26. Квантовые числа

Главное квантовое число n определяет полную энергию электрона. Каждому числу соответствует энергетический уровень. n=1,2,3,4…или K,L,M,N…

Орбитальное квантовое число l определяет подуровни на энергетическом уровне. Квантовое число l определяет форму орбиталей (n-1) 0,1,2…

Магнитное квантовое число ml определяет число орбиталей на подуровне. …-2,-1,0,+1,+2… Общее число орбиталей на подуровне равно 2l+1

Спиновое квантовое число ms относится к двум различным ориентациям +1/2 -1/2 на каждой орбитали может быть только два электрона с противоположными спинами.

27. Правило заполнения энергетических уровней и под уровней элементов периодической системы

Первое правило Клечковского: при увеличении заряда ядра атомов заполнение энергетических уровней происходит от орбиталей с меньшим значением суммы главного  и орбитального * квантовых чисел (n+l) к орбиталям с большим значением этой суммы. Следовательно, 4s-подуровень (n+l=4) должен заполняться раньше, чем 3d (n+l=5).

Второе правило Клечковского, согласно которому при одинаковых значениях суммы (n+l) орбитали заполняются в порядке возрастания главного квантового числа n. Заполнение 3d-подуровня происходит у десяти элементов от Sc до Zn. Это атомы d-элементов. Затем начинается формирование 4p-подуровня. Порядок заполнения подуровней в соответствии с правилами Клечковского можно записать в виде последовательности:  1s  2s  2p  3s 3p  4s  3d  4p  5s  4d  5p  6s  4f  5d  6p  7s  5f  6d  7p.

28. Особенности электронного строения атомов элементов периодической системы

29. Особенности электронного строения атомов элементов в главных и побочных подгруппах, семействах лантаноидов и актиноидов

30. Эффекты экранирования и проникновения

За счет экранирования притяжение валентных электронов к ядру ослабевает. Вместе с тем при этом противоположную роль играет проникающая способность к ядру валентных электронов, которая усиливает взаимодействие с ядром. Общий результат притяжения валентных электронов к ядру зависит от относительного вклада в их взаимодействие экранирующего влияния электронов внутренних слоев и проникающей способности валентных электронов к ядру.

31. Периодический характер свойств элементов, связанных со строениями их электронных оболочек

32. Изменение кислотно-основных свойств оксидов и гидроксидов в периодах и группах

Кислотные свойства оксидов элементов усиливаются в периодах слева направо и в группах снизу вверх.!

33. Степени окисления элементов

Степень окисления (окислительное число, формальный заряд) — вспомогательная условная величина для записи процессов окисления, восстановления и окислительно-восстановительных реакций, численная величина электрического заряда, приписываемого атому в молекуле в предположении, что электронные пары, осуществляющие связь, полностью смещены в сторону более электроотрицательных атомов.

Представления о степени окисления положены в основу классификации и номенклатуры неорганических соединений.

Степень окисления соответствует заряду иона или формальному заряду атома в молекуле или в химической формальной единице, например:

Степень окисления указывается сверху над символом элемента. В отличие от указания заряда атома, при указании степени окисления первым ставится знак, а потом численное значение, а не наоборот:

 — степень окисления,

 — заряды.

Степень окисления атома в простом веществе равна нулю, например:

Алгебраическая сумма степеней окисления атомов в молекуле всегда равна нулю:

Понятие степени окисления вполне применимо и для нестехиометрических соединений (КС₈, Mo₅Si₃, Nb₃B₄ и др.). Например в известной реакции обжига пирита: 4FeS₂ +11O₂ = 2Fe₂O₃ + 8SO₂ удобнее всего принять в исходном соединение степень окисления у железа +3 (хотя реально атом железа смещает от себя 2 электрона, то есть степень окисления железа +2), а у серы −3/2 (!), что совсем не противоречит определению степени окисления, как условной единицы и позволяет так же просто, как и в случае других окислительно-восстановительных процессов, уравнять реакцию.

Суммарная степень окисления атомов в молекуле всегда равна нулю.