

	К0	=	(β+1)Rн		;
			Rr + rб′б + rб′э	+ Rэ (β+1)

Относительное изменение для К0 :

R0

∆R

R0r

∂К

R0

∆R

δК0

=

∆К0н=

∂Кн

+

∆Rrэ

+

∂Кэ

;

Кн0

R

К

Кэ

R

К0 н

∂R 0

∂Rr 0

Rr э

∂R

	∂К0 =	(β+1)				=	К0 ; SRн =1.
		Rr + rб′б + rб′э + Rэ (β+1)
	∂Rн						Rн
		∂К0	= −	К0		;
		∂R		(β+1)R
		r		н

SRн = −(βК+01R)rRн .

∂К0 = − К20 ;

∂Rэ Rн

SR	= −	RэК	.
н		Rн

Аналогичным образом можно определить и влияние разброса параметров на fв и fн , учитывая, что

fв =

1

=

R + r ′

+ r ′

;

2πτ

2πС

(R + r′

)r′

rб б

б э

в

0 r

б б

б э

fн =

1

=

1

.

2πτ

н

2πС

р

(R + r′ + r′

)

r

б б

б э

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-108-

5.РЕОСТАТНЫЙ КАСКАД

5.3.Второй метод расчета реостатного каскада

Вкачестве примера рассмотрим ∂fн :

∂f

∆f

Ср

∂f

∆Ср

R

∂f

н

∆R

н

=

н

=

н

+

r

r ;

fнС

Сfн

∂

∂

р f рR

Rн

r r

∂fн

= −

1

= −1;

∂С

р

2πС

2

р

(R + r

′

+ r′ )

r

б б

б э

2πС2

(R + r′

+ r

′

)

SСр = −

р

r

б б

б э

= −1; S = −1.

2πС2

(R + r′

+ r

′

)

р

r

б б

б э

∂fн

= −

1

;

S = −

Rr

.

∂Rr

2πС

р

(R + r′

+ r′

)2

Rr + rб′б + rб′э

r

б б

б э

Рассмотрим влияние на частотные характеристики цепи ООС в эмиттере, включаемой для обеспечения автосмещения.

5.4. Влияниеэлементовцепиавтосмещения Rэ и Сэ нахарактеристикиреостатногокаскада

Влияние Сэ проявляется в области нижних частот. Поэтому рассмотрим АЧХ в области НЧ, считая, что Ñð → ∞ и частотные искажения вносятся только Сэ . Если Ср ≠ ∞, то необходимо рассматривать цепь второго порядка.

Rг

Rэ (β + 1)

Rб'б

S·Uб'э

Rб'э

Е

Rн

Рис. 5.26. Входная цепь усилительного каскада

с учетом сопротивления Rэ0

Через сопротивление местной обратной связи (рис. 5.1)

Zэ =	Rэ0
	1+ωj C	э0	R
			э0

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-109-

5.РЕОСТАТНЫЙ КАСКАД

5.4.Влияние элементов цепи автосмещения и на характеристики реостатного каскада

протекает ток Iэ , учитывая, что Iэ = (β+1)Iб , можно Zэ пересчитать в цепь базы, увеличив на (β+1). Тогда эквивалентная схема для области НЧ примет

вид (рис. 5.26).

Коэффициент усиления с учетом ОС определим из выражения:

КОС =

(β+1)Rн

.

R

+ r ′

+ r ′

+ Zβ( 1+

)

r

б б

б э

э

Считая Rэ

постоянной величиной и меняя Сэ , определим вид АЧХ.

1. Если Сэ → 0 , то Zэ → Rэ ,

т. е. получаем реостатный каскад с мест-

ной частотно-независимой обратной связью. Здесь

КОС =

(β+1)Rн

.

Rr + rб′б + rб′э + Rэ (β

+1)

В этом случае

КОС не зависит от частоты и совпадает со значением К0

на

средней частоте (рис. 5.27). Однако реально fн обусловлена влиянием Ср .

2. Другой крайний случай Ñý → ∞.

Сопротивление ХСэ → 0, т. е.

об-

ратная связь исчезает. Следовательно, растет коэффициент усиления

КОС =

(β+1)Rн

.

Rr + rб′б + rб′э

Для этого случая при Сэ = ∞ АЧХ имеют вид (рис. 5.27).

Относительный коэффициент усиления определим из выражения:

Y =

КОС

1ωτ+ j

э

.

=

К0

(β+1) Rн

+ j

1+ωτ

+ r ′

+ r

э

R

′

rб б

б э

К

1

К

1

Сэ = ∞

Сэ0

Сэ

Сэ = 0

Rэ0

f

f

fн1

fн1

Рис. 5.28. Зависимость

Рис. 5.27. Зависимость

коэффициента усиления

коэффициента усиления

в области нижних частот

в области нижних частот

от величины Сэ0 и Rэ0

от величины Сэ

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-110-

5.РЕОСТАТНЫЙ КАСКАД

5.4.Влияние элементов цепи автосмещения и на характеристики реостатного каскада

Общий вид нормированной АЧХ для относительного коэффициента усиления при изменении Rэ и Сэ0 показан на рис. 5.28.

Поскольку Сэ влияет на fн , т. е. на М н, то величину Сэ выбирают исходя из допустимого значения Мн.

Сэ0 ≥

(β+1)

.

r

б б

б э

)

(

н

(

н

−

))

(R

+ r ′

+ r ′

2πМf

12

Выводы

1.Наиболее широко реостатный каскад используется в качестве промежуточного каскада.

2.Основное требование к реостатному каскаду: обеспечить требуемые значения Кu , Кi и допустимый уровень частотных искажений.

3.При расчетах реостатного каскада используются упрощенные эквивалентные схемы первого порядка.

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-111-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.1.Эмиттерныйиистоковыйповторители

Реостатный каскад, усилительный элемент которого включен по схеме ОК, называется эмиттерным повторителем (ЭП). ЭП можно рассматривать как обычный каскад с ОЭ, охваченный 100 % ООС. Связь в каскаде последовательная по напряжению. Используется ЭП обычно в следующих случаях:

1. Во входных каскадах при необходимости обеспечить входное сопротивление 5–10 кОм. При Râõ >5–10 кОм необходимо нейтрализовать влия-

ние сопротивлений базового делителя. При уровнях Rвх > 100 кОм используют сложные повторители с динамической нагрузкой или истоковые повторители.

2.В выходных каскадах усилителей мощности.

3.В качестве каскада согласования высокоомного источника и низкоомной нагрузки.

Схема электрическая принципиальная простейшего ЭП приведена на рис. 6.1.

Если через нагрузку повторителя допускается протекание постоянной

составляющей тока, то Rнд может быть включено непосредственно в цепи

эмиттера вместо Rэ.

Входное сопротивление ЭП выше, а величина входной емкости и выходного сопротивления ниже, чем у каскада с ОЭ.

К особенности ЭП можно отнести то, что Uвых ≈Uвх и фаза выходного

сигнала совпадает с фазой входного, т. е. сигнал на выходе повторяет си гнал на входе.

Частотные свойства ЭП также значительно лучше, чем у каскада с ОЭ. Так при глубокой ООС: Rист → 0, Rнагр→∞ − верхняя граничная частота каскада стремится к верхней граничной частоте транзистора fТ . Представим ЭП

в виде каскада с ОЭ, схваченным обратной связью.

Rг

Ек

(+)

(–)

Е

Rн

Rб1

Ср1

(–)

(+)

Ср2

(–)

(+)

Rб2

Rнд

Снд

Rэ

Рис. 6.2. Представление каскада

Рис. 6.1. Схема электрическая

принципиальная усилительного

с ОК в виде каскада с ОЭ

каскада с ОК

со 100 % ООС

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-112-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.1.Эмиттерный и истоковый повторители

Вобщем виде с учетом ОС для ЭП можно записать:

	К	u ОС	=		Кu		; К	u ОС	= К		i
				1β+ К
	ZвхК= ZвхZ(1β+ ; )						вых		=1β+.К
										Zвых

1. Определим коэффициент усиления каскада без учета обратной связи:

Кu = (β+1)	Rн	.	(6.1)
	rб′б + rб′э

Из выражения (6.1) видим, что Ku совпадает с коэффициентом усиле-

ния реостатного каскада.

Учитывая, что при глубокой 100 % обратной связи β =1, находим выражение для определения глубины обратной связи:

1β+ К1		(β	+1)R r ′			+ r ′	+ R	(β+1)
	= +			н =	б б	б э	н	,
		r ′				r ′	+ r ′
				+ r ′
		б б		б э		б б	б э

идля коэффициента усиления:

Кu ОС = rб′б +(rбβ′э++1()βR+н 1)Rн , т. е. Кu ОС <1.

2.Входное сопротивление без обратной связи: Rвх = rб′б + rб′э. С учетом обратной связи:

Z К	= Zr	(1β+r	)R=	′ +	′ +β	н	(1 .+	)
вх ОС	вх			б б	б э

В большинстве случаев можно считать, что

Rвх ОС (β+1)Rн,

где Rн = Rэ || Rвхсл ; Rэ || Rнд .

Или в комплексной форме записи:

Zвх ОС = (β+1)Zн.

3. Выходное сопротивление эмиттерного повторителя определяется как внутреннее сопротивление эквивалентного генератора:

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-113-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.1.Эмиттерный и истоковый повторители

		Zвых =		Rr + rб′б + rб′э	.
				(β+1)
Последние выражения для Zвх ОС и Zвых ОС						позволяют заметить, что Zвх
определяется R , а	Z	– R , т.	е. повторитель можно рассматривать как
н	вых	r

трансформатор сопротивлений.

Поскольку верхняя граничная частота повторителя определяется внешними цепями, то для оценки частотных свойств воспользуемся эквивалентной схемой рис. 6.3.

Для области НЧ:

τн = Ср (Rнд + Rвых || Rэ );

для области ВЧ:

τв = Снд (Rвых || Rэ || Rнд ).

Анализ каскада повторителя показывает, что входное сопротивление определяется не только сопротивлением нагрузки, но и сопротивлением Rб = Rб1 || Rб2 . Для повышения Rвх в 2–3 раза используют следующие меры:

1.Уменьшают ток коллектора, при этом возрастают сопротивления Rэ (входит в выражение для Rн ) и Rб ;

2.Применяют гальваническую связь ЭП со следующим каскадом, в этом случае исключается из схемы Rбсл следующего каскада. В результате

увеличивается входное сопротивление Rвх сл .

Для повышения уровня Rвх

до десятков кОм используют сложные по-

вторители (рис. 6.4). В этой схеме транзистор

шунтируется

не Rб1 || Rб2 ,

а сопротивлением Rб3.

Ср1

Ср

Rб1

Rб3

Rвых

Сбл

Ср1

Е

Rэ

Снд

R

Rб2

Снд

Rнд

нд

Rэ

Рис. 6.3. Эквивалентная схема

Рис. 6.4. Схема каскада с ОК

и компенсацией влияния

усилительного каскада с ОК

базового делителя

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-114-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.1.Эмиттерный и истоковый повторители

Рис. 6.5. Схема эмиттерного повторителя

с высоким входным сопротивлением

Сигнал обратной связи подается на базу через последовательно соединенные Rб3 и Сбл , что снижает влияние действия Rб1 || Rб2 и увеличивает

входное сопротивление.

Еще одна возможная схема сложного повторителя представлена на рис. 6.5. В данной схеме на VT 2 реализован генератор стабильного тока, что эквивалентно увеличению сопротивления Rэ до уровня rб′кVT 2 , включение на

выходе дополнительного ЭП на VT 4 увеличивает Rвх сл , динамическая нагрузка на VT3 нейтрализует влияние rб′кVT1, что улучшает частотные свойства каскада на VT1 и также способствует увеличению Rвх . Данная схема позволяет получить Rвх 100 кОм, а в области низких частот Rвх единицы кОм.

Следует отметить склонность ЭП к самовозбуждению из-за условия баланса фаз и амплитуд, особенно в области ВЧ.

Еще большие значения Rвх позволяет полу-

Еп

чить истоковый повторитель (ИП). Простейшая

схема ИП имеет вид, представленный на рис. 6.6.

Ср

С учетом

Rнд

Rз

R

и

Снд

Sэ =

S

Rэ

1

Рис. 6.6. Истоковый повто-

+ Ri

ритель (каскад с ОИ)

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-115-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.1.Эмиттерный и истоковый повторители

определим Ku :

K	u ОС	=		SэZн	= 0,7 −0,9.
			1+ SэZн

тогда

Свх ОС = Сзс +Сзи (1− Кu );

Rвых = S1 .

Следует отметить, что Rвых ИП > Rвых ЭП ; Кu ИП < Кu ЭП.

Входное сопротивление каскада определяется сопротивлением l цепи затвора R3 . Для расширения динамического диапазона следует Rc := 0 ;

Uи = Е2п .

Для повышения входного сопротивления используют те же приемы, что и в каскадах ЭП.

6.2. Каскадсобщейбазойиобщимзатвором

По аналогии с каскадом с ОК каскад с ОБ можно рассматривать как каскад с ОЭ, охваченный 100 % параллельной обратной связью по току рис. 6.7. Каскад с ОБ называют повторителем тока. Простейшая схема каскада с ОБ имеет вид, представленный на рис. 6.8. Для заданного вида связи можно записать:

Кu ОС = Ки ; Кi ОС =

Кi

;

1+ К

i

B

i

Z К=

B Zвх

B

; Z

выхОС

Z =

(1

+

i

).

вхОС

1+ К

i

вых

i

i

Ек

Rг

Rк

Сбл

Е

Rб1

Rн

Ср2

Ср1

Rб2

Rэ

Рис. 6.7. Представление каскада

Рис. 6.8. Электрическая

с ОБ в виде каскада с ОЭ

принципиальная схема

со 100 % ООС

каскада с ОБ

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-116-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.2.Каскад с общей базой и общим затвором

Определим петлевое усиление, имея в виду, что Bi =1:

UК

R

вх

R

вх

К

B

=

вх

u

= К

,

U

i

i

R

вх

u

R

Rн

н

н

тогда Кu ОС = (β+1)

;

Rвх

Кi ОС =

Кu Rвх

=

Кu Rвх

=

Uвых Rвх

=

1

.

1

R

RК+ R

U R U+

R

1

+

RнК1+ u

вх

н

u

вх

вх

н

вых

вх

β

Rн

Кi ОС = ββ+1.

τ= 1τ = б′э .

2πfТ β

Для входного сопротивления:

Z

вх ОС

=

Zвх

=

Zвх

=

Zвх

=

Zвх ОЭ ;

1+βК 1B

1+

Rвх

1

+

Iвых

+

i

i

Кu R

I

н

вх

для полевого транзистора:

Кu = S Rн ; Кi ОС =1; Zвх = S1 .

Иногда каскады ОБ используют в качестве входных при работе от низкоомного источника, но чаще в составе специализированных каскадов.

6.3. Каскоднаясхема. Составныетранзисторы

Каскодная схема (секция ОЭ-ОБ) относится к схемам составных транзисторов, в которой первый транзистор включен по схеме с ОЭ, а второй – по схеме с ОБ.

Достоинства схемы.

1. Слабое влияние емкостей коллекторного перехода на работу каскада, так как первый транзистор нагружен на низкоомное сопротивление каскада с ОБ ( в β раз меньше, чем в схеме с ОЭ). Вследствие этого в данной схеме входное сопротивление Rвх практически не зависит от сопротивления

нагрузки RН .

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-117-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.3.Каскодная схема. Составные транзисторы

2.Частотные свойства секции значительно лучше, по сравнению с каскадами ОЭ. Так, при оптимальных условиях работы площадь секции может на порядок превышать площадь усиления каскада ОЭ.

3.В данной секции значительно меньше уровень нелинейных искажений.

Данная секция может использоваться в выходных каскадах для получения высокого напряжения на нагрузки. Так, транзистор VT2 (ОБ) может быть относительно низкочастотным и высоковольтным, а транзистор VT1 (ОЭ) наоборот.

Рассмотрим усилительные и частотные свойства секции.

K = (β

Rвх ОБ

R

+1)

2

(β

2

+1)

нд

,

1

Rвх ОЭ

Rвх ОЭ

1

2

R

=

Rвх ОЭ2

.

вх ОБ2

β2 +1

Тогда K = (β1 +1)

Rвх ОЭ

(β

+1)R

2

2нд

,

Rвх ОЭ (β2 +1)

Rвх ОЭ

1

2

VT2

VT1 Rк

(ОЭ) (ОБ)

Рис. 6.9. Каскодное

соединение транзисторов (секция ОЭ-ОБ)

Ек

Rк

Rб1

Ср2

Сбл

Снд

Rнд

VT

2

Rб2

Ср1 VT1

		Rэ0
				Сэ0
Rб3

Рис. 6.10. Принципиальная

электрическая схема каскодного усилителя (секция ОЭ-ОБ)

K = (β +1)	Rнд	.
1	Rвх ОЭ
	1

Частотные свойства секции определяются тремя постоянными времени: 1) каскада на транзисторе VT1 (ОЭ)

τ =		RГ + rб'б			τ ;
	R
1б'э		+ r	+ r
	Г	б'б		б'э

2) каскада на транзисторе VT2 (ОБ)

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-118-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.3.Каскодная схема. Составные транзисторы

τ2 = 2π1fΤ2 ;

3)постоянной времени цепи нагрузки

τ	н	= RС(	нд	С+	н	С+	б'к2	).
		нд

Реально, необходимо учитывать постоянные времени каскада на VT1 и цепи нагрузки. Суммарная постоянная времени определяется как:

τ = τ12 +τ22 .

Хорошие частотные свойства сохраняются и при работе на низкоомную нагрузку. Усилительные свойства секции, как уже отмечалось, такие же как и в ОЭ, но Uвых можно получить больше. Входные сопротивления секции

определяются входным сопротивлением первого каскада (ОЭ). Коэффициент передачи тока:

β =	β1 β2	.
	(β2 +1)

Рассмотрим другие разновидности схем на составных (композитных) транзисторах (рис. 6.11, 6.12).

К

К

К

К

К

К

Б

Б

Б

Б

Б

Б

Rб

Rб

Rэ

Rб

Rэ

Э

Rэ

Э

Э

Э

Э

Рис. 6.12. Составной

Э

транзистор ОК-ОК

Рис. 6.11. Схемы составных транзисторов

(схема Дарлингтона)

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-119-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.3.Каскодная схема. Составные транзисторы

Под составным транзистором

понимают комбинацию из двух кас-

К

К

кадно включенных элементов при

непосредственной (гальванической)

связи между

ними. Отметим (без

Б

Б

анализа), что

введение резисторов

(рис. 6.11) заметно снижает усили-

тельные свойства, уменьшает вход-

Э

Э

ное сопротивление (Rб шунтирует

К

К

вход), но позволяет существенно

Б

Б

улучшить частотные свойства, а

значит, уменьшить время установ-

Э

ления при работе в импульсном ре-

Рис. 6.13. Схемы составных

жиме. Рассмотрим схемы составных

транзисторов:

транзисторов ОЭ-ОК

1. Секции ОК-ОК. Известная как схема Дарлингтона или сдвоенный коллекторный повторитель (рис. 6.12).

По сравнению с каскадом с ОК данная схема отличается более высоким входным сопротивлением и коэффициентом передачи по току.

Rвх = Rвх1 + (β1 +1)Rвх2 ,

β=β1 + (β1 +1)β2 .

2.Секции ОЭ-ОК (рис. 6.13). По сравнению с обычным каскадом в схеме с ОЭ данная секция не вносит фазового сдвига: входное сопротивление выше, а выходное – ниже по сравнению с одиночным транзистором в схеме ОЭ, зато коэффициент усиления по току

β=β1(β2 +1).

6.4.Генераторыстабильноготока

Генераторы стабильного тока (ГСТ) представляют собой нелинейный эквивалент высокоомного сопротивления и по своим свойствам приближаются к идеальному источнику тока. В идеале ГСТ должны обеспечивать постоянство выходного тока даже при коротком замыкании цепи нагрузки.

ЕП

I1

R

1

I

I

б1

Iб2

VT2

VT1

Рис. 6.14. Схема генера-

тора стабильноготока

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-120-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.4.Генераторы стабильного тока

ЕE			П	I1	ЕE
I1	R
	1	VT	I		R1 VT2 I
		VT2
VT1					VT1
			RRээ		RRээ
					RRдоп

	а				б
		R			EЕ
I1	R1 2	н	I	I1	R	VT2 I
		VT1
	Iб2	Uбэ' 1	I'		1	V
1
Iк1		I			VT1
	Iб1	I 22
VT3		б	VT2			RRээ
	UI '				RRдоп
		бэ1,2			г

в

Рис. 6.15. Различные схемы реализации генераторов тока

Существует несколько видов ГСТ:

•«отражатели» тока (токовые зеркала), в которых ток, протекая в одной ветви, точно воспроизводится в другой;

•источники ЭДС с большим внутренним сопротивлением, значительно большим сопротивления нагрузки.

Вкачестве ГСТ может быть использована коллекторная цепь транзистора. Здесь большое выходное сопротивление и слабая зависимость Iк от Uк′э .

Взависимости от проводимости транзисторов ГСТ строятся по схемам источников тока или потребителей тока (токоотводов), рис. 6.14.

Винтегральном исполнении обычно используются токоотводы, так как параметры интегральных n–p–n-транзисторов лучше по сравнению с параметрами p–n–p-транзисторов.

Рассмотрим варианты реализации ГСТ.

Вданной схеме (рис. 6.14):

I = Eк −Uб′э1		,
1	R1
I = I + I + I =β I + I + I .
1к1 б1 б2 1 б1		б1 б2

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-121-

6.СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВИДЫ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

6.4.Генераторы стабильного тока

	EЕ		E
			Е
		R1
	Uоп
	VD1	U1	U2
	VD2
		Rэ1	Rэ2
	а	б

Рис. 6.16. Схемы стабилизации опорного напряжения

Ток в нагрузке (П) I = Iк1 =β2Iб2 .

Параметры транзисторов абсолютно одинаковы, поэтому

I1б1 I1 (β +1)б2+ I			1.
	=
I		β I
		2б2

Отсюда название «токовые зеркала» δI =3–5 % Rвых 1 МОм.

В данной схеме отношение токов определяется отношением эмиттерных площадей (переходов) и не превышает значений 1–5. Для стабилизации токов I низкого уровня в цепь эмиттера вводят резистор (рис. 6.15, а).

Для схемы (рис. 6.15, а):

Rэ = ϕIТ ln II1 ,

Rэ – резистор ООС, увеличивает Rвых ГСТ.

Для того чтобы одновременно увеличить выходное сопротивление ГСТ и не уменьшать ток I , в цепь VT1 включают дополнительное сопротивление Rдоп

(рис. 6.15, б).

На рис. 6.15, в представлена схема ГСТ, в которой реализована ООС и где ток I в нагрузке не зависит от параметров этой нагрузки.

В данной схеме:

I1к=1 I б+3 I

I = Iк2 = Iб1 + Iб2 − Iб3

Данные токи не зависят от Rн и определяются Uб′э1, Uб′э2 , Uб′э3 .

Стабильность ГСТ также определяется стабильностью источника питания. Поэтому Uпит ГСТ берут от источника опорного Uоп (рис. 6.16, а, б).

 Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учеб. пособие

-122-