gerasimenko_n_n_zaicev_s_a_tehnologii_izgotovleniya_nanostru

Одноэлектроника

9.8. Контрольные вопросы

1.Что такое одноэлектронные туннельные осцилляции?

2.Наблюдение одноэлектронного туннелирования в системе с одним переходом при современном развитии технологии является

проблемой, так как в реальных приборах не удается получить шунтирующую емкость менее 10−15 Ф , что как минимум на два порядка больше требуемой для наблюдения одноэлектронного туннелирования. Каким путем предлагается решать эту проблему?

3.В каких условиях наблюдается эффект кулоновской лест-

ницы?

4.Что такое «сотунелирование»?

5.Оцените поперечные размеры кремниевой КТ, при которых возможно наблюдение квантоворазмерных эффектов при комнатной температуре.

9.9. Литература

1.В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин, “Основы наноэлектроники”, Новосибирск, 2004 г., 331 стр.

2.К. К. Лихарев, “О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе дискретного одноэлектронного туннелирования”, Микроэлектроника, 1987, т. 16, вып. 3, стр. 195–209.

3.Д. В. Аверин, К. К. Лихарев, “Когерентные колебания в туннельных переходах малых размеров”, ЖЭТФ, 1986, т. 90, вып. 2,

стр. 733–743.

4.D. V. Averin, K. K. Likharev, “Coulomb blockade of single-

electron tunneling, and coherent oscillations in small tunnel junctions”,

J.low temp. phys., 1986, v. 62, No 3/4, pp. 345–373.

5.K. K. Likharev, “Correlated discrete transfer of single electrons in

ultrasmall tunnel junctions”, IBM j. res. develop., 1988, v. 32, No 1,

pp.144–158.

6.K. K. Likharev, T. Claeson, “Single electronics”, Scientific American, 1992, v. 266, No 6, pp. 50–55.

7.M. Tinkham, “Coulomb blockade and an electron in a mesoscopic box”, Am. j. phys., 1996, v. 64, No 3, pp. 343–347.

8.L. J. Geerligs, “Charge quantisation effects in small tunnel junctions”, Phys. of Nanostructures, Cambridge Univ. Press., 1992, pp. 171– 204.

9.H. van Houten, “Coulomb blockade oscillation in semiconductor nanostructures”, Sur. sci., 1992, No 263, pp. 442–445.

131

Одноэлектроника

10. G. Y. Hu, R. F. O’Connel, “Exact solution of the electrostatic for a single electron multijunction trap”, Phys. rev. lett., 1995, v. 74, No 10,

pp.1839–1842.

11.Yoshimasa Isawa, Futoshi Suwa, “Transport through discrete energy levels in quantum dots”, Jpn. j. appl. phys., Pt 1, 1995, v. 34, No 8B, pp. 4492–4495.

12.L. Y. Gorelik, A. Isacsson, M. V. Voinova, “Shuttle mechanism for charge transfer in Coulomb blockade nanodtructures”, E-print archive (http://xxx.lanl.gov) cond-mat/9711196. – 1997.

13.G. Hackenbroich, W. D. Heiss, H. A. Weidenmüller, “Deformation of quantum dots in the coulomb blockade regime”, E-print archive (http://xxx.lanl.gov) arXiv:cond-mat/9702184 v1 20 Feb 1997.

14.W. H. Richardson, “Possibility of a single electron tunneling diode and a controllable saturated tunneling current”, Appl. phys. lett., 1997, v. 71, No 8, pp. 1113–1115.

15.И. Г. Неизвестный, О. В. Соколова, Д. Г. Шамирян, “Одноэлектроника. Ч. I”, Микроэлектроника, 1999, т. 28, вып. 2,

стр. 83–107.

16.И. Г. Неизвестный, О. В. Соколова, Д. Г. Шамирян, “Одноэлектроника. Ч. II. Применение одноэлектронных приборов”, Микро-

электроника, 1999, т. 28, вып. 3, стр. 163–174.

17.Hideyuki Matsuoka, Shin’ichiro Kimura, “Transport properties of a silicon single-electron transistor at 4.2 K”, Appl. phys. lett., 1995, v. 66, No 5, pp. 613–615.

18.Hideyuki Matsuoka, Haroon Ahmed, “Transport properties of two quantum dots connected in series formed in silicon inversion layers”, Jpn. j. appl. phys., Pt 2, 1996, v. 35, No 4A, pp. L418–L420.

19.Hideyuki Matsuoka, Shin’ichiro Kimura, “Thermally enhanced co-tunneling of single electrons in a Si quantum dot at 4.2 K”, Jpn. j. appl. phys., Pt. 1, 1995, v. 34, No 2B, pp. 1326–1328.

20.Effendi Leobandung, Lingjie Guo, Yun Wang, Stephen Y. Chou, “Observation of quantum effects and Coulomb blockade in silicon quantum dot transistors at temperatures over 100 K”, Appl. phys. lett., 1995, v. 67, No 7, pp. 938–940.

21.Effendi Leobandung, Lingjie Guo, Stephen Y. Chou, “Single hole quantum dot transistors in silicon”, Appl. phys. lett., 1995, v. 67, No 16, pp. 2338–2340.

A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Murase, M. Tabe, “Time-resolved measurement of single-electron tunneling in a Si single-electron transistor with satellite Si islands”, Appl. phys. lett., 1995, v. 67, No 20, pp. 2957– 2959.

132

Одноэлектроника

22.Akiko Ohata, Hiromi Niiyama, Toru Shibata, Kazuaki Nakajima, Akira Toriumi, “Silicon-based single-electron-tunneling transistor operated at 4.2 K”, Jpn. j. appl. phys., Pt 1, 1995, v. 34, No 8B, pp. 4485–4487.

23.Lingjie Guo, Effendi Leobandung, Stephen Y. Chou, “A roomtemperature silicon single-electron metal–oxide–semiconductor memory with nanoscale floating-gate and ultranarrow channel”, Appl. phys. lett., 1997, v. 70, No 7, pp. 850–852.

133

Для заметок

134

Для заметок

135

Технологии изготовления наноструктурированных материалов и их применение

Подписано в печать 12.07.2011.

Формат 60x90 1/16

Гарнитура Times. Бумага офсетная. Тираж 500 экз.

Заказ № 6052.

Отпечатано в ОАО «Можайский полиграфический комбинат», 143200, г. Можайск, Московская обл., ул. Мира, д.93,

Тел.: [phone] www.oaompk.ru; www.оаомпк.рф