- •1 Електричне поле
- •1.1 Короткі відомості про будову|споруду| матерії
- •Елементарні частинки|частки| і їх електромагнітне поле – особливий вид матерії
- •Хімічні зв'язки в молекулах і кристалах
- •Зонна діаграма твердого тіла
- •1.2 Закон кулона. Напруженість електричного поля
- •1.3 Робота при переміщенні заряджених частинок в електричному полі
- •1.4 Провідники в електричному полі
- •1.5 Електричний струм|тік| в провідниках
- •1.6 Розрахунок електричних ланцюгів|цепів| постійного струму|току| Схеми эаміщення електричних ланцюгів
- •1.7 Закони кірхгофа
- •Перший закон Кірхгофа
- •Другий закон Кірхгофа
- •1.8 Метод контурних струмів |токів|
- •2 Магнітне поле та магнітні ланцюги|цепи|
- •2.1 Робота при переміщенні проводу із|із| струмом|током| у|проводу| магнітному полі. Магнітний потік і потокозчеплення
- •2.2 Індуктивність і взаїмоіндуктивність
- •2.3 Обчислення індуктивності
- •Індуктивність котушки|катушки|
- •2.4 Магнітні властивості речовини. Закон повного|цілковитого| струму|току|
- •3 Електричні ланцюги постійного току
- •3.1 Структура електричних ланцюгів
- •3.2 Одноконтурні лінійні електричні ланцюги
- •3.3 Багатоконтурні лінійні електричні ланцюги
- •Контрольні запитання
- •4 Електричні ланцюги змінного струму
- •4.1 Генерування синусоїдальних електричних величин
- •4.2 Прості лінійні електричні ланцюги синусоїдального струму
- •Контрольні запитання
- •5 Асинхронні машини
- •5.1 Призначення і будова асинхронних машин
- •5.2 Робота трифазної асинхронної машини у режимі двигуна
- •5.3 Асинхронні виконавчі двигуни і тахогенератори
- •6 Синхронні машини
- •6.1 Призначення і будова синхронних машин
- •6.2 Робота трифазної синхронної машини у режимі генератора
- •6.3 Призначення і будова машин постійного струму
- •Контрольні запитання
- •7 Основи електроніки
- •7.1 Електричний струм у напівпровідниках.
- •7.1.1 Класифікація речовин за провідністю
- •Отже, швидкість рекомбінацій
- •7.1.2 Струми власних напівпровідників
- •Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові
- •7.2 Домішкові напівпровідники
- •7.3 Дифузія носивїв заряду у напівпровідниках
- •7.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •7.4.1 Електронно-дірковий перехід без зовнішнього електричного поля
- •7.4.2 Електронно-дірковий перехід із зовнішнім джерелом напруги
- •7.5 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого р-п-переходу
- •7.6 Ємнісні властивості p-n-переходу
- •7.7 Пробій р-п-переходу
- •7.8 Перехід метал – напівпровідник
- •8 Генератори синусоїдальних коливань
- •8.1. Підсилювачі безперервних сигналів
- •8.1.1 Принцип роботи підсилювача безперервних сигналів на лампі
- •8.2 Типова принципова схема підсилювача безперервних сигналів на тріоді
- •8.3 Вибір робочої точки і способи створення напруги автоматичного зсуву
- •8.4 Фізичні процеси в підсилювачі при підсиленні імпульсних сигналів
- •8.5 Типова схема підсилювача імпульсних сигналів на пентоді
- •8.6 Підсилювачі зі зворотним зв'язком
- •8.6.2 Вплив зворотного зв'язку на характеристики підсилювача
- •9 Транзистори
- •9.1 Визначення транзистора
- •9.2 Напівпровідникові підсилювачі
- •10 Cпрямляючі пристрої
- •11 Мікроелектроніка та цифрова техніка
- •11.1 Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •11.2. Особливості інтегральних схем як нового типу напівпровідникових приладів
- •11.3 Класифікація інтегральних мікросхем
- •11.4 Система умовних позначень інтегральних мікросхем
- •11.5 Загальна характеристика цифрових інтегральних мікросхем
- •11.5.1 Елементарні логічні операції
- •11.5.2 Характеристики і параметри цифрових інтегральних схем
- •11.5.3 Класифікація цифрових інтегральних схем
- •11.6 Тригери
- •Основи електроніки, автоматики та
- •Основи електроніки, автоматики та цифрової техніки
- •65016, Одеса, вул.Львівська, 15
11.5.2 Характеристики і параметри цифрових інтегральних схем
Для оцінки властивостей логічних елементів використовують вхідну, вихідну і передавальну статичні характеристаки. Вхідна характеристика являє собою залежність Івх = f(Uвх), якщо Iвих = 0, і використовується для розрахунку умов узгодження даного елемента з попереднім в різних режимах роботи. Вихідна характеристика описується залежністю Iвих = f(Uвих), якщо Івх = 0, і дозволяє розраховувати умови узгодження даного елемента. Передавальна характеристика - це залежність Uвих = f(Uвх), якщо Iвих = 0. Її використовують для визначення порогів справдовування елементів і їх завадостійкості у тій чи іншій схемі.
Статичні характеристики дозволяють визначати статичні параметри ЦІС: потужність споживання в стані логічного нуля Р°спoж (PCCL); потужність споживання в стані логічної одиниці Р1спож (PCCн) і середню потужність споживання Рспoжюс. (PCCAV) - півсуму потужностей, що їх споживає мікросхема від джерел живлення в двох різних стійких станах; вхідну U0вх (UIL) і вихідну U0вих ( UОL) напруги логічного нуля; вхідну U1вх (UIH) і вихідну U1вих ,( UОH) напруги логічної одиниці; вхідний І0вх (IL) і вихідний І0вих (IOH) струми логічного нуля; вхідний І1вх (IIH) і вихідний І1вих (IOH) струми логічної одиниці; струм споживання ЇМС у стані логічного нуля ICCL, у стані логічної одиниці (ICCH ); вихідну гіорогову напругу логічного нуля U0вих.пор(UTOL) - найбільше значення низького рівня напруги IМС при пороговій напрузі на виході; вихідну порогову напругу високого рівня U1вих.пор(UTOH) - найбільше значення напруги високого рівня на виході ІМС при пороговій напрузі на вході; вхідну порогову напругу високого рівня U1вх.пор(UTIH) - найменше значення напруги високого рівня на вході ІМС, за якого відбувається перехід ІМС з одного стійкого стану в інший; вхідну порогову напругу низького рівня U0вх.пор(UTIL) - найбільше значення напруги низького рівня на вході ІМС, за якого відбувається перехід ІМС з одного стійкого стану в інший; коефіцієнт об'єднання за входом KNI - кількість входів мікросхеми, за яким реалізується логічна функція; коефіцієнт розгалуження за виходом N - кількість одиночних навантажень, які можна одночасно підключати до виходу мікросхеми; допустиму напругу статичної завади Uст.з - найбільшу допустиму напругу статичної завади для високого й низького рівнів вхідної напруги, за якої ще не відбувається зміна рівнів вихідної напруги мікросхеми.
Властивості ЦІС в режимі перемикання характеризують динамічні параметри (рис. 11.3, б): t0,1(tTLH) - тривалість переходу логічної мікросхеми зі стану логічного нуля у стан логічної одиниці; t0,1(tTLH) - тривалість переходу ІМС із стану логічної одиниці у стан логічного нуля; t1,0затр (tDHL.) -тривалість затримки вмикання (інтервал часу між вхідним та вихідним імпульсами під час зміни напруги на виході ІМС від напруги логічної одиниці до напруги логічного нуля); t0,1затр (tDLH.) - тривалість затримки вимикання ІМС (інтервал часу між вхідним та вихідним імпульсами під час зміни напруги на виході ІМС від напруги логічного нуля до напруги логічної одиниці); t1,0затр.пош (tPHL.) - тривалість затримки поширення сигналу під час вмикання (інтервал часу між вхідним та вихідним імпульсами під час зміни напруги на виході від напруги логічної одиниці до напруги логічного нуля, виміряний на рівні 0,5 амплітуди імпульсів); t0,1затр(tPHL.) - тривалість затримки поширення сигналу під час вимикання ІМС (інтервал часу між вхідним та вихідним імпульсами під час зміни напруги на виході ІМС від логічної нуля до логічного одиниці), виміряний на рівні 0,5 амплітуди імпульсів); t1,0затр.пош.с (tPAV.) - середня тривалість затримки поширення (інтервал часу, що дорівнює півсумі часу затримки поширення сигналу в моменти вмикання та вимикання ІМС).
Цифрові ІМС характеризуються широким діапазоном електричних параметрів. Найважливішим їх показником, що визначає багато властивостей та область використання, є швидкодія. Із цим параметром безпосередньо пов'язаний другий важливий показник - потужність, що споживається від зовнішнього джерела живлення. Чим вища частота перемикання схеми, тим витрачається більша потужність. У свою чергу, ця потужність визначає рівень потужності, яка розсіюється елементами ІМС, а через цей показник - допустиму щільність розміщення елементів у напівпровідниковому кристалі, тобто рівень інтеграції.
Рис. 11.3 - Визначення параметрів ЦІС:
а - передавальна характеристика інвертора;
б - осцилограми вхідних та вихідних імпульсів
Електронні ключі в ЦІС, перебуваючи в режимі насичення або відсікання, розсіюють незначну потужність (PC = ICUCE). У цих режимах або струм малий, або напруга мала. Потужність, що розсіюється транзисторами, значно зростає під час перемикання, коли струм вже збільшився, а напруга ще не зменшилася до напруги насичення. Сумарна тривалість такого перехідного стану тим більша, чим більша частота інформаційних сигналів. Зрозуміло, що тривалість перемикання визначається затримкою вмикання - вимикання ключів.
Час затримки сигналів збільшує роботу перемикання, яка визначається добутком тривалості затримки на потужність, що споживається.