ТЭСТ ОЭиИТ
.docx<variant> форма сигнала
<variant> частота сигнала
<variant> частота и форма сигнала
<variant> никакой параметр не искажается
<variant> нет правильного ответа
< question > Какие конструктивные особенности принципиально отличают базу от эмиттера и коллектора?
<variant> толщина
<variant> тип примеси
<variant> концентрация примеси
<variant> все вышеуказанные
<variant> нет правильного ответа
< question > Из какого материала изготовлена база транзистора, марка которого начинается с цифры 2?
<variant> из кремния
<variant> из германия
<variant> из платины
<variant> из алюминия
<variant> нет правильного ответа
< question > Полевой транзистор - это…
<variant> полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электронными переходами и тремя выводами
<variant> полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал
<variant> прибор, проводимость которого зависит от источника питания
<variant> прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими переходами
<variant> среди ответов нет правильного
< question > Схема включения биполярного транзистора ОК характеризуется:
<variant> усилением по току, отсутствием усиления по напряжению
<variant> усилением по току и мощности
<variant> отсутствием усиления по току, большим усилением по напряжению и мощности
<variant> усилением по току, напряжению и мощности
<variant> среди ответов нет правильного
< question > Что такое варикап?
<variant> [+]полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости от значения приложенного напряжения
<variant> прибор, проводимость которого зависит от источника питания
<variant> комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичной системе счисления
<variant> прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими переходами
<variant> среди ответов нет правильного
< question > Как изменяется ток стока при увеличении напряжения на затворе?
<variant> уменьшается
<variant> увеличивается
<variant> не меняется
<variant> циклически изменяется
<variant> среди ответов нет правильного
< question > Схема включения биполярного транзистора ОБ характеризуется.
<variant> отсутствием усиления по току, большим усилением по напряжению и мощности
<variant> усилением по току, отсутствием усиления по напряжению
<variant> усилением по току и мощности
<variant> усилением по току и напряжению
<variant> среди ответов нет правильного
< question > Что произойдет, если в транзисторе p-n-p плюс подключить к коллектору, а минус - к эмиттеру?
<variant> уменьшится коэффициент усиления
<variant> транзистор не будет работать
<variant> прибор выйдет из строя
<variant> прибор будет работать в обычном режиме
<variant> среди ответов нет правильного
< question > Транзистор включен по схеме ОК. Коэффициент усиления по току равен 0,95 при ОБ. Чему равен коэффициент усиления по току?
<variant> 19
<variant> 1
<variant> 0,95
<variant> 20
<variant> 0
< question > Как называется зависимость Iк=f(Iэ) при Uкэ=const?
<variant> входной характеристикой
<variant> выходной характеристикой
<variant> переходной характеристикой
<variant> внутренней характеристикой
<variant> нет правильного ответа
< question > Тиристор -полупроводниковый прибор, имеющий ….выпрямляющих переходов:
<variant> 3 и более
<variant> 2
<variant> 0
<variant> 1
<variant> нет верных
< question > Динистор - полупроводниковый прибор имеющий …. вывода:
<variant> 2
<variant> 1
<variant> 0
<variant> 4
<variant> нет верных
< question > Из скольких областей состоит структура диодного тиристора:
<variant> 4
<variant> 3
<variant> 1
<variant> 2
<variant> нет верных
< question > Какие выводы имеет тиристор:
<variant> анод,катод,управляющий электрод
<variant> медный и алюминиевый
<variant> колектор и эмитор
<variant> анод,катодная сетка, шнур
<variant> все ответый верный
< question > В каких устойчивых состояниях может находится тиристор, при подачи ни чего прямого напряжения:
<variant> закрытом и открытом
<variant> полузакрытом и полуоткрытом
<variant> полуоткрытом и полузакрытом
<variant> полуоткрытом и закрытом
<variant> нет верных
< question > почему коэффициент усиление инвертирующего усилителя не может быть менее единицы?
<variant> изменение коэффициента передачи усилителя до величины, меньшей единицы, достигается за счет действия входного делителя
<variant> 2
<variant> 1
<variant> 4
<variant> нет верных
< question > Сколько управляющих выводов у тиристора:
<variant> 3
<variant> 2
<variant> 1
<variant> 4
<variant> нет верных
< question > Толстыми принято называть пленки (толсто пленочных микросхем) толщиной которых превышает:
<variant>1 микрон
<variant> 3 микрон
<variant> 100 микрон
<variant> 20 микрон
<variant> нет верных
< question > Что обеспечивает широкое применение толстопленочным схемам, в чем их преимущество:
<variant> все перечисленные
<variant> качественность воспроизводимого входа
<variant> точность и стабильность
<variant> влагостойкость
<variant> температура стойкость, светопоглащений
< question > Электрод, в полевом транзисторе служащии для регулирования поперечного сечения канала называет:
<variant> затвором
<variant> истоком
<variant> стоком
<variant> каналом
<variant> нет правильного
< question > Из скольки секций состоит П.З.С.
<variant> 3
<variant> 2
<variant> 1
<variant> 4
<variant> 5
< question > Электрод, в полевом транзисторе, из которого в канал входят основные носители заряда называет:
<variant>истоком
<variant> затвором
<variant> каналом
<variant> стоком
<variant> нет правильного
< question > Электрод в полевом транзисторе через который основные носители уходят из канала называет:
<variant> стоком
<variant> каналом
<variant> истоком
<variant> затвором
<variant> нет правильны
< question > Как назывются примеси, добавляющие в полупроводниковый свободные электроны.
<variant> донорные
<variant> акцепторные
<variant> без разницы
<variant> среди ответов нет праильных
<variant> рецепторные
< question > На сколько типов делятся примесные полупроводники?
<variant> на два типа
<variant> три типа
<variant> существует только один тип
<variant> на пять типов
<variant> на четыре типа
< question > С помощью чего создаются полупроводники в которых основными носителями зарядов служат электроны?
<variant> акцепторов
<variant> силы тока
<variant> напряжения
<variant> атомов
<variant> доноров
< question > Для дырочных полупроводников уровень Wf в какую сторону смещается?
<variant> к потолку валентной зоны
<variant> никуда не смещается
<variant> в центр
<variant> к зоне проводимости
<variant> в центр и к зоне проводимости
< question > Какие полупроводники смещают свой Wf уровень по направлению к дну зоны проводимости?
<variant> электронные полупроводники
<variant> примесные
<variant> дырочные
<variant> акцепторные
<variant> примесные и дырочные
< question > Под воздействием чего дрейфовый ток обусловлен перемещению носителей зарядов, электронов или дырок?
<variant> электрического поля
<variant> силы тока
<variant> напряженности
<variant> напряжения
<variant> силы тока и электрического поля
< question > У каких из названных металлов содержится большее количество электронов и дырок ?
<variant> Si
<variant> Ge
<variant> Ga
<variant> As
<variant> As, Si, Ga и Ge
< question > Подвижность носителей зарядов с расчетом температуры будет падать. Чем это вызвано?
<variant> скорость носителя заряда падает
<variant> тепловым пробоем
<variant> большим числом столкновением частиц
<variant> разрушением кристаллической решетки
<variant> нет правильных ответов
< question > Для чего предназначен полупроводниковый диод?
<variant> для преобразования переменного тока в постоянный ток
<variant> для большей проводимости
<variant> для преобразования постоянного тока в переменный
<variant> для накопления заряда
<variant> для накопления заряда и большей проводимости
< question > Доноры и акцепторы в полупроводнике могут быть ионизированы под действием энергии, поступающей в кристалл в виде?
<variant> квантов
<variant> примесей
<variant> электрона
<variant> люминесценцией
<variant> электрона и люминесценцией
< question > Если внешнее напряжение приложено так, что создаваемое им, напряженность электрического поля противоположно по направлению диффузионной напряженности, где суммарная напряженность P-N перехода падает. И высота потенциального барьера уменьшается. К чему приводит этот процесс?.
<variant> к появлению малого тока через P-N переход
<variant> к увеличению запретной зоны
<variant> ничего не происходит
<variant> к уменьшению запретной зоны и появлению большого тока через P-N переход
<variant> нет правильных ответов
< question > Какие свободные электроны могут существовать в полупроводнике ?
<variant> легкие
<variant> центральные
<variant> малые
<variant> большие
<variant> нет правильных ответов
< question > Доноры и акцепторы в полупроводнике могут быть ионизированы под действием энергии, поступающей в кристалл в виде?
<variant> квантов
<variant> примесей
<variant> электрона
<variant> люминесценцией
<variant> электрона и люминесценцией
< question > Какой электрон будет называться с малой эффективной массой и большой подвижностью в центральной долине?
<variant> легкий
<variant> малый
<variant> тяжелый
<variant> центральный
<variant> центральный и легкий
< question > Как называется процесс, при котором энергия квантов света идет на ионизацию атомов полупроводника.
<variant> собственным поглощением
<variant> световым пробоем
<variant> люминесценцией
<variant> тепловым пробоем
<variant> световым пробоем и люминесценцией
< question > Люминесценцией - это?
<variant> ультрафиолетовое излучение
<variant> магнитное излучение
<variant> электромагнитное излучение и не тепловое
<variant> тепловое излучение
<variant> тепловое излучение и магнитное излучение
< question > Для возникновения люминесценцией в полупроводнике атомы полупроводника должны быть выведены из …
<variant> состояния термодинамического равновесия
<variant> возбуждающего состояния
<variant> теплового состояния
<variant> электрического поля
<variant> динамического равновесия
< question > Излучение квантов света из полупроводника может происходить в результате перехода электрона?
<variant> на более высокий энергетический уровень
<variant> возбуждающее состояние
<variant> на средний энергетический уровень
<variant> на более низкий энергетический уровень
<variant> магнитное излучение и возбуждающее состояние
< question > Генерация носителей заряда это-
<variant> образование свободных электронов и дырок
<variant> ионизация атомов полупроводника
<variant> переход электронов из одной зоны в другую
<variant> переход электронов и дырок в свободную зону
<variant> нет правильных ответов
< question > Энергетические уровни валентных электронов при расщеплении образуют?
<variant> валентную зону
<variant> зону проводимости
<variant> ничего не образуют
<variant> тепловой пробой
<variant> нет правильных ответов
< question > Чем характеризуется запретная зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости?
<variant> толщиной запрещенной зоны
<variant> длиной запрещенной зоны
<variant> площадью запрещенной зоны
<variant> шириной запрещенной зоны
<variant> длиной запрещенной зоны и шириной запрещенной зоны
< question > Назовите процесс обратной генерации?
<variant> рекомбинация носителей заряда
<variant> освещение носителей заряда
<variant> излучение носителей заряда
<variant> люминесценция
<variant> люминесценция и освещение носителей заряда
< question > Что называется собственным полупроводником?
<variant> без донорных и акцепторных примесей
<variant> с большой концентрацией примесей
<variant> средней концентрацией примесей
<variant> с донорными, но без акцепторными примесями
<variant> средней концентрацией примесей и с большой концентрацией примесей
< question > Что отсутствует в полупроводнике при температуре абсолютного нуля?
<variant> носители заряда
<variant> атомы
<variant> дырки
<variant> концентрация примесей
<variant> дырки и атомы
< question > Чем занята валентная зона в собственном полупроводнике при температуре абсолютного нуля?
<variant> дырками
<variant> дырками и электронами
<variant> ничем не занята
<variant> электронами
<variant> носителями заряда
< question > Назовите полупроводник, у которого электрические характеристики определяются донорными или акцепторными примесями?
<variant> примесный
<variant> собственный
<variant> любой
<variant> жидкий
<variant> собственный и любой
< question > Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, то какого типа является это полупроводник?
<variant> N-типа
<variant> PN-типа
<variant> P- типа
<variant> NP-типа
<variant> NP-типа и N-типа
< question > Условно к полупроводникам относятся вещества, удельное сопротивление которых лежит в пределах:
<variant>
Ом*см
<variant>
Ом*см
<variant>
Ом*см
<variant>
Ом*см
<variant>
Ом*см
< question > Каковы: а). размеры электрона, б) масса электрона?
<variant> а) сравнимы с размерами ядра, б) пренебрежимо мала
<variant> а), б) пренебрежимо малы
<variant> а), б) сравнимы с размерами и массой ядра
<variant> а) пренебрежимо малы, б) сравнима с массой ядра
<variant> нет правильного ответа
< question > Какой атом называется возбужденным?
<variant> атом, поглотивший один или несколько квантов энергии
<variant> атом, поглотивший один квант энергии
<variant> атом, из которого вырван электрон
<variant> атом, из которого вырвана дырка
<variant> атом, из которого добавлен электрон
< question > Чем определяется разница энергии подуровней разрешенной энергетической зоны атома в кристалле?
<variant> всеми перечисленными факторами
<variant> материалом кристалла
<variant> количеством атомов в кристалле
<variant> шириной зоны
<variant> нет правильного ответа
< question > Какой кристалл лучше проводит электричество при T=0 К?
<variant> у которого число электронов в валентной зоне равно половине максимально возможного
<variant> у которого в валентной зоне находится максимально возможное количество электронов
<variant> у которого число электронов больше числа атомов
<variant> у которого максимальное количество электронов превышает число дырок
<variant> нет правильного ответа
< question > Валентная зона кристалла отделена от зоны проводимости запрещенной зоной и полностью заполнена электронами. Чему равна проводимость кристалла при T=0 К?
<variant> нулю
<variant> бесконечна велика
<variant> это зависит от материала
<variant> зависимость от мощности, приложенной к кристаллу
<variant> нет правильного ответа
< question > У какого материала зона проводимости отделена от валентной зоны узкой запрещенной зоной?
<variant> у полупроводника
<variant> у проводника
<variant> у изолятора
<variant> у арсенида галлия
<variant> нет правильного ответа
< question > Какие факторы создают собственную электропроводность кристалла?
<variant> все перечисленные 1,2,3
<variant> 1) ультрафиолетовое облучение
<variant> 2) радиация
<variant> 3) повышение температуры
<variant> нет правильного ответа
< question > Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?
<variant> увеличивается ширина зоны проводимости
<variant> увеличивается длина свободного пробега электрона
<variant> увеличивается количество пар свободных носителей заряда
<variant> все ответы правильные
<variant> все ответы неправильные
< question > От чего зависит значение примесной электропроводности кристалла?
<variant> от материала примеси
<variant> от количества примеси
<variant> от материала примеси, от количества примеси
<variant> от уменьшения зоны запретной зоны
<variant> нет правильного ответа