3.2 Порядок проведения экспериментов

Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел.

Эксперимент 1 - Определение статического коэффициента передачи тока транзистора

1) Собрать схему по рисунку1. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер, рассчитать статический коэффициент передачи транзистора .

2) Изменить номинал источника ЭДС до 2,68В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать коэффициент .

3) Изменить номинал источника ЭДС до 5В. Запустить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора_DC.

Эксперимент 2 - Измерение обратного тока коллектора

На схеме рисунка 1 изменить номинал источника ЭДС Е_б до 0 В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора для данных значений тока базы и напряжения коллектор-эмиттер.

Эксперимент 3 - Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ

а) В схеме (рисунок 1) провести измерения тока коллектора для каждого значения Е_к и Е_б. Заполнить таблицу 1. По данным таблицы построить семейство зависимостей от Е_к для каждого значения Е_б.

б) Собрать схему по рисунку 2. Включить схему. Зарисовать осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб. Повторить измерения для каждого значения Е_б из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовать на одном графике.

в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи тока при изменении базового тока с 10 мкА до 30 мкА, .

Рисунок 2

Эксперимент 4 - Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ

1) Вернуться к схеме собранной по рисунку 1.. Установить значение напряжения источника Е_к = 10В и провести измерения тока базы, напряжения база-эмиттер, тока эмиттера и коллектора для различных значений напряжения источника Е_б в соответствии с таблицей 2. Обратите внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

2) По данным таблицы 2 построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

3) Собрать схему по рисунку 3. Включить схему. Зарисовать входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб.

4) По входной характеристике найти сопротивление при изменении базового тока с 10 мкА до 30 мкА.

Рисунок 3

Эксперимент 5 - Получение входной характеристики транзистора в схеме с общей базой

1) По данным таблицы 2 построить график зависимости тока эмиттера от напряжения база-эмиттер.

2) Собрать схему по рисунку 4. Включить схему. Зарисовать осциллограмму полученной характеристики.

3) По полученной характеристике найти сопротивление при изменении эмиттерного тока с 5 мА до 10 мА.

4) Найти сопротивление по формуле, используя значениеиз таблицы 2 при.

Рисунок 4

3.3 Результаты экспериментов

Эксперимент 1 - Определение коэффициента передачи транзистора по постоянному току

1) Напряжение источника ЭДС Е_б - 5.7 В

Ток базы транзистора I_б= 49.15uA

Ток коллектора транзистора I_к= -9.332mA

Напряжение коллектор-эмиттер U_кэ= 10 B

Статический коэффициент передачи _DC =189.9A

2) Напряжение источника ЭДС Е_б - 2.68 В

Ток базы транзистора I_б= 19.23uA

Ток коллектора транзистора I_к= -3.762mA

Напряжение коллектор-эмиттер U_кэ= 10 B

Статический коэффициент передачи _DC =195.6

3) Напряжение источника ЭДС Е_к = 5 В

Ток базы транзистора I_б= 19.23uA

Ток коллектора транзистора I_к= -3.609mA

Напряжение коллектор-эмиттер U_кэ= 5 B

Статический коэффициент передачи _DC = 3.609*10^-3

Эксперимент 2 - измерение обратного тока коллектора

Обратный ток коллектора I_ко= -10uA

Ток базы транзистора I_б= 0

Напряжение коллектор – эмиттер U_кэ= 10 B

Эксперимент 3 - Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Таблица 3

Еб, В	Iб, мкА	Еб, В
		0.1	0.5	1	5	10	20
		Iк, мА
1.66	9.245	783.3	1.604	1.612	1.673	1.749	1.901
2.68	19.23	1.665	3.453	3.469	3.595	3.753	4.069
3.68	29.11	2.479	5.209	5.442	5.442	5.687	6.129
4.68	39.02	3.269	6.903	7.493	7.182	7.493	8.115
5.7	49.15	4.041	8.568	8.914	8.914	9.299	10.07

Коэффициент передачи тока _АС ___________

Эксперимент 4 - Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Таблица 4

Еб,, В	Iб, мкА	Uбэ, мВ	Iк, мА	Iэ, мА
1.66	9.245	735.5	1.749	1.747
2.68	19.23	757.1	3.753	3.762
3.68	29.11	769.3	5.657	5.676
4.68	39.02	778.2	7.493	7.521
5.7	49.15	785.3	9.299	9.337

Сопротивление r_вх, рассчитанное по результатам измерений

Эксперимент 5 - Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОБ

Сопротивление r_э =25/I_б

Расчет по результатам измерений I _б = 20 мкА