2. Описание лабораторной установки

Схема установки приведена на рис.5. Внутри нагревателяНразмещены два исследуемых резистора: металлическийR_ми полупроводниковыйR_п. С помощью ключаКодин из исследуемых резисторов подключается к цифровому универсальному измерительному приборуИП. Температура внутри нагревателя измеряется с помощью термометра.

Рис.5. Схема установки

3. Порядок выполнения работы

1. Подключить с помощью ключа резисторк мостуили цифровому прибору.

2. Измерить сопротивление при комнатной температуре. Результат записать в таблицу 2.

3. Подключить с помощью ключа резистори измерить его сопротивление при комнатной температуре. Результат записать в таблицу 2.

Включить нагреватель в сеть и, поочерёдно подключая с помощью ключарезисторыи, производить измерения через каждые 5до 80С. Результаты записать в таблицу 2.

Таблица 2. Результаты измерений и вычислений

№ п./п.	, С	, К	, Ом	, Ом		, К^-1
1
2
3
…	…	…	…	…	…	…

4. Обработка результатов измерений

1. Построить график зависимости сопротивления металлического проводника от температуры .

2. Определить термический коэффициент сопротивления металла по формуле (10).

3. Вычислить значения ии построить график зависимости логарифма сопротивления полупроводника от обратной температуры.

4. Определить и энергию активации проводимости проводника (формулы (16) и (17)).

5. Требования к отчёту

Отчёт должен содержать:

1. Перечень измерительных приборов и их характеристики.

2. Схему установки.

3. Расчётные формулы.

4. Результаты измерений в виде таблицы и двух графиков: и.

5. Расчёт термического коэффициента сопротивления металла и энергии активации полупроводника.

6. Контрольные вопросы

1. В чём различие между металлами, полупроводниками и диэлектриками с точки зрения зонной теории?

2. Почему сопротивление металлов увеличивается, а полупроводников уменьшается при увеличении температуры?

3. Что называется температурным коэффициентом сопротивления?

4. Что такое энергия активации?

5. Как влияет на температурную зависимость сопротивления изменение подвижности в металлах? Полупроводниках?

6. Почему электронный газ, как правило, в металлах «вырожден», а в полупроводниках нет?

7. Почему длина волны электрона в металле меньше, чем в полупроводнике?

7. Литература

1. Савельев И.В. Курс физики М.:Наука,1998-99 г. В 5 томах .

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. –СПб, изд-во”Лань”, 2009.

3. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики: учебное пособие для студентов втузов.- М. Высш. шк., 2008.-720с.

4. Сорокин В.С., Антипов Б.Л., Лазарева Н.П. Материалы и элементы электронной техники. В 2 томах. Проводники. Полупроводники. Диэлектрики. СПб, изд-во”Academia”, 2006.

Лабораторная работа №7-2 Исследование электронно-дырочных переходов в полупроводниках

Цель работы:изучение свойств электронно-дырочного перехода.

Содержание работы:

1. Снять вольт-амперную характеристику p-n-перехода при комнатной температуре.

2. Рассчитать вольт-омную характеристику p-n-перехода.

3. Исследовать влияние температуры на обратный ток p-n-перехода.