- •1.Вiльнi електромагнiтнi коливання.Диференцiальне рiвняння
- •2.Складання гармонiчних коливань одного напрямку та близькоi частоти.
- •3.Складання взаемоперпендикулярних коливань.Фiгури Лiсажу.
- •4.Затухаючi коливання.Диференцiальне рiвняння затухаючих коливань,Перiод,частота.Величини,що характеризують затухання
- •5.Вимушенi коливання.Диференцiальне рiвняння вимушених коливань
- •6.Змінний струм. Ємнісний,індуктивний,повний опір кола.
- •7.Резонанс напруг та струмів.
- •8.Пружні хвилі. Рівняння плоскої хвилі. Фазова швидкість пружних хвиль. Хвильове рівняння. Енергія пружної хвилі.
- •9.Принцип суперпозиції. Групова швидкість. Стоячі хвилі.
- •10.Електромагнітні хвилі. Рівняння електромагнітної хвилі. Шкала емх та їх застосування.
- •11.Энергия электромагнитной волны.Вектор Умова-Пойтинга
- •12.Свет как электромагнитная волна.Принцип Гюйгенса.Монохроматичность и когерентность световых волн
- •13.Iнтерференцiя свiтла.Методи спостереження iнтерференцii
- •Зеркала френеля
- •14.Iнтерференцiя в тонких плiвках.Просвiтлення оптики
- •15.Дифракцiя.Принцип Гюйгненса-Френеля.Метод зон Френеля
- •16.Дифракция Френеля на отворi та диску
- •17.Дифракция Фраунгофера на щiлинi
- •18.Дифракцiя на дифракцiйнiй решiтцi.Характеристики дифракцiйной решiтки.
- •19.Дифракцiя на просторовiй решiтцi.Формулаа Вульфа-Брегга.Використання дифракцii/
- •20.Дисперсiя cвiтла.Розсiювання свiтла.
- •21.Поглинання свiтла.Закон Бугера
- •22.Поляризацiя.Природне та поляризоване свiтло.Ступiнь поляризацiй.Закон Малюса.Закон Брюстера.
- •23.Поширення свiтла в оптичному волокнi.Типи оптичних волокон.Основнi компоненти волз
- •24.Теплове випромiнювання .Основнi характеристики теплового випромiнювання.Абсолютно чорне тiло
- •25.Закони теплового випромiнювання: закон Стефана-Больцмана,закон Вiна,закон Кiргофа.Формула Планка.
- •26. Гальмівне рентгенівське випромінювання.
- •27.Явище зовнішнього фотоефекту. Закони зовнішнього фотоефекту. Рівняння Ейнштейна.
- •28.Квантова природа світла. Маса,імпульс та енергія фотона.
- •29.Тиск свiтла
- •30.Ефект Комптона
- •31.Модели атома Томсона та Резенфорда.Дослiд Резенфорда.
- •32.Спектр атома водню.Формула Бальмера.Постулати Бора
- •Формула Бальмера
- •33.Дослiд Франка I Герца
- •34.Гiпотеза де Бройля та II експериментальна перевiрка.Хвиля де Бройля.
- •Экспериментальная проверка
- •35.Спiввiдношення невизначеностей Гейзенберга
- •36.Хвильова функцiя та II властивостi.Фiзичний змicт хвильовоi функцii
- •38.Рух вiльноi частинки
- •39.Частица в одновимiрнiй потенцiальнiй ямi.
- •40.Проходження частинки крiзь потенцiальний бар’эр.Тунельний ефект.
- •42.Дослiди Штерна та Герлаха.Спiн .Спiн-орбiтальна взаэмодiя
- •41.Механiчний та магнiтний моменти електрона в атомi
- •43.Квантовi числа.Принцип Паулi.Переодична система елементiв Менделээва.
- •44.Механiчний та магнiтний моменти багатоелектронного атома.
- •45.Ефект Зеемана
- •46.Характеристичне рентгенiвське випромiнювання
- •47.Спонтаннi та вимушенi переходи електронiв в атомi
- •48. Вимушене випромiнювання.Оптичнi квантовi генератори та застосування
- •49.Газовi лазери.Властивостi лазерного випромiнювання.
- •51.Зонна структура металiв.Напiвпровiдникiв та дiелектрикiв.
- •52.Електропровiднiсть металiв.Робота виходу електронiв з металу.Термоелектронна емiсiя
- •53.Надпровiднiсть.Ефекти Мейснера та Джозефсона
- •Стационарный эффект
- •Нестационарный эффект
- •54.Ефект Холла.Квантовий ефект Холла
- •55.Власна та домiшкова провiднiсть напiвпровiдникiв.
- •Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •Ректифікація
- •Застосування
- •57.Принцип роботи напiвпровiдникового транзистора.
- •58.Фотопровiднiсть напiвпровiдникiв.Внутрiншнiй фотоефект
- •59.Контакта рiзниця потенцiалiв
- •60.Явище Зеебека,Пельтьэ и Томсона
Примесная проводимость
Для создания полупроводниковых механизмов используют кристаллы с примесной проводимостью. Такие кристаллы изготавливаются с помощью внесения примесей с атомами трехвалентного или пятивалентного химического элемента
56.P-n-Перхiд.
p-n перехід — область контакту напівпровідників p- та n-типу, яка характеризується одностороннім пропусканням електричного струму.
В напівпровіднику p-типу концентрація дірок набагато перевищує концентрацію електронів. В напівпровіднику n-типу концентрація електронів набагато перевищує концентрацію дірок. Якщо між двома такими напівпровідниками встановити контакт, то виникне дифузійний струм — носії заряду, хаотично рухаючись перетікатимуть із тієї області, де їх більше у ту область, де їх менше. При такій дифузії електрони та дірки переносять із собою заряд. Як наслідок, область на границі стане зарядженою. Та область у напівпровіднику p-типу, яка примикає до границі розділу, отримає додатковий негативний заряд, принесений електронами, а погранична область в напівпровіднику n-типу отримає додатній заряд, принесений дірками. Таким чином, границя розділу буде оточена двома областями просторового заряду протилежного знаку.
Електричне поле, яке виникає внаслідок утворення областей просторового заряду, спричиняє дрейфовий струм у напрямку протилежному дифузійному струму. Врешті-решт, між дифузійним і дрейфовим струмами встановлюється динамічна рівновага і перетікання зарядів припиняється.
Ректифікація
Якщо прикласти зовнішню напругу таким чином, щоб створене нею електричне поле було направленим протилежно до напрямку електричного поля між областями просторорового заряду, то динамічна рівновага порушується, і дифузійний струм переважатиме дрейфовий струм, швидко наростаючи з підвищенням напруги. Таке під'єднання напруги до p-n переходу називається прямим зміщенням.
Якщо ж зовнішня напруга прикладена таким чином, щоб створене нею поле одного напрямку з полем між областями просторового заряду, то це призведе лише до збільшення областей просторового заряду, й струм через p-n перехід не проходитиме. Таке під'єднання напруги до p-n переходу називається зворотним зміщенням.
Застосування
На властивостях p-n переходів ґрунтується робота численних напівпровідникових приладів: діодів, транзисторів, сонячних елементів, світлодіодів тощо.
57.Принцип роботи напiвпровiдникового транзистора.
Транзи́стор — напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає через нього, за допомогою прикладеної до додаткового електрода напруги.
Принцип роботи.
В біполярному транзисторі носії заряду рухаються від емітера через тонку базу до колектора. База відділена від емітера й колектора p-n переходами. Струм протікає через транзистор лише тоді, коли носії заряду інжектуються з емітера в базу через p-n перехід. В базі вони є неосновними носіями заряду й легко проникають через інший p-n перехід між базою й колектором, прискорюючись при цьому. В самій базі носії заряду рухаються за рахунок дифузійного механізму, тож база повинна бути досить тонкою. Управління струмом між емітером і колектором здійснюється зміною напруги між базою і емітером, від якої залежать умови інжекції носіїв заряду в базу.