4.2 Порядок проведения экспериментов

Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел.

Эксперимент 1 - Построение статической выходной характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом для схемы с общим истоком

1) Собрать и включить схему и произвести измерения тока стока в соответствии с данными таблицей 1 раздела "Результаты экспериментов". По полученным данным построить семейство статических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом.

2) Определить значение внутреннего сопротивления канала полевого транзистора при,.

3) По полученным данным построить проходную характеристику при .

4) Определить значение крутизны S проходной характеристики при .

5) Определить статический коэффициент усиления полевого транзистора .

Рисунок 2

Эксперимент 2 - Построение динамической выходной характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом для схемы с общим истоком

Собрать схему по рисунку 3. Режим работы осциллографа задать в соответствии с рисунком 4. Зарисовать осциллограммы выходных характеристик полевого транзистора схемы с общим истоком при значениях сопротивления : 10 Ом, 100 Ом, 1 кОм, 10 кОм .

Рисунок 3

Рисунок 4

4.3 Результаты экспериментов

Эксперимент 1 - Построение статической выходной характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом для схемы с общим истоком

1)

Таблица 1

	Uз ,В	Uc, В
		0.1	0.5	1	5	10	15	20
		Iс , мА
	1.3
	1.2
	1.1
	0.9
	0.7
	0.5
	0.3
	0.1
	0

2) Внутреннее сопротивление канала полевого транзистора при ,R_к= ___________

3) Проходная характеристика при ,

4) Крутизна полевого транзистора при ,S=________

5) Статический коэффициент усиления полевого транзистора _______

Эксперимент 2 - Построение динамической выходной характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом для схемы с общим истоком

Осциллограммы выходных динамических характеристик полевого транзистора схемы с общим истоком при значениях сопротивления : 10Ом, 100 Ом, 1 кОм, 10 кОм .

Вопросы

1. Что такое униполярный транзистор?

2. Почему полевые транзисторы с управляющим рп-переходом не должны работать при прямом напряжении на входе U_{зи ?}

3. Из каких соображений концентрация примеси в канале должна быть меньше чем на затворе?

4. Что такое пороговое напряжение отсечки?

5. От чего зависит ток стока полевого транзистора?

6. Как определяется внутреннее сопротивление канала полевого транзистора?

7. Что можно сказать по выходным характеристикам о зависимости тока стока от напряжения на затворе?

8. Какие участки можно выделить на входной характеристике полевого транзистора?

9. Одинаково ли значение крутизны в любой точке входной характеристики?

10. Одинаково ли значение внутреннего сопротивления канала при любом значении напряжения на затворе.