2) Импульсные свойства диодов.

Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов и предназначены для работы в импульсных цепях. Параметры:

● общая емкость диода Сд, (доли пФ – несколько пФ);

● максимальное импульсное прямое напряжение Uпр и мах;

● максимально допустимый импульсный ток Iпр и мах;

● время установки прямого напряжения диода tуст

● время восстановления обратного сопротивления диода tвос

3) Способы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах, их сравнение.

а) обратно - смещенным р-п -переходом; б) диэлектриком; в) комбинированный;

Основным недостатком изоляции p-n-переходом, является наличие значительных паразитных емкостей и токов утечки изолирующих p-n-переходов. Изоляция элементов диэлектриком позволяет создавать ИМС с улучшенными характеристиками по сравнению с микросхемами, в которых использована изоляция p-n-переходами. Однако микросхемы с диэлектрической изоляцией имеют меньшую интегральную плотность. В комбинированном способе изоляции совмещены некоторые преимущества методов изоляции p-n-переходом и полной диэлектрической изоляции

Билет 9.

1) Дефекты в кристаллических телах. Их разновидности, влияние на свойства тел.

Точечные дефекты:  Точечные дефекты непрерывно перемешаются в кристаллической решетке в результате диффузии.  В твердом теле с идеальной кристаллической решеткой все узлы заняты атомами, перемещение атомов в решетке невозможно.  Наличие незанятых мест в узлах кристаллической решетки, т.е. атомных дырок, играет важную роль в протекании диффузионных процессов в металлах.  Самодиффузия - перемещение собственных атомов в кристаллической решетке чистого химического элемента.  Простейший вид диффузии - диффузия растворенного элемента в кристаллической решетке твердого тела.  Диффузия по границам зерен протекает быстрее, чем сквозь толщу кристалла (примерно в100 раз).

Линейные дефекты имеют значительные размеры в одном измерении. Наиболее важным видом линейных дефектов, являются дислокации. Дислокация - это такой дефект, когда в кристаллической решетке появляется лишняя полуплоскость или незаконченная атомная плоскость. Край такой полуплоскости образует линейный дефект решетки, который называется линейной дислокацией.  Причины возникновения вакансий и дислокаций:  1. нарушение правильности порядка присоединения атомов при росте кристаллов;  2. сильное искажение решетки при пластическом деформировании.  Теория дислокации применима для описания процесса пластической деформации кристаллических тел. Ее использование позволило объяснить природу прочности и пластичности, огромную разницу между теоретической и практической прочностью металлов.  Дислокации образуются при кристаллизации металлов, а также в ходе пластической деформации и фазовых превращений.

Поверхностные дефекты имеют малую толщину и значительные размеры в двух других измерениях. Это границы зерен, границы фрагментов внутри зерен, границы блоков.  Переходный слой между зернами имеет неупорядоченное строение дислокаций и повышенную концентрацию примесей. В силу того, что границы зерен препятствуют перемещению дислокаций и являются местом повышенной концентрации примесей, они оказывают существенное влияние на механические свойства металла. Чем мельче зерно, тем выше предел текучести и прочность металла. Одновременно при измельчении зерна увеличиваются пластичность и вязкость металла.  Повышенная пластичность и вязкость обусловлены более однородным составом и строением мелкозернистого металла, отсутствием в нем крупных скоплений, структурных несовершенств, способствующих образованию трещин.  Помимо перечисленных дефектов в металле имеются макродефекты объемного характера: поры, газовые пузыри, неметаллические включения, микротрещины и т.д. Эти дефекты снижают прочность металла.