- •1. Основи теорії кіл Розділ 1.1. Основні поняття і визначення
- •Розділ1.2. Кола постійного струму
- •Розділ1.3 Однофазні кола змінного струму
- •Розділ1.4. Трифазні кола змінного струму
- •Розділ1.5. Перехідні процеси в електричних колах
- •2. Аналогові електронні пристрої
- •Розділ2.2.
- •Розділ2.3
- •3. Радіоелектронні системи Розділ 3.1
- •Розділ3.2
- •Розділ3.3
- •Розділ3.4
- •Розділ3.5
- •4. Цифрове оброблення сигналів Розділ 4.1.
- •Розділ 4.2.
- •Розділ 4.3
- •Розділ4.4
- •Розділ4.5
- •5. Сигнали та процеси в радіотехніці6. Сигнали та процеси в радіотехніці Розділ 5.1.
- •Розділ 6.2
- •Розділ 6.3.
- •Розділ 5.4.
- •Розділ 5.5.
Розділ 5.4.
№ з.п. |
Питання та варіанти відповідей |
| |||||
|
Визначити коефіцієнт модуляції несучої частоти, якщо максимальне значення струму при модуляції 12А, а мінімальне 2 А. |
в | |||||
a) 0.36; |
б) 0.52; |
в) 0.71; |
г) 0.83. | ||||
|
Визначити добротність контура Q, який складається із котушки індуктивності L = 1 Гн і конденсатора C = 1 мкФ. Активний опір контура r = 10 Ом.
|
б | |||||
a) 50;
|
б) 100;
|
в) 200;
|
г) 500.
| ||||
|
Визначити реактивний опір (Ом) послідовного коливального контура з елементами L = 0.1 Гн, С = 1 мкФ, якщо на контур діє джерело змінної напруги з частотою f = 103 Гц. |
б | |||||
a) 271;
|
б) 469;
|
в) 542
|
г) 684.
| ||||
|
Визначити напругу сигнала (В) на вході підсилювача, якщо опір його навантаження 10 Ом, вихідна потужність підсилювача 2.5 Вт, а коефіцієнт підсилення по напрузі 50.
|
а | |||||
a) 0.1;
|
б) 0.5;
|
в)1;
|
г) 5.
| ||||
|
Визначити повний опір (Ом) Z послідовного коливального контуру, якщо активна і реактивна складові опору відповідно рівні R = 3 Ом та X = 4 Ом. |
а | |||||
a) 5; |
б) 7;
|
в) 9;
|
г) 4.
| ||||
|
Визначити резонансну частоту контура fo (Гц), якщо напруга прикладена до контура U = 10 В, енергія, що запасається в конденсаторі під час його заряду WС = 50.10-6 Дж та індуктивність котушки L = 1 Гн. |
б | |||||
a) 80; |
б) 160 ; |
в) 240; |
г) 320. | ||||
|
Розрахувати опір (кОм) паралельного контура з такими параметрами: L = 36 мкГн, C = 100 пФ, Q = 30 при резонансі.
|
а | |||||
a) 18;
|
б) 36;
|
в) 48;
|
г) 66.
| ||||
|
Визначити добротність контура Q, який складається із котушки індуктивності L = 1 Гн, конденсатора C = 1 мкФ та активного опору r = 10 Ом. |
б | |||||
a) 50;
|
б) 100;
|
в)150
|
г) 200.
| ||||
|
Визначити смугу пропускання в (кГц) послідовного коливального контура з параметрами L = 0.01 Гн, C = 100 пФ, R = 100 Ом.
|
а | |||||
a) 1.6;
|
б) 3.2;
|
в)4.8
|
г) 6.4.
| ||||
|
Визначити резонансну частоту (кГц) послідовного коливального контура, якщо добротність Q = 200, а смуга пропускання контура 2f =500 Гц. |
в | |||||
a) 400; |
б)600
|
в) 100;
|
г) 200.
| ||||
|
Визначити струм (мА) в нерозгалуженій частині кола при резонансі паралельного контура з добротністю Q = 40 і хвилевим опором = 500 Ом. Амплітуда джерела змінної електрорушійної сили Еm = 10 В |
а | |||||
a) 0.5; |
б) 1.5; |
в) 2.5 |
г) 3.5. | ||||
|
Розрахувати опір паралельного контура з такими параметрами: f0 = 1 МГц, C = 150 пФ, R = 20 Ом при резонансі.
|
б | |||||
a) 5,5 Ом;;
|
б) 56,3 кОм;
|
в) 5,5 кОм;
|
г) 6,2 Ом.
| ||||
|
До послідовного коливального контура послідовно включений генератор синусоїдальної ЕРС, що розвиває амплітуду U1 = 1 В. Контур налаштований на частоту f0 = 3 МГц; ємність контура C = 60 пФ, а опір R = 20 Ом. Визначити амплітуду струму в контурі при розстроюванні Δf = +6 кГц. |
г | |||||
a) 44 мА ; |
б) 54 мА;
|
в) 40,0 мА;
|
г) 49,2 мА.
| ||||
|
До послідовного коливального контура послідовно включений генератор синусоїдальної ЕРС, що розвиває амплітуду U1 = 1 В. Контур налаштований на частоту f0 = 3 МГц; ємність контура C = 60 пФ, а опір R = 20 Ом. Визначити величину реактивного опору при розстроюванні Δf = +6 кГц.
|
б | |||||
a) 2,44 Ом;
|
б) 3,54 Ом;
|
в) 5,5 Ом;
|
г) 6,2 Ом.
| ||||
|
До послідовного коливального контура послідовно включений генератор синусоїдальної ЕРС, що розвиває амплітуду U1 = 1 В. Контур налаштований на довжину хвилі λ0 = 300 м; ємність контура C = 160 пФ, а опір R = 20 Ом. Визначити амплітуду струму в контурі при розстроюванні Δf = +2 кГц. |
в | |||||
a) 44 мА ; |
б) 54 мА;
|
в) 49,0 мА;
|
г) 39 мА.
|