Оформление отчета

Отчет по выполненной работе должен содержать:

1. Цель работы.

2. Паспортные данные полупроводникового диода.

3. Принципиальные схемы исследования.

4. Экспериментальные результаты – эпюры токов и напряжений, измеренные _рас, _ср. _вос, _уст.

5. Результаты расчета – импульсные и статические сопротивления p-n–перехода.

6. График зависимости времени установления прямого сопротивления от величины прямого тока _уст = f(I_пр).

7. График зависимости _рас = f(I), _ср = f(I), _вос = f(I) при I_пр = const.

8. График зависимости _рас = f(I_пр), _ср = f(I_пр), _вос = f(I_пр) при U_Г = const.

9. Сравнение результатов эксперимента с теорией.

10. Выводы по работе.

Вопросы для самопроверки

1. Какие основные процессы происходят в p-n – переходе при его отпирании?

2. Нарисовать принципиальную схему для исследования отпирания p-n – перехода?

3. Какие основные процессы происходят в p-n – переходе при его запирании?

4. Нарисовать принципиальную схему для исследования запирания p-n – перехода.

5. Нарисовать график распределения концентрации неосновных носителей в базе на различных стадиях его запирания.

Литература

1. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроник. – М.: Энергия, 1974. С.82-86, 86-91, 45-48.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977. С.146-159.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высшая школа, 1991. С.83-84.