Оглавление

Теоретическое введение к лабораторным работам по физике твёрдого тела 3

1. Образование энергетических зон в кристалле 3

2. Металлы, диэлектрики, полупроводники 4

3. Собственная и примесная проводимость полупроводников 6

4. Примесная проводимость полупроводников 8

5.Вопросы к теоретическому введению 11

6. Литература 11

Лабораторная работа №7-1 Исследование температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников 12

1. Постановка задачи 12

1.1. Сопротивление, концентрация носителей заряда, подвижность. 12

1.2. Электропроводность металлов 14

1.3. Электропроводность полупроводников 16

2. Описание лабораторной установки 19

3. Порядок выполнения работы 19

4. Обработка результатов измерений 20

5. Требования к отчёту 20

6. Контрольные вопросы 20

7. Литература 21

Лабораторная работа №7-2 Исследование электронно-дырочных переходов в полупроводниках 22

1. Постановка задачи 22

1.1. Проводимость полупроводников 22

1.2. Электронно-дырочный переход 22

1.3. Вольт-амперная характеристика 24

1.4. Применение полупроводниковых диодов 25

2. Описание лабораторной установки 26

3. Порядок выполнения работы 27

3.1. Исследование вольт-амперной характеристики p-n-перехода при комнатной температуре. 27

3.2. Измерение температурной зависимости обратного тока p-n-перехода 27

4. Обработка результатов 27

5. Требования к отчёту 28

6. Контрольные вопросы 28

7. Литература 28

Дополнительное задание к лабораторной работе №7-2 28

Методические указания

к лабораторным работам по физике

(раздел ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА, часть 1)

для студентов всех технических специальностей

Составили: Агеева О.С., Строганова Т.Н., Агеев В.В.,

Антипьева В.А., Новиков В.Ф.

Редакторы:Агеева О.С., Строганова Т.Н.

Подписано к печати		Усл. печ. л.
Формат 60х84/16		Заказ №
Тираж экз.

Библиотечно-издательский комплекс

Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения

высшего профессионального образования

«Тюменский государственный нефтегазовый университет»

625036, Г.Тюмень, ул. Володарского, 38.

Типография библиотечно-издательского комплекса

625039, Г.Тюмень, ул. Киевская, 52

1⁾Инжекционный токчасто называют диффузионным током, т.к. он вызван диффузией основных носителей заряда через понизившийся потенциальный барьер.

32