- •Фгаоу впо "УрФу имени первого Президента России б.Н.Ельцина" Институт радиоэлектроники и информационных технологий – ртф
- •Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод 2д502г
- •Аннотация
- •Оглавление
- •1. Краткая словесная характеристика диода.
- •2. Паспортные параметры Электрические параметры
- •Предельные электрические параметры
- •Устойчивость к внешним воздействиям
- •3. Семейство вах.
- •4. Расчеты и графики зависимостей сопротивлений постоянному и переменному току от прямого и обратного u для комнатной t.
- •5. Определение величин температурных коэффициентов
- •6. Определение сопротивления базы
- •7. Эквивалентная схема диода
- •8. Библиографический список
- •9. Затраты времени
5. Определение величин температурных коэффициентов
Температурный коэффициент напряжения ТКН рассчитывается по формуле: [В/град]. при постоянном токе I.
Температурный коэффициент тока ТКIобр рассчитывается по формуле: [раз/(10 град)].
Таб. 5 - ТКU
|
T1, 0С |
T2, 0С |
U1, В |
U2, В |
TKUпр, мВ/град. |
I = 3 А |
+25 |
+85 |
0,775 |
0,700 |
-1,25 |
I = 6 А |
+25 |
+85 |
0,950 |
0,875 |
-1,25 |
I = 9 А |
+25 |
+85 |
1,100 |
1,025 |
-1,25 |
Таб. 6 - ТКI
|
T1, 0С |
T2, 0С |
I1, мкА |
I2, мкА |
TKIобр, раз/(10 град.) |
U = 50 В |
+25 |
+85 |
6,25 |
300 |
1,91 |
U = 150 В |
+25 |
+85 |
18,8 |
500 |
1,73 |
U = 250 В |
+25 |
+85 |
87,5 |
1000 |
1,50 |
6. Определение сопротивления базы
Сопротивление базы вычисляется по формуле: .
Таб. 7 - Сопротивление базы
U1, В |
I1, А |
U2, В |
I2, А |
RБ, Ом |
0,2 |
0,05 |
0,4 |
0,15 |
0,800 |
0,25 |
0,23 |
0,6 |
0,3 |
0,067 |
0,3 |
0,5 |
0,8 |
0,8 |
0,044 |
7. Эквивалентная схема диода
Рис. 6 - Эквивалентная схема диода
rБ – сопротивление базы
r~ - сопротивление p-n перехода переменному току
8. Библиографический список
Пасынков, Чиркин «Полупроводниковые приборы».
Булычев, Ляпин, Туринов «Электронные приборы».
Поляков «Полупроводниковые приборы: диоды, таристоры, оптоэлектронные приборы».
9. Затраты времени
Поиск информации: 60 мин.
Расчеты и оформление: 5 часов.