Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лаб3_Перех_проц_pn.doc
Скачиваний:
12
Добавлен:
20.11.2018
Размер:
324.1 Кб
Скачать

Экспериментальная часть Исследование режима включения p-n–перехода

Схема исследования работы p-n–перехода в режиме включения приведена на рис.5. На испытуемый p-n– переход (полупроводниковый диод) от генератора прямоугольных импульсов (ГПИ) подается импульс напряжения известной величины. Величина импульса тока, отпирающего p-n–переход определяется по амплитуде импульса напряжения в соответствии с формулой

. (8)

С помощью осциллографа измеряются:

  • максимальное напряжение на p-n–переходе UДmax, по которому вычисляется импульсное сопротивление p-n– перехода RДимп = UДmax/ Iпр;

  • время установления прямого сопротивление уст, которое определяется продолжительностью всплеска напряжения на p-n–переходе (рис.5)

Рис.5. Принципиальная схема исследования отпирания p-n– перехода

Рис.6. Эпюры импульсов напряжения генератора и на открытом p-n–переходе

Период следования импульсов T выбирается T > 2и , а длительность импульсов и > 3уст.

Исследование режима выключения p-n–перехода

Принципиальная схема для исследования p-n–перехода в режиме выключения показана на рис.7. С помощью источника питания с регулируемым напряжением U1 и сопротивления R1 устанавливается начальный прямой ток через p-n– переход Iпр. Величину тока можно определить по соотношению

. (13)

Рис.7. Принципиальная схема для исследования запирания p-n – перехода

От генератора импульсов через емкость C на p-n – переход подается запирающий импульс напряжения. С помощью сопротивления R2 снимается напряжение, пропорциональное току через p-n – переход, которое подается на осциллограф. Соответствующие эпюры напряжения представлены на рис.8.

По форме импульса напряжения на сопротивлении R2 определяется время рассасывания рас и время среза ср. Время восстановления обратного сопротивления определяется как вос = рас + ср .

Задание

  1. Записать паспортные данные исследуемого p-n – перехода (полупроводникового диода).

  2. Собрать схему для исследования процесса отпирания p-n –перехода (рис.5). Исследовать зависимость формы напряжения на p-n – переходе от величины тока отпирания, зарисовать получающие эпюры напряжения на кальку, измерить время установления прямого сопротивления.

  3. Собрать схему для исследования процесса выключения p-n – перехода (рис.7). а) Исследовать процесс восстановления обратного сопротивления в зависимости от величины прямого тока при постоянной амплитуде запирающего напряжения. Для этого по эпюре напряжения UR2 измерить зависимости рас = f(Iпр) и ср = f(Iпр). б) Исследовать процесс восстановления обратного сопротивления в зависимости от амплитуды запирающего напряжения при постоянном токе Iпр. Для этого по эпюре напряжения UR2 измерить зависимость рас = f(I) и ср = f(I), где перепад тока I = Iпр + Iобр (см. рис.8)., определить вос = f(I). Результаты измерений оформить в виде графиков.

Рис.8. Эпюры напряжения и тока в схеме для исследования запирания p-n–перехода

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]