Министерство образования и науки Российской Федерации

Фгаоу впо "УрФу имени первого Президента России б.Н.Ельцина" Институт радиоэлектроники и информационных технологий – ртф

Кафедра радиоэлектронных и телекоммуникационных систем

Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод 2д502г

Студент: Семенищев А.С.

Группа: Р-200602

Преподаватель: Болтаев А.В.

Екатеринбург 2011

Аннотация

Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.

В данной расчетно графической работе будет рассмотрен диод 2Д502Г. Особое внимание будет уделено паспортным параметрам, семейству ВАХ, расчетам и графикам зависимостей. Также будет представлено определение величин температурных коэффициентов. Не останутся и в стороне такие важные вещи, как определение сопротивления базы и мало сигнальная высокочастотная эквивалентные схемы диода.

Оглавление

1.

Полупроводниковый диод 2Д502Г 1

Аннотация 2

1. Краткая словесная характеристика диода. 4

2. Паспортные параметры 5

3. Семейство ВАХ. 7

4. Расчеты и графики зависимостей сопротивлений постоянному и переменному току от прямого и обратного U для комнатной t. 8

5. Определение величин температурных коэффициентов 12

6. Определение сопротивления базы 12

7. Эквивалентная схема диода 13

8. Библиографический список 13

9. Затраты времени 13

1. Краткая словесная характеристика диода.

Диод 2Д502Г относится к виду кремниевые микросплавные диоды. Изготавливается в металлическом корпусе с винтом. Масса диода на более 0.5 г. С отрицательным электродом диода соединен приваренный вывод. Масса диода не более 0.05г. После монтажа на микроплату диоды заливаются эмалью ЭП-274Т. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353К.

Рис. 1 - Чертеж корпуса и габаритные размеры.

2. Паспортные параметры Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение Uпр, при IПР = 50 мА, не более: При Т = +25^0С: При Т = +85^0С: При Т = -60^0С:	1,0 В 0,95 В 1,5 В
Постоянный обратный ток Iобр, при Uобр = 40 В, не более: При T = +25^0С: При Т = +85^0С: При Т = -60^0С:	5 мкА 100 мкА 5 мкА
Время восстановления обратного сопротивления tвос, при Uобр,и = 30 В, Iпр = 30 мА, Iотс = 2 мА, не более: При T = +25^0С:	0,5 мкс
Емкость диода C, при Uобр = 0 В, не более: При T = +25^0С:	4 пФ
Заряд переключения Qп, при Iпр = 50 мА и Uобр.и = 10 В, не более: При T = +25^0С:	400 пКл