Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Контроль якості покриття. лек..doc
Скачиваний:
21
Добавлен:
28.02.2016
Размер:
728.58 Кб
Скачать

3.Контроль товщини виробів:

Здійснюється шляхом їхнього просвічування пучком іонізуючого випромінювання. (Рис. див на початку). З радіаційних приладів для виміру товщин аркушів, стінок труб і резервуарів з вуглицевих сталей широко застосовується прилад ТОР-3. Він також знайшов застосування для виміру товщини листового матеріалу і стінок ємностей труб діаметром від 80 мм і більш товщиною стінки 0,5...16 мм із точністю 4%. Товщину прокату контролюють товщиномірами типу ІТХ-5736, ТРХ-7195, ІТ-5555, ІТ-5465; РТ-7015. Для контролю товщини покрить застосовують метод зворотного розсіювання бета-випромінювання і рентгенофлюорісцентний (опромінення контролюемого об'єкта - частками і реєстрації інтенсивності відбитого потоку). 5ТП-1; БТП-4.

Ці товщиноміри застосовуються для контролю різних металевих і поліметалевих покрить на металевій і неметалічній основах у діапазоні товщин від 0,1 до 1000 мкм.

Рентгенофлюоресцентний метод заснований на реєстрації й аналізі збудженого за допомогою радіоізотопного джерела спектра рентгенівського випромінювання матеріалу виробу. Як джерела порушення використовують -; - ; - випромінювання різних радіоактивних ізотопів. Ці джерела повинні викликати флюоресценцію елементів покриття, а також забезпечувати великий період напіврозпаду і високу питому активність.

Устаткування: товщиноміра ТПФ-1 – вимір мідно-хромового покриття; ФРАТ-2 – вимір нікелевих і хромових покрить; РТУП-2 – цинкові покриття на сталевій смузі.

Визначення h покриття виробляється порівнянням числа імпульсів, отриманих від покриття зі стандартним еталоном.

«+» – універсальність, нечутливість до змін електричних магнітних, оптичних і інших властивостей виробу, а також чистоті обробки.

«-» - інерціїність (до 1-3 хв. на один вимір), складність устаткування, техніка безпеки.

При визначенні щільності і структури матеріалів реєструють минуле і розсіяне іонізуюче випромінювання. Однак можливості контролю виробів при наскрізному просвічуванні дуже обмежені, у зв'язку з необхідністю роз-ташування джерела випромінювання і реєстрації (детектора) із двох сторін виробу. Існуючі радіаційні товщиноміри можуть бути використані для контролю щільності матеріалу, так при визначеній товщині -товщиноміри забезпечують контроль щільності з погрішністю ( 5%.

Для прецизійного визначення глибини зміненого шару поряд з рентгенографіруванням поверхонь виробів необхідно проводити пошаровий рентгеноструктурний аналіз однієї деталі, обробленої по найбільш інтенсив-ному режимі. Рентгеноструктурний аналіз заснований на принципі інтерфе-ренції рентгенівських променів при відображенні від кристалічних решіток. Він реалізується апаратами типу УРС-50ІМ, серії ДРОН і ін.

При циклічному контактному впливі виявляється втомлений характер явищ, що відбуваються в поверхневих шарах металу, протікання складних дислокаційних процесів, що породжують і розвивають недосконалість крис-талічної будівлі, приводить до утворення тріщин, а ріст останніх – до втомленому руйнування.

Рентгеноструктурний аналіз дає можливість кількісно оцінювати зміни тонких структурних характеристик. Зміни параметрів грати -фази, що спостерігається в результаті контактного циклічного навантаження, виз-начають по формулі Вульфа-Брегга:

де : - довжина хвилі рентгенівського випромінювання;

 - кут відображення по Бреггу;

hi – індекси поверхонь, що відбивають.

Чуттєвою характеристикою структурних змін при контактній утомі є також ширина рентгенівських інтерференцій (В), що дає представлення про зміни в тонкій кристалічній структурі матеріалу поверхневих шарів. Так, для структур загартування і низької відпустки при циклічному контактному навантаженні, відзначається закономірна зміна ширини ліній рентгенівських інтерференцій.

Контактні іспити:

I етап – зменшення ширини ліній, за рахунок до розпаду твердого розчину вуглецю в сталі.

II етап – ріст ширини ліній, за рахунок зміцнення поверхневих шарів (збільшення недосконалостей кристалічної будівлі до критичного значення).

III етап – після критичного значення починається спад ширини ліній зв'язаної з разупрочнением матеріалу, що приводить до руйнування. Контроль зміни ширини ліній у процесі циклічного контактного нагружения дає можливість прогнозувати виникнення руйнування в поверхневих шарах виробів, що працюють в умовах контактної утоми.

Діфрактометричний аналіззалишкових напруг дозволяє визначати напругу в заданому напрямку. Цю напругу розраховують по зсуві рентгенівської лінії, що виникає при зйомці напруженого матеріалу під різними кутами нахилу ( пучка рентгенівських променів щодо поверхні виробу. Зйомку невеликих деталей ведуть на діфрактометрах типу ДРОН, а великогабаритних виробів – на діфрактометрах типу ДРН, ДАРН-20 і ін.