Описание установки

При выполнении данной работы в качестве источника высокого переменного напряжения используются установки, схемы которых приведены в работе 2 настоящих указаний.

Для воспроизведения полей различной формы имеется набор электродов и деталей из твердого диэлектрика (рис. 3.4).

Рис.3.3. Распределение напряжения вдоль поверхности твердого диэлектрика при расположении электродов по рис. 3.1в: 1 - при С_Д = С_Д1 без полупроводящего покрытия; 2- при С_Д2 < С_Д1; 3 - при С_Д1 с полупроводящим покрытием на длине х₁

Рис. 3.4. Схемы взаимного расположения электродов и твердого диэлектрика: 1, 2 - электроды с плоским основанием и заостренными концами; 3 - электрод из листового проводящего материала; 4 - лист из диэлектрика; 5 - изоляционные прокладки

а - с преобладанием нормальной составляющей;

б - с воздушным зазором;

в - с преобладанием тангенциальной составляющей

Два электрода 1 и 2 с плоскими основаниями и заостренными краями устанавливаются на листе 4 из неорганического стекла толщиной  на расстоянии а. Электрод 2 электрически соединен с листом 3 из проводящего материала (рис.3.4,а). Во избежание непосредственного перекрытия с электрода 1 на электрод 3 необходимо, чтобы а  б, где б - минимальное расстояние электрода 1 до края листа диэлектрика.

Схема рис. 3.4,в соответствует конфигурации электрического поля с преобладающей тангенциальной составляющей напряженности (см.рис.3.1,б). При проведении опытов по этой схеме необходимо класть лист стекла на изоляционные подставки небольшой площади. При размещении стекла непосредственно на столе грязь, пыль и краска могут дать эффект электрода 3.

В схеме рис.3.4,б между листовым электродом и стеклом введен зазор _в.з, равный толщине изоляционных прокладок 5.

Задание к работе

1. Определить зависимость напряжений U_к, U_ск.р, U_п.п от толщины диэлектрика  при напряжении промышленной частоты. Опыт проводить по схеме 3.4,а. Толщину  менять за счет изменения количества листов. Во всех опытах устанавливать а = 10 см. По полученным данным построить кривые:

U_к =f(),U_ск.р =f( ), U_п.п =f().

2. Собрать схему по рисунку 3.4,в, используя тот же лист стекла толщиной , что и в предыдущем случае. Установить а=10 см. Определить напряжения Uк, Uск_.р и U_п.п. Сопоставить полученные результаты с данными опыта пункта 1.

3. Выявить влияние воздушного зазора на напряжения скользящего разряда U_ск.р и поверхностного перекрытия U_п.п . Для этого собрать схему рис.3.4,б при а =10см.,  = ₁. Величину воздушного зазора установить по указанию преподавателя. При плавном подъеме напряжения определить U_к ,U_ск.р , U_п.п . Полученные результаты сопоставить с данными опыта пункта 1.

4. Сделать выводы о мерах, способствующих увеличению напряжения U_п.п (по опытам пунктов 1 - 3 задания ).

Отчет по работе должен содержать схемы испытания, эскизы взаимного расположения диэлектрика и электродов, таблицы с результатами замеров и вычислений, графики зависимостей разрядных напряжений от толщины диэлектрика, выводы по результатам опытов.

Таблица 3.1

Эскиз расположения электродов	Величина напряжения появления
	Короны		Скользящего разряда		Поверхностного перекрытия
	U1, В	U2, кВ	U1, В	U2, кВ	U1, В	U2, кВ