Вопрос 18.

Стабилитронами и стабисторами называ­ют кремниевые полупроводниковые диоды, вольт-амперные ха­рактеристики которых имеют участки малой зависимости на­пряжения от протекающего тока (участки аб и вг на рис. 37,а). Поэтому стабилитроны и стабисторы используют в стабилиза­торах напряжения и тока. Участки характеристик, соответствую­щие режимам работы этих приборов в схемах, называют ра­бочими. Рабочие участки аб стабилитронов и вг стабисторов находятся соответственно на обратной и прямой ветвях характе­ристик. Стабилитроны работают в режиме неразрушающего электри­ческого пробоя — туннельного или лавинного, а стабисторы — прямого напряжения на р-п-переходе. Поэтому в качестве ста­бисторов используют кремниевые диоды, включенные в прямом направлении. Основными параметрами стабилитронов являются: номинальное напряжение стабилизации (Лт.ном — среднее на­пряжение стабилизации, измеренное при определенном токе ста­билизации /ст; разброс напряжения стабилизации Д6^Ст — интервал напря­жений, в пределах которого находится напряжение стабили­зации; средний температурный коэффициент напряжения стабилиза­ции ас/ст, показывающий, на сколько процентов изменится 1/с-т при изменении температуры окружающей среды на 1 К; дифференциальное сопротивление г„, определяющее стабили­зирующие свойства прибора и показывающее, в какой степени ^ст зависит от тока; минимально допустимый ток стабилизации /Сттт (при мень­ших токах резко возрастает гст и уменьшается Ц;Т); максимально допустимый ток стабилизации /сттах (при боль­ших токах происходит разрушающий тепловой пробой)

Вопрос 19.

Биполярный транзистор имеет трехслойную структуру и соответственно три вывода. Сред­нюю область транзистора называют базой, а крайние — эмитте­ром и коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, потому что перенос тока в них осуществляется носителями за­ряда двух типов — электронами и дырками. Концентрация примеси, а следовательно, и основных носи­телей заряда самая высокая в эмиттере и малая — в базе; в кол­лекторной области она может быть такой же, как в эмиттере. Базу транзистора выполняют очень тонкой (не­сколько микрометров), а коллектор должен позволять отводить теплоту, выделяющуюся при работе прибора. В активном режиме транзисторы используют для усиления электрических сигналов с минимальными искаже­ниями формы. В режиме насыщения прямое напряжение подают на оба перехода транзистора и его сопротивление уменьшается почти до нуля. В этом режиме транзистор эквивалентен замкну­тому контакту реле и используется для подключения нагрузки к источнику питания. В режиме отсечки на оба перехода транзистора по­дают обратные напряжения, т. е. транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением. В этом режиме он эквивалентен ра­зомкнутому контакту реле. Чередуя режимы насыщения и отсечки, можно коммутиро­вать различные электрические цепи без разрыва и, следователь­но, без искрения контактов. Режимы насыщения и отсечки используют в импульсных схемах Большую часть времени тран­зисторы в этих схемах работают в режимах насыщения и от­сечки, а при переходе из режима в режим — незначительное время в активном режиме.