KonspektOKPMRES
.pdfА.С. Муранов
ОСНОВЫ КОМПЬЮТЕРНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ
Конспект лекций
Наука и техника 2008
2
1. Общие сведения о компьютерном проектировании
Сколько программистов нужно для того, чтобы вкрутить лампочку? … Ни одного! Это аппаратная проблема и программисты ее не решают.
1.1. Основные понятия дисциплины
Компьютерное проектирование радиоэлектронной аппаратуры – это разработка электронных устройств с помощью вычислительной техники. Вместо того чтобы многократно собирать и проверять работу устройства, проводят его моделирование на ПЭВМ.
Что позволяет получить использование ПЭВМ?
-уменьшение сроков проектирования;
-снижение материальных затрат;
-повышение качества проекта;
-повышение производительности труда.
Однако, проведение проектирования только на базе компьютерного моделирования не верно. В конечном итоге все определяют натурные испытания. На успешный результат проектирования влияет прежде всего человеческий фактор: образованность и талант радиоинженера.
Цель дисциплины – усвоение понятий и методологии компьютерного проектирования, изучение математических моделей и алгоритмов решений типовых задач в среде схемотехнического проектирования Circuit Maker.
Базовые термины дисциплины:
•проектирование – процесс создания еще не существующего объекта на основе первичного описания.
•проект – комплект научно-технической документации, необходимый для изготовления и использования устройства;
Всостав проекта входят:
-функциональная схема – совокупность блоков математических функций и связей между блоками. Функциональная схема необходима для создания технического описания, в котором поясняются принципы работы устройства;
-структурная схема – совокупность блоков и связей согласно принципиальной схеме;
3
-принципиальная электрическая схема – символическое представление реальных элементов схемы и связей между ними;
-перечень элементов принципиальной схемы – таблица с номиналами и типами элементов;
-печатная плата;
-сборочный чертеж и чертежи конструкции;
-инструкции по сборке, наладке, испытаниям и эксплуатации.
•SPICE – Simulation Program with Integrated Circuit Emphases
•САПР – система автоматизированного проектирования: ПЭВМ с соответствующим программным обеспечением, а также некоторые специализированные средства: измерительная аппаратура, программаторы, паяльная станция и т.д.
•CAD – компьютер помогает проектированию;
•CAM - компьютер помогает производству.
1.2.Способы проектирования
Взависимости от степени применения ЭВМ различают три способа проектирования.
•Неавтоматизированное проектирование. Применение ЭВМ минимально. Используется, когда отсутствуют либо математические модели с соответствующим программным обеспечением, либо ЭВМ.
Сводится к расчетам по приближенным формулам и натурному макетированию. Натурное макетирование - процесс дорогой и длительный, однако дающий истинные результаты.
•Автоматическое проектирование – без участия человека. Возможно в простых, хорошо изученных системах с идеальными математическими моделями. Например, расчет ФНЧ на базе высококачественного операционного усилителя.
•Автоматизированное проектирование – активное участие человека, вооруженного системой проектирования на базе ПЭВМ. Преимущества: можно легко и быстро менять схему и параметры компонентов, можно установить параметры, недоступные в реальном объекте. Возможно исследование предельных и запредельных режимов без материальных затрат. Можно прогнозировать изменение характеристик во времени, т.е. срок эксплуатации.
4
Недостатки: имеем дело с математической моделью, которая может не достаточно точно учитывать некоторые характеристики реальных объектов.
1.3. Математическая модель и математическое моделирование
Математическая модель – отображение основных свойств объекта математическими методами: линейные, нелинейные, дифференциальные, логические и другие уравнения.
Математическое моделирование – процесс решения задачи для математической модели. При моделировании на основании внутренних и внешних параметров рассчитываются выходные параметры объекта.
Внутренние параметры – это физические величины, характеризующие свойства элементов объекта – параметры элементов (сопротивление, емкость), структура принципиальной электрической схемы.
Внешние параметры – физические величины, характеризующие свойства внешней среды (температура, входной сигнал). Выходные параметры - физические величины, характеризующие свойство объекта в целом. Есть результат решения уравнений математической модели. Могут представляться в виде чисел или функциональных зависимостей (аналитических решений). Выходные параметры являются показателями качества системы (статическая характеристика, АЧХ, переходная характеристика).
Классификация моделей
•факторная модель - выходные параметры представлены в явном виде. Дает, как правило, аналитическое (явное) решение.
•фазовая модель - когда выходные параметры есть следующие друг за другом состояния. Решения, как правило, - численные.
Требования к математическим моделям
•адекватность
•универсальность
•экономичность
5
1.4. Типовые задачи и этапы автоматизированного проектирования
Анализ – разложение на составные части. Легко поддается автоматизации. Результат решения:
•одновариантный – одна зависимость.
•многовариантный – несколько зависимостей одновременно (например, от температуры), что повышает качество проектирования, поскольку возможна оптимизация.
Синтез – соединение отдельных частей в единое целое. Служит для создания нового объекта. Синтез плохо поддается формализации и является, как правило, интеллектуальной задачей.
На рис. 1.1 представлены основные этапы проектирования.
Идея |
|
Техн. |
|
НИР |
|
Схемотехн. |
|
ОКР |
|
ПРОЕКТ |
|
|
задание |
|
|
|
моделир. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Человек >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>> ПЭВМ
Рис. 1.1. Этапы автоматизированного проектирования.
1.5. Современные пакеты CAD SPICE
Структура пакета автоматизированного проектирования приведена на рисунке
Библиотеки элементов
|
|
NetList |
NetList |
|
|
|
|
|
|
|||||
SPICE |
|
|
|
Графич. |
|
|
|
Редакт. |
|
|
|
SPECTRA |
||
PROBE |
|
|
|
редактор |
|
|
|
PCB |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Характер. |
|
|
Документа- |
|
|
Ввод |
|
|
Печатная |
|
|
Документа- |
||
у-ва |
|
|
ция |
|
|
|
|
|
плата (PCB) |
|
|
ция |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 1.2. Структура пакета SPICE
6
В табл. 1.1 даны наиболее известные пакеты SPICE.
|
|
|
Таблица 1.1 |
Пакет |
Достоинства |
Недостатки |
Особенности |
WorkBench |
Наглядность, |
Низкая надежность, |
Для начинаю- |
|
доступность, |
ограниченый набор |
щих радиолюби- |
|
литература |
функций |
телей |
MicroCAP |
Литература, доступ- |
Неудобная и слож- |
Для радиолюби- |
|
ность, малый объем, |
ная работа, невысо- |
телей и студен- |
|
большая база данных, |
кая надежность |
тов |
|
обновления |
|
|
DesignLab/ |
Литература, сквозное |
Сложность, боль- |
Для профессио- |
OrCAD |
проектирование |
шой объем |
нальной работы |
PROTEL/ |
Сквозное проектиро- |
Сложность, боль- |
Для профессио- |
PCAD |
вание |
шой объем |
нальной работы |
Circuit |
Удобная работа, пол- |
Отсутствие литера- |
Для профессио- |
Maker |
ный набор функций, |
туры, плохая связь с |
налов и студен- |
|
малый объем, высо- |
другими пакетами |
тов |
|
кая надежность |
|
|
Контрольные вопросы
1.Какие виды проектирования Вам известны?
2.Каковы преимущества автоматизированного проектирования?
3.Что входит в состав проекта?
4.Дайте определение математической модели.
5.Назовите этапы автоматизированного проектирования.
6.Опишите структуру пакета SPICE.
7
2. Элементы аналоговой схемотехники. Часть 1
Как работает транзистор?
ЖЖЖЖЖЖ…..
2.1. Классификация элементов
Классификацию элементов на низкой частоте можно провести согласно следующему рисунку.
|
|
|
|
|
|
|
Радиокомпонент |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Линейный |
|
|
|
|
|
|
|
|
Нелинейный |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Безинерц. |
|
|
Инерцион. |
|
|
|
|
Пассивный |
|
|
|
|
Активный |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
Безинерц. |
|
|
Инерцион. |
|
|
Безинерц. |
|
|
Инерцион. |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Резистор |
|
|
Емкость, индукт. |
|
|
Диод |
|
|
Трансформ. |
|
Транзистор |
|
Варикап |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.1. Классификация элементов на низкой частоте
Основной характеристикой усилительного элемента является статическая характеристика (СХ) – величина постоянного тока через электроды элемента в зависимости от приложенных напряжений. Представляют интерес входная, проходная и выходная статические характеристики.
2.2. Диоды и их статические характеристики
Кремниевый диод представляет собой полупроводниковый прибор с двумя выводами. В зависимости от полярности приложенного напряжения его сопротивление либо велико, либо мало. Статическая характеристика и пример детектирования амплитудномодулированного сигнала приведены на рисунках.
Xa: |
1.000 |
Xb: |
0.000 |
a-b: |
1.000 |
Yc: |
240.0m |
Yd: |
0.000 |
c-d: |
240.0m |
b |
|
|
|
a |
A240m c
200m
160m
120m
80m
40m
0 |
|
|
|
|
|
|
|
d |
|
|
|
|
|
|
|
||
0 |
167m |
333m |
500m |
667m |
833m |
1 |
Ref=Ground X=167m/Div Y=current
C2
1u VD1
V1 -1/1V
R1 |
R2 |
C1 |
|
10n |
|||
1k |
10k |
||
|
1MHz
Рис. 2.2. СХ диода |
Рис. 2.3. Схема АМ детектора |
8
Стабилитрон – это разновидность кремниевого диода, у которого имеется участок пробоя при отрицательном напряжении. Статическая характеристика и пример параметрического стабилизатора даны на следующих рисунках.
|
Xa: 1.700 |
Xb:-6.000 |
a-b: 7.700 |
|||||
|
Yc: 1.200 |
Yd:-1.200 |
c-d: 2.400 |
|||||
|
b |
|
|
|
a |
|||
A |
997m |
|
|
|
|
|
|
c |
|
|
|
|
|
||||
|
655m |
|
|
|
|
|
|
|
|
313m |
|
|
|
|
|
|
|
|
-28m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-371m
-713m
-1.05 |
|
|
|
|
|
|
|
d |
|
|
|
|
|
|
|
||
-6 |
-4.72 |
-3.43 |
-2.15 |
-867m |
417m |
1.7 |
||
|
|
|
Ref=Ground |
X=1.28/Div Y=current |
|
|
|
|
R1
100
+ |
Vs1 |
VD1 |
|
||
|
|
|
|
10V |
|
- |
|
|
Рис. 2.4. СХ стабилитрона |
Рис. 2.5. Схема стабилизатора напряжения |
Тиристор представляет собой разновидность кремниевого диода. Имеется управляющий электрод, при подаче тока в который наступает пробой тиристора в прямом направлении, если к нему приложено напряжение. При отключении напряжения тиристор снова закрывается. Применяется для коммутации цепей переменного тока.
Динистор является диодом с явлением лавинного пробоя в обратном направлении. Имеет при этом область с отрицательным и малым по величине сопротивлением. Используется как защитный диод или элемент автогенератора.
Туннельный диод является разновидностью кремниевого диода с S-образным участком на прямой ветви, т.е. имеющий участок с отрицательным сопротивлением (туннельный эффект). Используется в схемах генераторов колебаний.
2.3. Биполярные транзисторы
Полупроводниковые активные (усилительные) элементы (транзисторы) – это элементы, имеющие три вывода: два входных и два выходных. Два вывода используются как общие. Каскад на транзисторе содержит схему смещения на входе для установления рабочей точки. Выходные электроды через балластный резистор подключены к источнику питания. Смысл усиления состоит в том, что между выходными электродами меняется проводимость пропорционально входному сигналу и на выходном балластном резисторе вырабатывается сигнал, похожий на входной, но большей мощности.
9
Транзисторы бывают биполярные (эмиттер, база, коллектор) и полевые (исток, затвор, сток) с n или p типом проводимости. Схемы с n проводимостью используют положительное напряжение питания. Схемы с p проводимостью имеют отрицательное питание. Полевые транзисторы подразделяются на канальные и с изолированным затвором. Биполярные и полевые транзисторы с изолированным затвором и расширенным каналом нормально закрытые и для их работы требуется открывающее смещение. Канальные полевые транзисторы наоборот при нулевом входном напряжении максимально открыты. Им требуется запирающее смещение.
Схема с общим эмиттером (ОЭ) транзистора с n-p-n проводимостью приведена на рис. 2.6. Через каскад протекают токи Ib, Ik, Ie, Ik0, Iдел.
|
10V |
|
5 |
|
|
R1 |
R3 |
|
100k |
1k |
|
1uF |
|
|
|
|
|
1uF |
3 |
|
|
|
|
4 |
|
2 |
|
MSD602R |
|
-10m/10mV 7 |
|
|
|
R4 |
|
R2 |
|
|
|
10k |
|
10k |
|
|
|
|
|
1kHz |
6 |
|
Рис. 2.6. Схема с ОЭ
Коэффициент усиления по напряжению Ku=S*(R1||RH), где S= Ic/ Ube – крутизна транзистора. Коэффициент усиления по току равен β= Ic/ Ib. Каскад используется в низкочастотных и простых схемах, где нужен прежде всего большой коэффициент усиления по мощности.
Схема для снятия статической характеристики приведена на рисунке (показать нагрузочную прямую Icm=E/R1, U=E)
5
+
0.5V
-
0V
3 |
- |
+ |
|
|
A
MSD602R
0
Xa: 990.Xb:0m 300.a0m-b: 690.0m
Yc: 4.200mYd: 0.000c-d: 4.200m
b |
a |
A 4.2m |
c |
43.5m
+ |
|
2.8m |
|
|
|
|
|
|
3V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.1m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
|
1.4m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
700u |
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
d |
|
|
300m |
415m |
530m |
645m |
760m |
875m |
990m |
Ref=Ground X=115m/Div Y=current
10