Вопрос 20.

В полевых (униполярных) транзисторах в отличие от биполярных в переносе тока принимают участие носители заряда одного типа — электроны или дырки. Это зависит от того, из какого материала (п- или р-типа) вы­полнен проводящий канал. Так, канал транзистора, показанно­го на рис. 44, а, имеет дырочную электропроводность. На боко­вые поверхности канала нанесены слои 2 полупроводника элект­ронной электропроводности, образующие затвор 3. Между затво­ром и каналом создается р-п переход 3, обедненный слой ко­торого сосредоточен, главным образом, в объеме канала, вы­полненного из материала с низким содержанием примеси. От канала сделаны выводы 4 и 5 — сток С и исток И. Исток обычно, заземляют, а на сток подают напряжение, при котором основные носители заряда устремляются по каналу к стоку. В транзисторе с каналом р-типа на сток подается отрицательное напряжение, а на затвор — положительное, при котором переход затвор— канал, закрыт и тока не проводит.

Вопрос 21.

Тиристоры — это полупроводниковые при­боры, имеющие три или более р-п перехода и работающие в двух устойчивых состояниях — открытом или закрытом. Тиристор включается током управления при любом напряжении Упр (начиная с нескольких вольт). Появление управляющего тока /у, который представляет собой прямой ток перехода ПЗ, вызывает увеличение концентрации неосновных носителей в р2-области, что резко уменьшает сопро­тивление этого перехода и падение напряжения на нем. Основными параметрами тиристоров являются: максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии изс тах; максимально допустимый постоянный ток в открытом состоя­нии /ос тах; максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность г ср тах' максимально допустимое постоянное обратное напряжение С/обр тах, постоянное напряжение в открытом состоянии иос', /Уд — ток удержания — наименьший ток анода, необходимый для поддержания прибора в открытом состоянии.

Вопрос 22.

Варикапы. При подаче обратного напряжения любой р-п пе­реход представляет собой конденсатор, диэлектриком которого служит высокоомный запирающий слой с низкой концентра­цией носителей заряда, а электродами — слои полупроводнико­вого материала по обе стороны от него, сохраняющие высокую проводимость. Емкость такого конденсатора, называемая барь­ерной, определяется обратным напряжением Ообр и уменьшается с его ростом, так как запирающий слой расши­ряется, что равносильно увеличению расстояния между электро­дами. Полупроводниковые диоды, основанные на использовании уп­равляемой барьерной емкости, называют варикапами. Условное графическое обозначение варикапа показано на

Основными параметрами варикапов явля­ются: емкость Св, которая измеряется при и0бР = О -=- 4 В и состав­ляет от нескольких единиц до нескольких сотен пикофарад;

коэффициент перекрытия по емкости /Сс, который лежит в пределах от 2 до 18 и представляет собой отношение макси­мальной емкости Свтах к минимальной Св тт, измеренной при напряжении, близком к максимально допустимому. Варикапы используют, главным образом, для управления колебательными контурами в системах автоподстройки частоты Радио- и телевизионных приемников, а также в возбудителях передатчиков с частотной модуляцией и параметрических усили­телях, работающих в диапазоне СВЧ.